TSH691
电气特性
T
AMB
= 25
o
C,V
CC
&放大器; V
BIAS
= + 2.7V ,Z
L
= 50
参数
分钟。
电源电流
S21 (V
in
= -20dBm , F = 450MHz的)
S21 (V
in
= -20dBm , F = 900MHz的)
输出功率1dB压缩( F = 450MHz的)
3阶截取点( F = 430MHz的)
S12 (反向隔离@ F = 400MHz的)
S11 (输入回波损耗@ F = 450MHz的)
S11 (输入回波损耗@ F = 900MHz的)
噪声系数@ F = 450MHz的
噪声系数@ F = 900MHz的
R
号(j -a)的
交界处的环境热阻SO8封装
所有参数以分钟。或最大。数字是100 %测试。
TSH691
典型值。
46
20
23
17
12
22
-46
-15
-10
4.5
5.4
140
180
30
马克斯。
单位
mA
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
o
C / W
SO8封装热阻
TAMB ( ° C)
150
135
120
105
90
75
60
45
30
1
2
3
工作电压(V )
Rthmin
Rthmax
设备
压力过大
RIGHT行为
4
5
6
德网络nition
R
号(j -a)的
交界处的环境热阻
o
最高芯片温度Juntion
T
j
( C)
(~ 150
o
C)
T
AMB
(
o
C)环境温度
P
d
(W)
最大耗散功率
(P
d
= 0.75 V
CC
I
CC
)
备注
获得正确的行为时,后续
荷兰国际集团方程得到满足。
T
j
- T
AMB
= P
d
R
号(j -a)的
3/10