TSHA6500 ， TSHA6501 ， TSHA6502 ， TSHA6503
威世半导体
红外发光二极管，符合RoHS ， 875纳米， GaAlAs的
特点
包装类型：含铅
包装形式： T- 1.75
尺寸（单位：mm） ： 5
峰值波长：
λ
p
= 875 nm的
高可靠性
半强度角：
= ± 24°
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
94
8389
与硅光电探测器良好的光谱匹配
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
同
描述
该TSHA650 。系列红外， 875 nm的发光二极管
GaAlAs的技术，模压在透明，不着色的塑料
封装。
应用
红外线遥控器和免费的无线数据传输
有舒适的照射角度系统
该发射器系列是专门为系统中的窗格
发射器和检测器之间的传输空间，
因为在玻璃875纳米辐射的低吸收的
产品概述
部件
TSHA6500
TSHA6501
TSHA6502
TSHA6503
I
e
（毫瓦/ SR）
20
25
30
35
（度）
± 24
± 24
± 24
± 24
λ
P
（纳米）
875
875
875
875
t
r
（纳秒）
600
600
600
600
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
TSHA6500
TSHA6501
TSHA6502
TSHA6503
记
最小起订量：最小起订量
包装
体积
体积
体积
体积
备注
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
包装形式
T-1
T-1
T-1
T-1
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
价值
5
100
200
2.5
180
单位
V
mA
mA
A
mW
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166
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81022
修订版1.7 ， 05月， 08
TSHA6500 ， TSHA6501 ， TSHA6502 ， TSHA6503
红外发光二极管，符合RoHS ，
威世半导体
875纳米， GaAlAs的
绝对最大额定值
参数
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
t
≤
5秒2毫米的情况下
J- STD- 051 ，导致7毫米，焊接在PCB
测试条件
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
230
单位
°C
°C
°C
°C
K / W
200
180
120
100
80
R
thJA
= 230 K / W
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
21143
P
V
- 功耗（MW ）
140
120
100
80
60
40
20
0
R
thJA
= 230 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
160
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
21142
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 1.5 A
I
F
= 100毫安
I
F
= 1.5 A
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 20毫安
符号
V
F
TK
VF
I
R
C
j
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
r
t
f
t
f
d
20
- 0.7
± 24
875
80
0.2
600
300
600
300
2.2
分钟。
典型值。
1.5
- 1.6
100
马克斯。
1.8
单位
V
毫伏/ K
A
pF
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
ns
ns
mm
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TSHA6500 ， TSHA6501 ， TSHA6502 ， TSHA6503
威世半导体
红外发光二极管，符合RoHS ，
875纳米， GaAlAs的
专用型特点
参数
测试条件
部分
TSHA6500
正向电压
I
F
= 1.5 A，T
p
= 100 s
TSHA6501
TSHA6502
TSHA6503
TSHA6500
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
辐射强度
I
F
= 1.5 A，T
p
= 100 s
TSHA6501
TSHA6502
TSHA6503
TSHA6500
TSHA6501
TSHA6502
TSHA6503
TSHA6500
辐射功率
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
TSHA6501
TSHA6502
TSHA6503
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
符号
V
F
V
F
V
F
V
F
I
e
I
e
I
e
I
e
I
e
I
e
I
e
I
e
φ
e
φ
e
φ
e
φ
e
12
16
20
24
150
200
250
300
分钟。
典型值。
3.2
3.2
3.2
3.2
20
25
30
35
240
300
360
420
22
23
24
25
马克斯。
4.9
4.9
4.5
4.5
60
60
60
60
单位
V
V
V
V
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
mW
mW
mW
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
1
10
4
I
FSM
= 2.5 A（单暂停）
t
p
/T= 0.01
10
0
0.05
0.1
0.2
0.5
10
-1
10
-2
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（ A）
10
3
t
p
= 100
s
t
p
/T= 0.001
10
2
10
1
10
-1
10
0
10
1
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
10
2
94
8005
0
1
2
3
4
94
8003
V
F
- 前进
电压
(V)
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 4 - 正向电流与正向电压
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TSHA6500 ， TSHA6501 ， TSHA6502 ， TSHA6503
红外发光二极管，符合RoHS ，
威世半导体
875纳米， GaAlAs的
1.2
V
F REL
- 相对正向
电压
(V)
1.1
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
1.6
1.2
I
ê相对
;
Φ
ê相对
I
F
= 20毫安
0.8
0.4
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
94
8020
0
- 10 0 10
50
100
140
94 7990
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 相对正向电压与环境温度
图。 8 - 相对辐射强度/功率随环境温度
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
Φ
e
- 相对辐射功率
1.25
持tSHA 6503
持tSHA 6502
1.0
100
0.75
0.5
持tSHA 6501
10
持tSHA 6500
1
10
0
0.25
I
F
= 100毫安
Φ
e
(
λ
)
REL
=
Φ
e
(
λ
) /
Φ
e
(
λ
p
)
0
780
880
λ
-
Wavelenght
（纳米）
980
94
8746
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
94
8000
图。 6 - 辐射强度与正向电流
图。 9 - 相对辐射功率与波长
0°
10°
20°
30°
1000
I
ê相对
- 相对辐射强度
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
100
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
10
1
0.1
10
0
94
8015
e
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
94
8016
e
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
图。 7 - 辐射功率与正向电流
图。 10 - 相对辐射强度对比角位移
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TSHA6500 ， TSHA6501 ， TSHA6502 ， TSHA6503
威世半导体
红外发光二极管，符合RoHS ，
875纳米， GaAlAs的
包装尺寸
以毫米为单位
A
C
5.8
± 0.15
± 0.15
2.49 （球）
(4.4)
± 0.3
7.7
< 0.7
8.7
35.2
± 0.55
地区没有飞机
5
± 0.15
0.6
+ 0.2
- 0.1
1.5
± 0.25
0.5
+ 0.15
- 0.05
0.5
+ 0.15
- 0.05
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
2.54喃。
6.544-5259.08-4
问题： 2 ; 98年8月25日
14436
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170
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