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r
r
TSL250RD , TSL251RD , TSL260RD , TSL261RD
光到电压光学传感器
TAOS050K
2007年10月
D
单片硅集成电路含
D
D
D
D
D
D
宽电源电压范围。 。 。 2.7 V至5.5 V
D
薄型表面贴装封装:
透明塑料的TSL250RD和
TSL251RD
可见光截止滤光片塑料
TSL260RD和TSL261RD
铅(Pb ),且符合RoHS标准
光电二极管,运算放大器,以及
反馈组件
光强度转换为电压
高辐照度响应度,通常
64毫伏/ (毫瓦/平方厘米
2
)在
l
p
= 640纳米
(TSL250RD)
58毫伏/ (毫瓦/平方厘米
2
)在
l
p
= 940纳米
(TSL260RD)
单电压电源供电
低暗(偏移)电压。 。 。 10毫伏最大
低电源电流。 。 。 1.1毫安典型
D组
8引脚SOIC
( TOP VIEW )
NC 1
NC 2
NC 3
GND 4
8 NC
7 OUT
6 V
DD
5 NC
D
描述
该TSL250RD , TSL251RD , TSL260RD和TSL261RD是光 - 电压光学传感器,每个组合
一个光电二极管和一个单片IC中的跨阻放大器。该TSL250RD和TSL260RD有
16 MΩ的等效反馈电阻和光电二极管测量1平方毫米。该TSL251RD和
TSL261RD具有8 MΩ的等效反馈电阻和光电二极管测量0.5平方毫米。
输出电压成正比,在光电二极管上的光强(照度) 。这些器件具有
改进放大器的偏置电压的稳定性和低功耗。
功能框图
+
电压
产量
终端功能
终奌站
名字
GND
OUT
V
DD
4
7
6
输出电压。
电源电压。
r
版权
E
2007年, TAOS公司
描述
接地(基体) 。所有电压都参考GND 。
LUMENOLOGY
r
公司
得克萨斯高级光电解决方案公司
克莱恩路1001号
S
300套房
S
普莱诺, TX 75074
S
(972) 673-0759
r
www.taosinc.com
1
TSL250RD , TSL251RD , TSL260RD , TSL261RD
光到电压光学传感器
TAOS050K
2007年10月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6 V
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
10毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5秒
工作的自由空气的温度范围内,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25°C
至85℃
存储温度范围,T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25°C
至85℃
焊锡条件符合JEDEC J- STD- 020A ,最高温度(见注3 ) 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1.所有电压都是相对于GND 。
2.输出可能短路提供。
3.该设备可以被手工焊接提供的热量只施加到焊盘和没有接触的尖端之间形成
焊铁和设备的领先优势。最大时的热应适用于该设备是5秒。
推荐工作条件
电源电压,V
DD
经营自由的空气温度,T
A
2.7
0
最大
5.5
70
单位
V
°C
在V电气特性
DD
= 5 V ,T
A
= 25
°
C,R
L
= 10 k
Ω
(除非另有说明) (见注
3,图4 ,图5和6)
参数
黑暗
电压
最大
产量
电压
TEST
S
条件
E
e
= 0
V
DD
= 4.5 V
E
e
= 31
μW /厘米
2
V
O
产量
电压
E
e
= 124
μW /厘米
2
E
e
= 34
μW /厘米
2
E
e
= 132
μW /厘米
2
R
e
辐射
响应
见注7
V
O
= 2 V @ 25 ° C,
T
A
= 0℃至70 ℃的
(见注8 )
E
e
= 31
μW /厘米
2
I
DD
供应
当前
E
e
= 124
μW /厘米
2
E
e
= 34
μW /厘米
2
E
e
= 132
μW /厘米
2
注: 4 。
5.
6.
7.
8.
64
2
0.1
1.1
1.7
1.1
1.7
1.1
1.7
1.1
1.7
mA
16
2
0.1
58
8
0.4
λp
= 640纳米
TSL250RD
0
3
1.5
典型值
5
3.3
2
2.5
1.5
2
2.5
1
2
3
1
2
15
8
0.4
3
毫伏/
(μW/
cm
2
)
毫伏/°C的
%/°C
V
最大
10
0
3
TSL251RD
典型值
5
3.3
最大
10
0
3
典型值
5
3.3
λp
= 940纳米
TSL260RD
最大
10
0
3
TSL261RD
典型值
5
3.3
最大
10
mV
V
单位
V
D
V
OM
温度
对COEF网络cient
输出电压(V
O
)
测量时有R
L
=输出与地之间的10kΩ 。
光学测量利用小角度入射辐射从LED光源制成。
在640纳米辐射的输入ê
e
由的AlInGaP峰值波长的LED供应
λ
p
= 640纳米。
在940纳米辐射的输入ê
e
是由砷化镓,峰值波长的LED供应
λ
p
= 940纳米。
辐照的响应,其特征在于在范围V
O
= V
D
3 V的输出电压V的最佳拟合直线
O
对辐照ê
e
超过这个范围通常都会有一个积极的外推V
O
值对于E
e
= 0.
