r

r

TSL12T ， TSL13T

光 - 电压转换器

TAOS062D

2007年4月

D

光强度转换成输出电压

D

单片硅集成电路含

D

D

光电二极管，跨导放大器，

和反馈元件

单电源供电。 。 。 2.7 V至5.5 V

高辐照度响应度。 。 。典型

96毫伏/ （ μW /厘米

2

）在

λ

p

= 640纳米（ TSL12T ）

低电源电流。 。 。 1.1毫安典型

N / C 1

GND 2

包装牛逼

4引脚SMD

（ TOP VIEW ）

4 OUT

3 V

DD

D

D

薄型表贴封装。

D

符合RoHS

描述

该TSL12T和TSL13T是成本最优化的，高度集成的光 - 电压的光学传感器中，每个组合

一个光电二极管和互阻抗放大器（反馈电阻= 80兆欧和20兆欧，分别）在单个

单片集成电路。在光电二极管有源区域为0.5mm

×

为0.5mm的传感器光响应

在320纳米到1050纳米的范围内。输出电压是线性的，光强度（辐照度），在传感器上入射

在很宽的动态范围。这些器件采用薄型表面贴装封装（T ） 。

功能框图

+

电压

产量

可选项

设备

TSL12

TSL13

T

A

0℃至70℃

0℃至70℃

包

LEADS

4引脚小尺寸表面贴装

4引脚小尺寸表面贴装

封装标识

T

T

订购数量

TSL12T

TSL13T

该

LUMENOLOGY

r

公司

得克萨斯高级光电解决方案公司

克莱恩路1001号

S

300套房

S

普莱诺， TX 75074

S

(972) 673-0759

r

www.taosinc.com

1

r

版权

E

2007年， TAOS公司

TSL12T ， TSL13T

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TAOS062D

2007年4月

终端功能

终奌站

名字

GND

OUT

V

DD

N / C

牛逼PKG

号

2

4

3

1

输出电压。

电源电压。

无连接。

描述

电源接地（基板） 。所有电压都参考GND 。

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压，V

DD

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6 V

输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

10毫安

短路电流的持续时间（或低于） 25 ° C（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5秒

工作的自由空气的温度范围内，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

25°C

至85℃

存储温度范围，T

英镑

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

25°C

至85℃

焊条件按照JEDEC J-STD - 020A ，最高温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注： 1.所有电压都是相对于GND 。

2.输出可能短路提供。

推荐工作条件

民

电源电压，V

DD

经营自由的空气温度，T

A

2.7

0

喃

最大

5.5

70

单位

V

°C

版权

E

2007年， TAOS公司

r

r

该

LUMENOLOGY

r

公司

2

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TSL12T ， TSL13T

光 - 电压转换器

TAOS062D

2007年4月

在V电气特性

DD

= 5 V ，T

A

= 25

°

C,

λ

p

= 640纳米，R

L

= 10 k

Ω

（除非另有说明）

（见注3 ， 4 ， 5 ）

参数

V

OM

最大输出电压

E

e

=

20.5

μW /厘米

2

V

O

输出电压

E

e

= 83

μW /厘米

2

E

e

=

41

μW /厘米

2

E

e

= 166

μW /厘米

2

R

e

V

OS

V

d

I

D

辐照响应

外推失调电压

黑暗的电压

电源电流

注6

注6

E

e

=

0

E

e

=

20.5

μW /厘米

2

E

e

= 83

μW /厘米

2

0.02

0

1.1

96

0.03

0.08

0.08

1.7

1.1

1.7

0.02

0

4

4

24

0.03

0.08

0.08

毫伏/

(μW/

cm

2

)

V

V

mA

测试条件

TSL12T

民

4.6

1.5

典型值

4.9

2

2.5

1.5

2

2.5

V

最大

民

4.6

TSL13T

典型值

4.9

最大

单位

V

注：3 。

4.

5.

6.

