【TSHF4410威世半导体高速红外发光二极管，符合RoHS ， 890纳米，的GaAlAs双异质特点】,IC型号TSHF4410,TSHF4410 PDF资料,TSHF4410经销商,ic,电子元器件-51电子网

TSHF4410

威世半导体

高速红外发光二极管，符合RoHS ， 890纳米，

的GaAlAs双异质

特点

包装类型：含铅

包装形式： T- 1

尺寸（单位：mm）：

峰值波长：

= 890 nm的

高可靠性

高辐射功率

高辐射强度

8636

半强度角：

= ± 22°

低正向电压

适用于高脉冲电流操作

高调制带宽：F

= 12 MHz的

与硅光电探测器良好的光谱匹配

铅（Pb ）按照-free组件

RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC

同

描述

TSHF4410是红外线， 890 nm的发射中的GaAlAs二极管

双异质（ DH）技术，具有较高的辐射功率和

高速，成型于清，未着色的塑料封装。

应用

红外高速远程控制和自由的空气数据

具有高调制频率传输系统或

高数据传输速率的要求

根据IrDA的要求和传输系统

对于载波频率为基础的系统（如ASK / FSK -

编码， 450 kHz或1.3 MHz的）

无烟火灾自动探测器

产品概述

部件

TSHF4410

（毫瓦/ SR）

（度）

± 22

（纳米）

890

（纳秒）

记

测试条件见附表“基本特征”

订购信息

订购代码

TSHF4410

记

最小起订量：最小起订量

包装

体积

备注

最小起订量： 5000件， 5000件/散装

包装形式

T-1

绝对最大额定值

参数

反向电压

正向电流

最大正向电流

正向电流浪涌

功耗

结温

/T = 0.5, t

= 100 s

测试条件

符号

FSM

价值

100

200

1.5

180

100

单位

°C

文档编号： 81276

修订版1.1 ， 16月， 08

如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com

www.vishay.com

171

TSHF4410

威世半导体

高速红外发光二极管，符合RoHS

标准， 890纳米， GaAlAs的双异质

绝对最大额定值

参数

工作温度范围

存储温度范围

焊接温度

热阻结/环境

记

AMB

= 25℃，除非另有说明

≤

5秒2毫米的情况下

J- STD- 051 ，导致7毫米，

焊接在PCB

测试条件

符号

AMB

英镑

thJA

价值

- 40至+ 85

- 40至+ 100

260

300

单位

°C

K / W

200

180

120

100

- 功耗（MW ）

140

120

100

90 100

thJA

= 300°K / W的

- 正向电流（mA ）

160

thJA

= 300°K / W的

20 30 40

50 60 70

90 100

21311

AMB

- 环境温度（ ° C）

21312

AMB

- 环境温度（ ° C）

图。 1 - 功耗极限 - 环境温度

图。 2 - 正向电流限制与环境温度

基本特征

参数

正向电压

V温度COEF网络cient

反向电流

结电容

辐射强度

辐射功率

温度COEF网络cient

半强度角

峰值波长

光谱带宽

温度COEF网络cient

上升时间

下降时间

截止频率

虚拟源直径

记

AMB

= 25℃，除非另有说明

= 100毫安

= 70 mA时，我

= 30毫安页

方法： 63 ％的能量包围

测试条件

= 100毫安，吨

= 20毫秒

= 1 A，T

= 100 s

= 1毫安

= 5 V

= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0

= 100毫安，吨

= 20毫秒

= 1 A，T

= 100 s

= 100毫安，吨

= 20毫秒

= 100毫安

符号

TK =

Δλ

TK =

125

400

- 0.35

± 22

890

0.25

1.9

分钟。

典型值。

1.5

2.4

- 1.8

马克斯。

1.8

3.0

单位

毫伏/ K

毫瓦/ SR

%/K

度

纳米/ K

兆赫

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文档编号： 81276

修订版1.1 ， 16月， 08

TSHF4410

高速红外发光二极管，符合RoHS

威世半导体

标准， 890纳米， GaAlAs的双异质

基本特征

AMB

= 25℃，除非另有说明

1.25

1000

/T = 0.01

0.02

AMB

< 50℃

E，相对

- 相对辐射功率

100

- 正向电流（mA ）

1.0

0.05

0.1

0.75

0.5

0.2

0.5

0.25

800

100

0.01

16031

0.1

1.0

- 脉冲持续时间（毫秒）

20016

900

波长

（纳米）

1000

图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间

图。 6 - 相对辐射功率与波长

1000

ê相对

- 相对辐射强度

0°

10°

20°

30°

- 正向电流（mA ）

100

= 100

/T = 0.001

40°

1.0

0.9

0.8

0.7

50°

60°

70°

80°

0.6

0.4

0.2

18873

- 前进

电压

(V)

8883

图。 4 - 正向电流与正向电压

图。 7 - 相对辐射强度对比角位移

1000

- 辐射强度（毫瓦/ SR ）

100

0.1

16961

- 正向电流（mA ）

图。 5 - 辐射强度与正向电流

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173

- 角位移

TSHF4410

威世半导体

高速红外发光二极管，符合RoHS

标准， 890纳米， GaAlAs的双异质

包装尺寸

以毫米为单位

± 0.15

3.2

1.4 （球）

± 0.3

± 0.1

4.5

3.5

(2.5)

< 0.6

± 0.5

30.3

5.8

± 0.3

地区没有飞机

2.9

± 0.1

± 0.25

0.4

+ 0.15

- 0.05

0.6

± 0.15

2.54喃。

技术图纸

根据DIN

特定网络阳离子

水彩编号： 6.544-5255.01-4

问题： 6 ; 08年7月24日

95 10913

1.5

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174

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关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识

的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明

关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的

产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数

数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有

工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证

技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，

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文档编号： 91000

修订： 11 -MAR- 11