TSHA6200 ， TSHA6201 ， TSHA6202 ， TSHA6203
威世半导体
红外发光二极管， 875纳米， GaAlAs的
特点
套餐类型：含铅
包装形式： T- 1.75
外形尺寸（单位：mm） ： 5
峰值波长：
λ
p
= 875 nm的
高可靠性
半强度角：
= ± 12°
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
与硅光电探测器良好的光谱匹配
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
94
8389
in
描述
该TSHA620 。系列红外， 875 nm的发光二极管
GaAlAs的技术，模压在透明，不着色的塑料
封装。
应用
红外线遥控器和免费的无线数据传输
系统
该发射器系列是专门为系统中的窗格
发射器和检测器之间的传输空间，
因为在玻璃875纳米辐射的低吸收的
产品概述
部件
TSHA6200
TSHA6201
TSHA6202
I
e
（毫瓦/ SR）
40
50
60
（度）
± 12
± 12
± 12
± 12
λ
P
（纳米）
875
875
875
875
t
r
（纳秒）
600
600
600
600
TSHA6203
65
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
TSHA6200
TSHA6201
TSHA6202
TSHA6203
记
最小起订量：最小起订量
包装
体积
体积
体积
体积
备注
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
包装形式
T-1
T-1
T-1
T-1
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
文档编号： 81021
修订版1.8 ， 25军， 09
t
≤
5秒2毫米的情况下
J- STD- 051 ，导致7毫米，焊接在PCB
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
2.5
180
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
230
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
TSHA6200 ， TSHA6201 ， TSHA6202 ， TSHA6203
威世半导体
红外发光二极管， 875纳米，
砷化镓铝
200
180
120
100
80
R
thJA
= 230 K / W
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
21143
P
V
- 功耗（MW ）
140
120
100
80
60
40
20
0
R
thJA
= 230 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
160
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
21142
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 1 A
I
F
= 100毫安
I
F
= 1 A
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 20毫安
符号
V
F
TK
VF
I
R
C
j
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
r
t
f
t
f
d
20
- 0.7
± 12
875
80
0.2
600
300
600
300
3.7
分钟。
典型值。
1.5
- 1.6
100
马克斯。
1.8
单位
V
毫伏/ K
A
pF
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
ns
ns
mm
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81021
修订版1.8 ， 25军， 09
TSHA6200 ， TSHA6201 ， TSHA6202 ， TSHA6203
红外发光二极管， 875纳米，
砷化镓铝
专用型特点
参数
测试条件
部分
TSHA6200
正向电压
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
TSHA6201
TSHA6202
TSHA6203
TSHA6200
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
辐射强度
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
TSHA6201
TSHA6202
TSHA6203
TSHA6200
TSHA6201
TSHA6202
TSHA6203
TSHA6200
辐射功率
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
TSHA6201
TSHA6202
TSHA6203
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
符号
V
F
V
F
V
F
V
F
I
e
I
e
I
e
I
e
I
e
I
e
I
e
I
e
φ
e
φ
e
φ
e
φ
e
25
30
36
50
200
260
330
400
分钟。
典型值。
2.8
2.8
2.8
2.8
40
50
60
65
330
400
460
530
22
23
24
25
马克斯。
3.5
3.5
3.5
3.5
125
125
125
125
单位
V
V
V
V
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
mW
mW
mW
威世半导体
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
1
10
4
I
F
- 正向电流（ A）
I
FSM
= 2.5 A（单暂停）
t
p
/T= 0.01
10
0
0.05
0.1
0.2
0.5
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
I
F
- 正向电流（mA ）
10
3
t
p
= 100
s
t
p
/T= 0.001
10
2
10
1
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
94
8005
0
1
2
3
4
94
8003
V
F
- 前进
电压
(V)
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 4 - 正向电流与正向电压
文档编号： 81021
修订版1.8 ， 25军， 09
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
TSHA6200 ， TSHA6201 ， TSHA6202 ， TSHA6203
威世半导体
红外发光二极管， 875纳米，
砷化镓铝
1.2
V
F REL
- 相对正向
电压
(V)
1.6
1.1
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
I
ê相对
;
Φ
ê相对
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
0.4
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
94
8020
0
- 10 0 10
50
100
140
94 7990
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 相对正向电压与环境温度
图。 8 - 相对辐射强度/功率随环境温度
1000
持tSHA 6203
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
持tSHA 6202
100
持tSHA 6201
10
持tSHA 6200
1
10
0
94
8745
1.25
Φ
e
- 相对辐射功率
1.0
0.75
0.5
0.25
I
F
= 100毫安
Φ
e
(
λ
)
REL
=
Φ
e
(
λ
) /
Φ
e
(
λ
p
)
0
780
880
λ
-
Wavelenght
（纳米）
980
10
1
10
2
10
3
10
4
94
8000
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 6 - 辐射强度与正向电流
图。 9 - 相对辐射功率与波长
1000
0°
10°
20°
30°
I
ê相对
- 相对辐射强度
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
100
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
10
1
0.1
10
0
94
8007
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
94
8008
0.6
0.4
0.2
0
图。 7 - 辐射功率与正向电流
图。 10 - 相对辐射强度对比角位移
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81021
修订版1.8 ， 25军， 09
- 角位移
TSHA6200 ， TSHA6201 ， TSHA6202 ， TSHA6203
红外发光二极管， 875纳米，
砷化镓铝
包装尺寸
以毫米为单位
威世半导体
A
C
7.7 ± 0.15
5.8 ± 0.15
R2.49 （球）
8.7
± 0.3
(5.1)
< 0.7
35.9 ± 0.55
地区没有飞机
5 ± 0.15
+ 0.2
0.6 - 0.1
1分钟。
+ 0.15
0.5 - 0.05
+ 0.15
0.5 - 0.05
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
2.54喃。
水彩编号： 6.544-5259.04-4
问题：
8;
19.05.09
96 12125
文档编号： 81021
修订版1.8 ， 25军， 09
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
5
TSHA620.