9.输出电压测量的温度系数是通过调节辐照度,使得制成V
O
是约2 V在
25℃ ,然后用辐照度保持恒定,电压电流测量
O
同时改变介于0 ℃和70 ℃的温度。
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LUMENOLOGY
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公司
版权
E
2007年, TAOS公司
2
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光到电压光学传感器
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2007年10月
在V动态特性
DD
= 5 V ,T
A
= 25
°
C,R
L
= 10 k
Ω
(除非另有说明)(参见图1)
参数
产量
脉冲上升
时间
产量
脉冲下降
时间
产量
噪音
电压
TEST
S
条件
λp
= 640纳米
TSL250RD
典型值
260
最大
TSL251RD
典型值
70
最大
典型值
260
λp
= 940纳米
TSL260RD
最大
TSL261RD
典型值
70
最大
μs
单位
t
r
V
O(峰)
= 2 V
t
f
V
O(峰)
= 2 V
E
e
= 0,
F = 1000赫兹
260
70
260
70
μs
V
n
0.8
0.7
0.8
0.7
μV/
( √ (赫兹) )
参数测量信息
V
DD
脉冲
发电机
LED
(见注一)
TSL2xxRD
1
测试电路
+
R
L
产量
(见注B)
10%
2
E
e
输入
3
产量
t
r
90%
90%
10%
t
f
电压波形
注意事项: A.输入辐照度由脉冲发光二极管与T提供
r
& LT ; 1
μs,
t
f
& LT ; 1
μs.
B的输出波形上具有以下特征的示波器监视:吨
r
& LT ;为100 ns ,Z
i
1 MΩ ,C
i
20 pF的。
图1.开关时间
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光到电压光学传感器
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2007年10月
典型特征
输出电压
vs
辐射
10
V
DD
= 5 V
λ
p
= 640纳米
R
L
= 10千瓦
T
A
= 25°C
10
V
DD
= 5 V
λ
p
= 940纳米
R
L
= 10千瓦
T
A
= 25°C
输出电压
vs
辐射
输出电压(V
O
V
D
) — V
1
输出电压(V
O
V
D
) — V
1
TSL250RD
0.1
TSL251RD
TSL260RD
0.1
TSL261RD
0.01
0.1
1
10
100
毫瓦/平方厘米
2
1000
E
e
- 辐射 -
0.01
0.1
1
10
100
毫瓦/平方厘米
2
1000
E
e
- 辐射 -
图2
科幻gure 3
光电二极管光谱响应
1.2
T
A
= 25°C
1
光电二极管光谱响应
T
A
= 25°C
1.0
相对响应度
0.8
相对响应度
0.8
0.6
0.6
0.4
TSL260RD
0.2
TSL261RD
0.4
TSL250RD
0.2
TSL251RD
0
300
0
400
500
600 700 800 900
λ
波长
nm
1000 1100
600
700
800
900
1000
λ
波长
nm
1100
图4
图5
版权
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2007年, TAOS公司
r
r
LUMENOLOGY
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公司
4
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光到电压光学传感器
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2007年10月
典型特征
最大输出电压
vs
电源电压
5
V
OM
- 最大输出电压 - V
R
L
= 10 kΩ
T
A
= 25°C
I
DD
- 电源电流 - 毫安
1.4
V
DD
= 5 V
R
L
= 10千瓦
T
A
= 25°C
电源电流
vs
输出电压
4
1.2
3
1
2
0.8
1
0.6
0
2.5
3
3.5
4
4.5
V
DD
电源电压
V
5
5.5
0.4
0
1
2
3
V
O
输出电压
V
4
图6
图7
归一化输出电压
角位移
1
V
O
- 输出电压 - 归
0.8
光轴
角位移
相等的两个方面
0
90
60
30
0
30
60
Q
角位移
°
90
0.6
0.4
0.2
图8
LUMENOLOGY
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公司
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版权
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2007年, TAOS公司
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TAOS公司
