TSHF5200
威世德律风根
高速红外发光二极管在直径5毫米（ T-1
）包
描述
TSHF5200是高速红外发光二极管
在砷化镓铝双异质（ DH）技术的GaAlAs ，
模制铜框，在一个明确的，不着色的塑料
封装。
新技术结合DH-的高速
GaAlAs的与标准的GaAlAs和效率
标准的GaAs技术的低正向电压。
该TSHF5200发射极适合于串行红外
根据IrDA的标准链接。
94 8390
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
D
高调制带宽（ 10 MHz）的
高辐射功率
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
标准T -1
（直径5毫米）的封装
半强度角
=
±
10
°
峰值波长
l
p
= 870 nm的
高可靠性
良好的光谱匹配Si光电探测器
应用
具有高调制频率的红外高速远程控制和自由的空气数据传输系统或
高数据传输速率要求。
TSHF5200根据IrDA的要求和载体是理想的传输系统的设计频
昆西基础的系统（如ASK / FSK - 编码， 450 kHz或1.3 MHz的） 。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1.5
160
100
–40...+100
–40...+100
260
270
单位
V
mA
mA
A
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
m
s
t
p
= 100
m
s
t
x
5秒，从2毫米的情况下，
文档编号81023
第3版， 02 - 8 - 99
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1 (6)
TSHF5200
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
180
P
V
- 功耗（MW ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
16084
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
10
3
10
2
10
1
10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
94 8880
0
1
2
3
4
V
F
- 正向电压（ V）
图1.功耗与环境温度
120
I
F
- 正向电流（mA ）
100
80
60
40
20
0
0
16085
图4.正向电流与正向电压
1.2
V
Frel
- 相对正向电压
1.1
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
0.8
0.7
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
94 7990 e
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图2.正向电流与环境温度
图5.相对正向电压 -
环境温度
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
10
1
I
F
- 正向电流（ A）
T
AMB
<57
_
C
t
p
/ T = 0.01 ，我
FSM
= 1 A
0.02
10
0
0.05
0.1
0.2
0.5
10
–1
10
–2
100
10
1
0.1
10
–1
10
0
10
1
10
2
94 8881
10
0
16086
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
图6.辐射强度与正向电流
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TSHF5200
威世半导体
高速红外发光二极管， 870纳米， GaAlAs的双
杂
描述
TSHF5200是高速红外线发光
在砷化镓铝二极管的GaAlAs双异质（ DH ）技
术，铸就铜框，在一个明确的，不着色
塑料封装。
新技术结合DH-的高速
GaAlAs的与标准的GaAlAs的效率和
标准GaAs组成的低正向电压技
术。
该TSHF5200发射极适合于串行红外
根据IrDA的标准链接。
94 8390
特点
高调制带宽（ 10 MHz）的
高辐射功率
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
标准T - 1.75 （ 5毫米）的封装
半强度角
= ± 10°
峰值波长
λ
p
= 870 nm的
高可靠性
良好的光谱匹配Si光电探测器
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
应用
红外高速远程控制和自由的空气数据
具有高调制传输系统frequen-
连锁商店或高数据传输率的要求。
TSHF5200是理想的变速器的设计系
TEMS根据IrDA的要求和载体
基于频率的系统（例如ASK / FSK - 编码，
450 kHz或1.3 MHz的） 。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
5秒，2毫米的情况下
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
s
t
p
= 100
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1.5
160
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
270
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
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修订版1.5 ， 08 -MAR -05
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1
TSHF5200
威世半导体
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度。系数
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100
s
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100
s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
λ
TK =
p
t
r
t
f
50
160
100
1000
35
- 0.7
± 10
870
40
0.2
30
30
3.7
400
民
典型值。
1.35
2.4
-1.7
10
最大
1.6
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
mm
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
180
P - 功耗（MW ）
V
I
F
- 正向电流（mA ）
120
100
80
60
40
20
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境牛逼
emperature （ ° C）
16085
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境牛逼
emperature （ ° C）
16084
图1.功耗与环境温度
图2.正向电流与环境温度
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修订版1.5 ， 08 -MAR -05
TSHF5200
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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修订版1.5 ， 08 -MAR -05
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