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TSHG6200
威世半导体
高速红外发光二极管， 850纳米，
的GaAlAs双异质
描述
TSHG6200是在一个高速红外发光二极管
的GaAlAs双异质（DH）技术，成型为
清晰，未着色的塑料封装。
这项新技术结合了高转速高
辐射功率在850nm波长的光。
94
8390
特点
高调制带宽
超高辐射功率和辐射
强度
e2
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
标准包装T- 1.75 （ 5毫米）的
半强度角
= ± 10°
峰值波长
λ
p
= 850 nm的
高可靠性
良好的光谱匹配Si光电探测器
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
应用
红外辐射源的CMOS摄像头
（照度） 。高速红外数据传输。
零件表
部分
TSHG6200
备注
最小起订量： 4000件
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
5秒，2毫米的情况下
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1
250
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
300
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号81078
修订版1.5 ， 11月28日06
www.vishay.com
1
TSHG6200
威世半导体
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度。系数
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
λ
p
上升时间
下降时间
截止频率
虚拟源直径
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
DC
= 70 mA时，我
AC
= 30毫安页
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
f
f
c
80
125
160
1600
50
- 0.35
± 10
850
40
0.25
20
13
20
3.7
400
民
典型值。
1.5
2.3
- 2.1
10
最大
1.8
单位
V
V
毫伏/ K
μA
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
兆赫
mm
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
300
P
V
- 功耗（MW ）
250
200
R
thJA
150
100
50
0
0
16647
200
175
I
F
- 正向电流（mA ）
150
125
100
75
50
25
0
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
0
16964
R
thJA
10
20 30 40 50 60 70
80
90 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图1.功耗与环境温度
图2.正向电流与环境温度
www.vishay.com
2
文档编号81078
修订版1.5 ， 11月28日06
TSHG6200
威世半导体
1000
t
P
/T = 0.01
0.02
T
AMB
< 50 ℃
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
辐射功率（mW ）
e
-
0.05
0.1
100
10
0.2
0.5
1
100
0.01
16031
0.1
0.1
1.0
10
100
16971
1
10
100
1000
t
P
- 脉冲持续时间（毫秒）
I
F
- 正向电流（mA ）
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
图6.辐射功率与正向电流
1000
- 相对辐射功率
E，相对
1.25
1.0
I
F
- 正向电流（mA ）
100
t
P
= 100
s
t
P
/T = 0.001
10
0.75
0.5
0.25
0
1
0
18873
1
3
2
V
F
- 前进
电压
(V)
4
16972
800
850
900
-
波长
（纳米）
图4.正向电流与正向电压
图7.相对辐射功率与波长
15 899
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
4.6
4.4
4.1
3.9
R=1.6
1.5
1.85
1.65
100
GND
7.6
7.4
8.9
8.7
16.3
15.7
10
V
CC
OUT
1
5.3
5.1
0.45
0.35
1.6
1.4
2.05
1.95
8.1
7.9
方向牵引出
0.1
1
16032
10
100
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
图5.辐射强度与正向电流
图8.相对辐射强度对比角位移
文档编号81078
修订版1.5 ， 11月28日06
www.vishay.com
3
TSHG6200
威世半导体
包装尺寸（mm）
95 10917
www.vishay.com
4
文档编号81078
修订版1.5 ， 11月28日06
TSHG6200
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号81078
修订版1.5 ， 11月28日06
www.vishay.com
5
TSHG6200
威世半导体
高速红外发光二极管， 850纳米，
的GaAlAs双异质
描述
TSHG6200是红外线， 850nm的发光二极管
的GaAlAs双异质（ DH）技术，具有高
辐射功率和高速，成型于清，
不着色，塑料封装。
94
8389
特点
峰值波长：
λ
p
= 850 nm的
高可靠性
高辐射功率
e2
高辐射强度
半强度角：
= ± 10°
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
高调制带宽
良好的光谱匹配Si光电探测器
标准包装： T- 1.75 （ 5毫米）的
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
应用
红外辐射源进行操作与CMOS
相机
高速红外数据传输
零件表
部分
TSHG6200
备注
最小起订量： 4000件
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
5秒2毫米的情况下
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1
180
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
270
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号81078
修订版1.6 ， 04日-12月07
www.vishay.com
1
TSHG6200
威世半导体
200
P
V
- 功耗（MW ）
- R
thJA
= 270 K / W
150
I
F
- 正向电流（mA ）
125
100
- R
thJA
= 270 K / W
75
50
25
0
0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
20113
100
50
0
20112
0
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图1.功耗限制与环境温度
图2.正向电流限制与环境温度
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度。系数
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
λ
p
上升时间
下降时间
截止频率
虚拟源直径
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
DC
= 70 mA时，我
AC
= 30毫安页
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
f
f
c
80
125
160
1600
50
- 0.35
± 10
850
40
0.25
20
13
20
3.7
400
民
典型值。
1.5
2.3
- 1.8
10
最大
1.8
单位
V
V
毫伏/ K
μA
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
兆赫
mm
www.vishay.com
2
文档编号81078
修订版1.6 ， 04日-12月07
TSHG6200
威世半导体
1000
t
P
/T = 0.01
0.02
T
AMB
< 50 ℃
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
辐射功率（mW ）
e
-
0.05
0.1
100
10
0.2
0.5
1
100
0.01
16031
0.1
0.1
1.0
10
100
16971
1
10
100
1000
t
P
- 脉冲持续时间（毫秒）
I
F
- 正向电流（mA ）
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
图6.辐射功率与正向电流
1000
- 相对辐射功率
E，相对
1.25
1.0
I
F
- 正向电流（mA ）
100
t
P
= 100
s
t
P
/T = 0.001
10
0.75
0.5
0.25
0
1
0
18873
1
3
2
V
F
- 前进
电压
(V)
4
16972
800
850
900
-
波长
（纳米）
图4.正向电流与正向电压
图7.相对辐射功率与波长
0°
1000
I
ê相对
- 相对辐射强度