AMS AG
这TAOS数据表的技术含量仍然有效。
联系信息:
总部:
AMS AG
Tobelbaderstrasse 30
8141 Unterpremstaetten ,奥地利
电话: +43 ( 0 ) 3136 500 0
电子信箱:
ams_sales@ams.com
请访问我们的网站:
www.ams.com
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光到电压光学传感器
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2007年10月
D
单片硅集成电路含
D
D
D
描述
该TSL250RD , TSL251RD , TSL260RD和TSL261RD是光 - 电压光学传感器,每个组合
一个光电二极管和一个单片IC中的跨阻放大器。该TSL250RD和TSL260RD有
16 MΩ的等效反馈电阻和光电二极管测量1平方毫米。该TSL251RD和
TSL261RD具有8 MΩ的等效反馈电阻和光电二极管测量0.5平方毫米。
输出电压成正比,在光电二极管上的光强(照度) 。这些器件具有
改进放大器的偏置电压的稳定性和低功耗。
功能框图
Te
c
终端功能
终奌站
名字
4
7
6
GND
OUT
V
DD
LUMENOLOGY
r
公司
hn
一个IC
人米
共s
A
NT摹
en
ts
TIL
+
电压
产量
描述
接地(基体) 。所有电压都参考GND 。
输出电压。
电源电压。
r
透明塑料的TSL250RD和
TSL251RD
可见光截止滤光片塑料
TSL260RD和TSL261RD
铅(Pb ),且符合RoHS标准
得克萨斯高级光电解决方案公司
克莱恩路1001号
S
300套房
S
普莱诺, TX 75074
S
(972) 673-0759
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1
lv
版权
E
2007年, TAOS公司
D
D
D
D
宽电源电压范围。 。 。 2.7 V至5.5 V
D
薄型表面贴装封装:
al
光电二极管,运算放大器,以及
反馈组件
光强度转换为电压
高辐照度响应度,通常
64毫伏/ (毫瓦/平方厘米
2
)在
l
p
= 640纳米
(TSL250RD)
58毫伏/ (毫瓦/平方厘米
2
)在
l
p
= 940纳米
(TSL260RD)
单电压电源供电
低暗(偏移)电压。 。 。 10毫伏最大
低电源电流。 。 。 1.1毫安典型
D组
8引脚SOIC
( TOP VIEW )
NC 1
NC 2
NC 3
GND 4
8 NC
7 OUT
6 V
DD
id
5 NC
TSL250RD , TSL251RD , TSL260RD , TSL261RD
光到电压光学传感器
TAOS050K
2007年10月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6 V
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
10毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5秒
工作的自由空气的温度范围内,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25°C
至85℃
存储温度范围,T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25°C
至85℃
焊锡条件符合JEDEC J- STD- 020A ,最高温度(见注3 ) 。 。 。 260℃
推荐工作条件
电源电压,V
DD
经营自由的空气温度,T
A
hn
一个IC
人米
共s
A
NT摹
en
ts
TIL
0
TEST
S
条件
λp
= 640纳米
最大
λp
= 940纳米
最大
TSL250RD
典型值
TSL251RD
典型值
TSL260RD
典型值
TSL261RD
典型值
最大
E
e
= 0
0
3
5
10
0
3
5
10
0
3
5
10
0
3
5
V
DD
= 4.5 V
3.3
3.3
3.3
3.3
E
e
= 31
μW /厘米
2
E
e
= 34
μW /厘米
2
1.5
2
2.5
E
e
= 124
μW /厘米
2
E
e
= 132
μW /厘米
2
见注7
1.5
2
2.5
1
2
3
1
2
64
2
16
2
58
8
15
8
V
O
= 2 V @ 25 ° C,
T
A
= 0℃至70 ℃的
(见注8 )
E
e
= 31
μW /厘米
2
E
e
= 34
μW /厘米
2
0.1
1.1
0.1
1.1
0.4
0.4
1.7
E
e
= 124
μW /厘米
2
E
e
= 132
μW /厘米
2
1.7
1.1
1.7
1.1
r
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在V电气特性
DD
= 5 V ,T
A
= 25
°
C,R
L
= 10 k
Ω
(除非另有说明) (见注
3,图4 ,图5和6)
参数
黑暗
电压
单位
V
D
V
OM
最大
产量
电压
V
O
产量
电压
R
e
辐射
响应
温度
对COEF网络cient
输出电压(V
O
)
供应
当前
I
DD
Te
c
注: 4 。
5.