威世德律风根
GaAlAs的红外发光二极管的直径5毫米（ T-1
)
包
描述
该TSHA620 。系列是高效率红外线但排放
婷二极管的GaAlAs的GaAlAs的技术，成型
在一个清晰，未着色的塑料封装。
在与砷化镓的标准比较砷化镓
这些技术的高强度发射功能有关
70％的辐射功率的提高。
与此相反的TSHA520 。铅系列支座是
省略。
94 8389
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
超高辐射功率和辐射强度
适用于高脉冲电流运行
标准T -1
（直径5毫米）的封装
没有对峙形成的引线
半强度角
=
±
12
°
峰值波长
l
p
= 875 nm的
高可靠性
良好的光谱匹配Si光电探测器
应用
具有高功率，传输距离远重红外遥控和自由的空气传输系统
quirements与PIN光电二极管或光敏晶体管的组合。
因为降低的光辉吸收玻璃在875纳米的波长的光，这个发射器系列也
适于与发射器和检测器之间的传输范围窗格系统。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
2.5
210
100
–55...+100
–55...+100
260
350
单位
V
mA
mA
A
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
m
s
t
p
= 100
m
s
t
x
5秒，从2毫米的情况下，
文档编号81021
第2版， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
TSHA6200 ， TSHA6201 ， TSHA6202 ， TSHA6203
威世半导体
红外发光二极管，符合RoHS ， 875纳米， GaAlAs的
特点
包装类型：含铅
包装形式： T- 1.75
尺寸（单位：mm） ： 5
峰值波长：
λ
p
= 875 nm的
高可靠性
半强度角：
= ± 12°
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
94
8389
与硅光电探测器良好的光谱匹配
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
同
描述
该TSHA620 。系列红外， 875 nm的发光二极管
GaAlAs的技术，模压在透明，不着色的塑料
封装。
应用
红外线遥控器和免费的无线数据传输
系统
该发射器系列是专门为系统中的窗格
发射器和检测器之间的传输空间，
因为在玻璃875纳米辐射的低吸收的
产品概述
部件
TSHA6200
TSHA6201
TSHA6202
TSHA6203
I
e
（毫瓦/ SR）
40
50
60
65
（度）
± 12
± 12
± 12
± 12
λ
P
（纳米）
875
875
875
875
t
r
（纳秒）
600
600
600
600
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
TSHA6200
TSHA6201
TSHA6202
TSHA6203
记
最小起订量：最小起订量
包装
体积
体积
体积
体积
备注
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
包装形式
T-1
T-1
T-1
T-1
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
价值
5
100
200
2.5
180
单位
V
mA
mA
A
mW
文档编号： 81021
修订版1.6 ， 05月， 08
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
161
TSHA6200 ， TSHA6201 ， TSHA6202 ， TSHA6203
威世半导体
红外发光二极管，符合RoHS ，
875纳米， GaAlAs的
绝对最大额定值
参数
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
t
≤
5秒2毫米的情况下
J- STD- 051 ，导致7毫米，焊接在PCB
测试条件
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
230
单位
°C
°C
°C
°C
K / W
200
180
120
100
80
R
thJA
= 230 K / W
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
21143
P
V
- 功耗（MW ）
140
120
100
80
60
40
20
0
R
thJA
= 230 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
160
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
21142
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 1.5 A
I
F
= 100毫安
I
F
= 1.5 A
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 20毫安
符号
V
F
TK
VF
I
R
C
j
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
r
t
f
t
f
d
20
- 0.7
± 12
875
80
0.2
600
300
600
300
3.7
分钟。
典型值。
1.5
- 1.6
100
马克斯。
1.8
单位
V
毫伏/ K
A
pF
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
ns
ns
mm
www.vishay.com
162
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81021
修订版1.6 ， 05月， 08
TSHA6200 ， TSHA6201 ， TSHA6202 ， TSHA6203
红外发光二极管，符合RoHS ，
威世半导体
875纳米， GaAlAs的
专用型特点
参数
测试条件
部分
TSHA6200
正向电压
I
F
= 1.5 A，T
p
= 100 s
TSHA6201
TSHA6202
TSHA6203
TSHA6200
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
辐射强度
I
F
= 1.5 A，T
p
= 100 s
TSHA6201
TSHA6202
TSHA6203
TSHA6200
TSHA6201
TSHA6202