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
10°
20°
30°
- 角位移
100
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
10
1
0.1
1
16032
10
100
1000
15989
I
F
- 正向电流（mA ）
图5.辐射强度与正向电流
图8.相对辐射强度对比角位移
文档编号81078
修订版1.6 ， 04日-12月07
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3
TSHG6200
威世半导体
包装尺寸
以毫米为单位
95 10917
www.vishay.com
4
文档编号81078
修订版1.6 ， 04日-12月07
TSHG6200
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何意外或
未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体的所有索赔，费用，损失，
和费用，直接或间接地引起的，人身损害，伤害或死亡的任何索赔相关
与此类意外或未经授权的使用。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号81078
修订版1.6 ， 04日-12月07
www.vishay.com
5
TSHG6200
威世半导体
高速红外发光二极管， 850纳米， GaAlAs的双异质
特点
套餐类型：含铅
包装形式： T- 1.75
外形尺寸（单位：mm） ： 5
峰值波长：
λ
p
= 850 nm的
高可靠性
高辐射功率
高辐射强度
半强度角：
= ± 10°
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
高调制带宽：F
c
= 18 MHz的
与CMOS摄像头很好的光谱匹配
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
94
8389
描述
TSHG6200是红外线， 850nm的发射中的GaAlAs二极管
双异质（ DH）技术，具有较高的辐射功率和
高速，成型于清，未着色的塑料封装。
in
应用
红外辐射源进行操作与CMOS
相机
高速红外数据传输
产品概述
部件
TSHG6200
I
e
（毫瓦/ SR）
180
（度）
± 10
λ
p
（纳米）
850
t
r
（纳秒）
20
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
TSHG6200
记
最小起订量：最小起订量
包装
体积
备注
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
包装形式
T-1
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
t
≤
5秒2毫米的情况下
J- STD- 051 ，导致7毫米，
焊接在PCB
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1
180
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
230
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号： 81078
修订版1.7 ， 29军， 09
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
TSHG6200
威世半导体
高速红外发光二极管，
850纳米， GaAlAs的双异质
200
180
120
100
80
R
thJA
= 230 K / W
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
21143
P
V
- 功耗（MW ）
140
120
100
80
60
40
20
0
R
thJA
= 230 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
160
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
21142
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
截止频率
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
DC
= 70 mA时，我
AC
= 30毫安页
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
f
f
c
d
120
125
180
1800
50
- 0.35
± 10
850
40
0.25
20
13
18
3.7
360
分钟。
典型值。
1.5
2.3
- 1.8
10
马克斯。
1.8
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
兆赫
mm
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2
如有技术问题，请联系：
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文档编号： 81078
修订版1.7 ， 29军， 09
TSHG6200
高速红外发光二极管，
威世半导体
850纳米， GaAlAs的双异质
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
t
P
/T = 0.01
0.02
T
AMB
< 50℃
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
辐射功率（mW ）
e
-
0.05
0.1
100
10
0.2
0.5
100
0.01
1
0.1
0.1
1
10
100
16971
1
10
100
1000
16031
t
P
- 脉冲持续时间（毫秒）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 辐射功率与正向电流
1000
Φ
E，相对
- 相对辐射功率
1.25
1.0
I
F
- 正向电流（mA ）
100
t
P
= 100
s
t
P
/T = 0.001
10
0.75
0.5
0.25
0
1
0
18873
1
3
2
V
F
- 前进
电压
(V)
4
16972
800
850
900
λ-
波长
（纳米）
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 相对辐射功率与波长
0°
10 000
10°
20°
30°
I
ê相对
- 相对辐射强度
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
1000
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
100
10
t
P
= 0.1毫秒
t
P
/T = 0.001
1
1
21307
10
100
1000
15989
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 5 - 辐射强度与正向电流
图。 8 - 相对辐射强度对比角位移
文档编号： 81078
修订版1.7 ， 29军， 09
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3
- 角位移
TSHG6200
威世半导体
高速红外发光二极管，
850纳米， GaAlAs的双异质
包装尺寸
以毫米为单位
A
C
5.8 ± 0.15
2.49 （球）
7.7 ± 0.15
8.7
± 0.3
(4.7)
35.5 ± 0.55
< 0.7
地区没有飞机
5 ± 0.15
+ 0.2
0.6 - 0.1
1分钟。
+ 0.15
0.5 - 0.05
2.54喃。
+ 0.15
0.5 - 0.05
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
6.544-5259.02-4
问题：
8;
19.05.09
95 10917
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修订版1.7 ， 29军， 09
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
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可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
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间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
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的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
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技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
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充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
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获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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