测量时有R

L

=输出与地之间的10kΩ 。

光学测量利用小角度入射辐射从LED光源制成。

在640纳米辐射的输入ê

e

由的AlInGaP峰值波长的LED供应

λ

p

= 640纳米。

辐照的响应，其特征在于在范围V

O

= 0.2 4 V的输出电压V的最佳拟合直线

O

与

辐照ê

e

在这个范围内可以具有正的或负的外推V

O

值对于E

e

= 0。对于低光照值，输出

电压V

O

对辐照ê

e

特性是非线性的朝向伏的偏差

O

= 0, E

e

= 0原点的最佳拟合直线

上面一行引用。

在V动态特性

DD

= 5 V ，T

A

= 25

°

C,

λ

p

= 640纳米，R

L

= 10千欧（除非另有说明）

（参见图1）

参数

t

dr

t

r

t

df

t

f

为上升沿输出脉冲延迟时间（ 0 ％

至10％）

输出脉冲的上升时间（10％ 90 ％）

对于下降沿输出脉冲延迟时间

（100％至90％）的

输出脉冲的下降时间（90％至10％）

测试条件

闵V

O

= 0 V ;峰V

O

= 2 V

闵V

O

= 0.5 V ;峰V

O

= 2 V

闵V

O

= 0 V ;峰V

O

= 2 V

闵V

O

= 0.5 V ;峰V

O

= 2 V

闵V

O

= 0 V ;峰V

O

= 2 V

闵V

O

= 0.5 V ;峰V

O

= 2 V

闵V

O

= 0 V ;峰V

O

= 2 V

闵V

O

= 0.5 V ;峰V

O

= 2 V

TSL12T

民

典型值

13

2.3

20

10

2.3

2.2

10

9

最大

民

TSL13T

典型值

1.7

1.2

7.2

6.5

1.2

1.1

6.8

6.4

最大

单位

μs

s

μs

s

μs

s

μs

s

该

LUMENOLOGY

r

公司

r

r

版权

E

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3

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参数测量信息

V

DD

脉冲

发电机

LED

（见注一）

TSL1x

2

测试电路

+

R

L

产量

闵V

O

3

输入

闵恶

e

4

峰V

O

t

dr

t

r

90%

10%

90%

10%

t

df

t

f

E峰

e

输出电压波形（见注B）

注：A的输入辐射被供给由脉冲的AlInGaP发光二极管具有以下特征：

λ

p

= 640纳米，

t

r

＆ LT ; 1

μs,

t

f

＆ LT ; 1

μs.

B的输出波形上具有以下特征的示波器监视：吨

r

＆ LT ;为100 ns ，Z

i

≥

1 MΩ ，C

i

≤

20 pF的。

图1.开关时间

典型特征

光电二极管光谱响应

1

0.8

相对响应度

0.6

0.4

0.2

0

300

400

500

600 700 800 900

λ

波长

nm

1000 1100

图2

版权

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2007年， TAOS公司

r

r

该

LUMENOLOGY

r

公司

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典型特征

TSL12T

上升沿动态特性

与

峰值输出电压

1000

闵V

O

= 0 V

1000

上升沿动态特性

与

峰值输出电压

闵V

O

= 0.5 V

100

时间 -

ms

t

r

时间 -

ms

100

10

t

dr

10

t

r

1

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

V

O

峰值输出电压

V

1

0

0.5

1

1.5

t

dr

2

2.5

3

3.5

4

V

O

峰值输出电压

V

科幻gure 3

下降沿动态特性

与

峰值输出电压

1000

闵V

O

= 0 V

1000

图4

下降沿动态特性

与

峰值输出电压

闵V

O

= 0.5 V

100

时间 -

ms

时间 -

ms

100

t

f

10

10

t

f

t

df

1

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

V

O

峰值输出电压

V

1

0

0.5

1

1.5

t

df

2

2.5

3

3.5

4

V

O

峰值输出电压

V

图5

图6

该

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r

公司

r

r

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5