TSHA6203
TSHA6200
辐射功率
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
TSHA6201
TSHA6202
TSHA6203
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
符号
V
F
V
F
V
F
V
F
I
e
I
e
I
e
I
e
I
e
I
e
I
e
I
e
φ
e
φ
e
φ
e
φ
e
25
30
36
50
300
400
500
600
分钟。
典型值。
3.2
3.2
3.2
3.2
40
50
60
65
500
600
700
800
22
23
24
25
马克斯。
4.9
4.9
4.5
4.5
125
125
125
125
单位
V
V
V
V
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
mW
mW
mW
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
1
10
4
I
FSM
= 2.5 A（单暂停）
t
p
/T= 0.01
10
0
0.05
0.1
0.2
0.5
10
-1
10
-2
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（ A）
10
3
t
p
= 100
s
t
p
/T= 0.001
10
2
10
1
10
-1
10
0
10
1
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
10
2
94
8005
0
1
2
3
4
94
8003
V
F
- 前进
电压
(V)
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 4 - 正向电流与正向电压
文档编号： 81021
修订版1.6 ， 05月， 08
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
163
TSHA6200 ， TSHA6201 ， TSHA6202 ， TSHA6203
威世半导体
红外发光二极管，符合RoHS ，
875纳米， GaAlAs的
1.2
V
F REL
- 相对正向
电压
(V)
1.1
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
1.6
1.2
I
ê相对
;
Φ
ê相对
I
F
= 20毫安
0.8
0.4
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
94
8020
0
- 10 0 10
50
100
140
94 7990
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 相对正向电压与环境温度
图。 8 - 相对辐射强度/功率随环境温度
1000
持tSHA 6203
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
持tSHA 6202
100
持tSHA 6201
10
持tSHA 6200
1
10
0
94
8745
1.25
Φ
e
- 相对辐射功率
1.0
0.75
0.5
0.25
I
F
= 100毫安
Φ
e
(
λ
)
REL
=
Φ
e
(
λ
) /
Φ
e
(
λ
p
)
0
780
880
λ
-
Wavelenght
（纳米）
980
10
1
10
2
10
3
10
4
94
8000
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 6 - 辐射强度与正向电流
图。 9 - 相对辐射功率与波长
1000
0°
10°
20°
30°
I
ê相对
- 相对辐射强度
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
100
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
10
1
0.1
10
0
94
8007
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
94
8008
0.6
0.4
0.2
0
图。 7 - 辐射功率与正向电流
图。 10 - 相对辐射强度对比角位移
www.vishay.com
164
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81021
修订版1.6 ， 05月， 08
- 角位移
TSHA6200 ， TSHA6201 ， TSHA6202 ， TSHA6203
红外发光二极管，符合RoHS ，
威世半导体
875纳米， GaAlAs的
包装尺寸
以毫米为单位
96 12125
文档编号： 81021
修订版1.6 ， 05月， 08
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
165
TSHA620.
威世德律风根
GaAlAs的红外发光二极管的直径5毫米（ T-1
)
包
描述
该TSHA620 。系列是高效率红外线但排放
婷二极管的GaAlAs的GaAlAs的技术，成型
在一个清晰，未着色的塑料封装。
在与砷化镓的标准比较砷化镓
这些技术的高强度发射功能有关
70％的辐射功率的提高。
与此相反的TSHA520 。铅系列支座是
省略。
94 8389
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
超高辐射功率和辐射强度
适用于高脉冲电流运行
标准T -1
（直径5毫米）的封装
没有对峙形成的引线
半强度角
=
±
12
°
峰值波长
l
p
= 875 nm的
高可靠性
良好的光谱匹配Si光电探测器
应用
具有高功率，传输距离远重红外遥控和自由的空气传输系统
quirements与PIN光电二极管或光敏晶体管的组合。
因为降低的光辉吸收玻璃在875纳米的波长的光，这个发射器系列也
适于与发射器和检测器之间的传输范围窗格系统。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
2.5
210
100
–55...+100
–55...+100
260
350
单位
V
mA
mA
A
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
m
s
t
p
= 100
m
s
t
x
5秒，从2毫米的情况下，
文档编号81021
第2版， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
QQ：2881677436 复制