6.
7.
8.
测量时有R
L
=输出与地之间的10kΩ 。
光学测量利用小角度入射辐射从LED光源制成。
在640纳米辐射的输入ê
e
由的AlInGaP峰值波长的LED供应
λ
p
= 640纳米。
在940纳米辐射的输入ê
e
是由砷化镓,峰值波长的LED供应
λ
p
= 940纳米。
辐照的响应,其特征在于在范围V
O
= V
D
3 V的输出电压V的最佳拟合直线
O
对辐照ê
e
超过这个范围通常都会有一个积极的外推V
O
值对于E
e
= 0.
9.输出电压测量的温度系数是通过调节辐照度,使得制成V
O
是约2 V在
25℃ ,然后用辐照度保持恒定,电压电流测量
O
同时改变介于0 ℃和70 ℃的温度。
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版权
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2007年, TAOS公司
2
lv
最大
2.7
5.5
V
70
最大
10
3
1.7
al
单位
°C
mV
V
V
毫伏/
(μW/
cm
2
)
毫伏/°C的
%/°C
mA
id
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1.所有电压都是相对于GND 。
2.输出可能短路提供。
3.该设备可以被手工焊接提供的热量只施加到焊盘和没有接触的尖端之间形成
焊铁和设备的领先优势。最大时的热应适用于该设备是5秒。
TSL250RD , TSL251RD , TSL260RD , TSL261RD
光到电压光学传感器
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2007年10月
在V动态特性
DD
= 5 V ,T
A
= 25
°
C,R
L
= 10 k
Ω
(除非另有说明)(参见图1)
参数
产量
脉冲上升
时间
产量
脉冲下降
时间
产量
噪音
电压
TEST
S
条件
λp
= 640纳米
TSL250RD
典型值
260
最大
TSL251RD
典型值
70
最大
典型值
260
λp
= 940纳米
TSL260RD
最大
TSL261RD
典型值
70
最大
μs
单位
t
r
V
O(峰)
= 2 V
t
f
V
O(峰)
= 2 V
E
e
= 0,
F = 1000赫兹
260
70
260
70
V
n
0.8
0.7
0.8
脉冲
发电机
LED
(见注一)
hn
一个IC
人米
共s
A
NT摹
en
ts
TIL
参数测量信息
V
DD
2
E
e
输入
3
+
产量
t
r
TSL2xxRD
R
L
90%
1
产量
(见注B)
10%
测试电路
lv
90%
10%
电压波形
注意事项: A.输入辐照度由脉冲发光二极管与T提供
r
& LT ; 1
μs,
t
f
& LT ; 1
μs.
B的输出波形上具有以下特征的示波器监视:吨
r
& LT ;为100 ns ,Z
i
1 MΩ ,C
i
20 pF的。
图1.开关时间
Te
c
LUMENOLOGY
r
公司
r
r
www.taosinc.com
al
0.7
μV/
( √ (赫兹) )
t
f
版权
E
2007年, TAOS公司
id
μs
3
TSL250RD , TSL251RD , TSL260RD , TSL261RD
光到电压光学传感器
TAOS050K
2007年10月
典型特征
输出电压
vs
辐射
10
V
DD
= 5 V
λ
p
= 640纳米
R
L
= 10千瓦
T
A
= 25°C
10
V
DD
= 5 V
λ
p
= 940纳米
R
L
= 10千瓦
T
A
= 25°C
输出电压
vs
辐射
输出电压(V
O
V
D
) — V
1
输出电压(V
O
V
D
) — V
1
TSL250RD
0.1
TSL251RD
TSL260RD
0.1
0.01
0.1
hn
一个IC
人米
共s
A
NT摹
en
ts
TIL
0.01
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
E
e
- 辐射 -
毫瓦/平方厘米
2
E
e
- 辐射 -
毫瓦/平方厘米
2
图2
科幻gure 3
光电二极管光谱响应
1.2
T
A
= 25°C
光电二极管光谱响应
T
A
= 25°C
1
1.0
相对响应度
0.8
0.8
相对响应度
0.6
0.6
0.4
0.4
TSL250RD
TSL260RD
0.2
TSL251RD
0.2
TSL261RD
Te
c
0
300
0
400
500
600 700 800 900
λ
波长
nm
1000 1100
600
700
800
900
1000
λ
波长
nm
图4
图5
版权
E
2007年, TAOS公司
r
r
LUMENOLOGY
r
公司
4
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TSL261RD
1000
1100
al
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