TSIxxB1
电气参数
在V
RM
值对应于最大
电压在正常操作的应用程序。为
例如，如果最大线电压测距
间
100V
RMS
振铃电池加48V的
电压，则该保护选择用于本应用
化应有一个V
RM
接近200V 。
在V
BO
是触发电压。这表明
在电压限制的量，成分
短路。通过这项V
BO
使该器件
打开。
在我
BO
是电流，使器件导
上。事实上，如果我们希望有一个TRISIL就无法打开
只有两端的电压应通过V
BO
价值
但通过它的电流也应通过我
BO
值。
换句话说，如果一个电压浪涌发生的
线比在V更高
BO
一个TRISIL的价值，
而线浪涌电流被限制在一个值
不超过TRISIL的我
BO
值，则
TRISIL永远不会变成短路。此时
浪涌将由TRISIL夹紧。
无论如何电子电路位于后
TRISIL将总是被保护的任何的TRISIL
状态（撬棍或夹紧方式） 。
在我
H
主张维持电流。当
TRISIL被接通时，只要交叉电流
浪涌得到比这更低的我
H
值时， TRISIL
保护装置轮流回到空闲状态。
备注：由于这个原因， TRISIL的我
H
值应
选择比最大的电信高
线电流即可。
图。 2 ：
为CCITT K17建议测试电路
关于TSIxxB1行为
SURGE标准：
该TSIxxB1能够代替这两个二极管桥
和往常电信分立保护
终端。此外，它符合CCITT的
K17的建议：
10/700
s
波形浪涌测试，
1.5kV
AC电源感应测试
交流电源接触式测试
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TSIxxB1
TEST ＃ 1
闪电模拟
本次测试涉及10/700
s
波形激增，
±
1.5千伏。
图。 2
: 10/700
s
波形浪涌发生器电路
用于试验的浪涌发生器具有
以下的电路（图2） 。
该TSI200B1的本雷电浪涌的行为给出下面（图3）。
图。 3 ：
横跨TSI200B1电压在+和 - 端子和电流throught它
为1.5千伏正浪涌（图3a ）和负浪涌（图3b）的
这些曲线显示电压浪涌峰值
的两端产生TSI200B1 +和 -
终端。这个持续时间短（' 2
s)
和
之后，作为内部保护gehaves像
短路。横跨TSIxxB1上的电压降
变成几伏。在此期间所有的
浪涌电流流过，在保护。
至于10/700
s
波形的浪涌测试
而言， TSIxxB1承受± 1.5千伏试验。
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TSIxxB1
终端设置界面
保护和二极管桥
专用分立器件
A.S.D.
主要应用
电信设备，这些设备组合
防止瞬态过电压和
由整流二极管桥式：
电话机
基站无绳集
传真机
调制解调器
来电显示设备
机顶盒
描述
该TSIxxB1提供了二极管桥和
急剧短路保护功能，它可以发现
大多数的电信终端设备。
单片内的SO8封装集成，
这ASD 设备可节省空间的
板和更高的可靠性。
特点
对峙电压为62V至265V
峰值脉冲电流： 30 A（ 10/1000
s)
最大直流电流：我
F
= 0.2 A
保持电流为150mA
在按照下述
标准：
CCITT K17 - K20
VDE 0433
CNET
Bellcore实验室
TR- NWT- 000974 ：
10/700
5/310
10/700
5/310
0.5/700
0.2/310
s
s
s
s
s
s
1.5千伏
38A
2千伏
40A(*)
1.5千伏
38A
1千伏
30A(*)
2.5千伏
75A (*)
SO8
原理图
1
2
3
4
好处
8
7
6
5
10/1000
s
10/1000
s
FCC第68部分
2/10
s
2/10
s
MIL STD883C方法3015-6
（ * ）串联电阻或PTC 。
对于极性保护和短路器二极管桥
保护在一个装置内。
单个芯片具有更高的可靠性
减少了元件数量与分立
解
节省了电路板空间
TM ： ASD是SGS - THOMSON微电子公司的注册商标。
1998年1月 - 埃德： 3
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TSIxxB1
电气参数
在V
RM
值对应于最大
电压在正常操作的应用程序。为
例如，如果最大线电压测距
间
±100V
RMS
振铃电池加48V的
电压，则该保护选择用于本应用
化应有一个V
RM
接近200V 。
在V
BO
是触发电压。这表明
电压极限的量，成分
短路。通过这项V
BO
使该器件
打开。
在我
BO
是电流，使器件导
上。事实上，如果我们希望有一个TRISIL就无法打开
只有两端的电压应通过V
BO
价值
但通过它的电流也应通过我
BO
值。
换句话说，如果一个电压浪涌发生的
线比在V更高
BO
价值TRISIL的，而
线路浪涌电流被限制在一个值，该值不
不超过TRISIL的我
BO
值，则TRISIL将
从来没有变成短路。此时的浪涌
将由TRISIL夹紧。
无论如何电子电路位于后
TRISIL将总是被保护的任何的TRISIL
状态（撬棍或夹紧方式） 。
在我
H
主张维持电流。当
TRISIL被接通时，只要交叉电流
浪涌得到比这更低的我
H
值时， TRISIL
保护装置轮流回到空闲状态。
备注：由于这个原因， TRISIL的我
H
值应
选择比最大的电信高
线电流即可。
关于TSIxxB1行为
SURGE标准：
该TSIxxB1能够代替这两个二极管桥
和往常电信分立保护
终端。此外，它符合CCITT的
K17的建议：
10/700
s
波形浪涌测试，
±
1.5kV
AC电源感应测试
交流电源接触式测试
图。 2 ：
为CCITT K17建议测试电路
3/9
TSIxxB1
TEST ＃ 1
闪电模拟
本次测试涉及10/700
s
波形激增，
±
1.5千伏。
图。 2
: 10/700
s
波形浪涌发生器电路
用于试验的浪涌发生器具有
以下的电路（图2） 。
该TSI200B1的本雷电浪涌的行为给出下面（图3）。
图。 3 ：
横跨TSI200B1电压在+和 - 端子和电流throught它
为1.5千伏正浪涌（图3a ）和负浪涌（图3b）的
这些曲线显示电压浪涌峰值
的两端产生TSI200B1 +和 -
终端。这个持续时间短（' 2
s)
和
之后，作为内部保护gehaves像一个短
电路。横跨TSIxxB1上的电压降
变成几伏。在此期间所有的
浪涌电流流过，在保护。
至于10/700
s
波形的浪涌测试
关注的TSIxxB1承受
±
1.5千伏
测试。
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