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TSH151

宽带宽和MOS输入

单路运算放大器

低失真

增益带宽积： 150MHz的

单位增益稳定

压摆率： 200V / μs的

非常快速建立时间： 70ns的（ 0.1 ％）

非常高的输入阻抗

描述

该TSH151是宽带单片运算

放大器的单位增益内部补偿

稳定。

该TSH151具有非常高的输入阻抗

ANCE （通常大于10

)

允许直接

高阻抗的电源接口。

低失真，高带宽和高线性度

使该放大器适用于RF和视频AP-

并发症。短路保护是由设置

一个内部电流限制电路。

该TSH151具有内部静电放电

（ ESD ）

保护

电路

和

符合

MILSTD883C-Class2.

订货编号

包

产品型号

TSH151I

温度范围

-40°C, +125°C

SO8

（塑料Micropackage ）

引脚连接

（ TOP VIEW ）

偏移空1

反相输入

非反相输入端

偏移空2

7 V

产量

北卡罗来纳州

D =

小外形封装（ SO ） - 也可在带&卷（ DT ）

2000年10月

1/6

TSH151

原理图

7 V

非反相

输入

国内

REF

产量

反相

输入

OFFSET N1

偏移N2

输入失调电压零电路

TSH151

100k

最大额定值

符号

OPER

电源电压

差分输入电压

输入电压

目前在零偏置引脚

工作自由空气的温度范围内

参数

价值

±7

±5

±20

-40到+125

单位

°C

工作条件

符号

电源电压

共模输入电压范围

参数

价值

±3 ±6

到V

-3

单位

2/6

TSH151

电气特性

= ± 5V ，T

AMB

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

参数

输入失调电压

民

≤

AMB

≤

最大

输入失调电压漂移

民

≤

AMB

≤

马克斯。

输入偏置电流

输入失调电流

电源电流，空载

民

≤

AMB

≤

最大

AVD

ICM

CMR

SVR

±5V

±3V

±6V

±5V

800

300

200

-5至+2

±3

±2.8

±2.9

±2.7

±50

±100

150

100

200

兆赫

V / μs的

分钟。

典型值。

0.5

马克斯。

单位

μV/°C

300

200

大信号电压增益VO = ± 2.5V

∝

= 100

= 50

输入共模电压范围

共模抑制比V

= V

ICM分钟。

电源电压抑制比V

= ± 5V至± 3V

输出电压

= 100

1300

850

650

-5.5到+2.5

100

+3.5

-3.7

+3.3

-3.5

V/V

民

≤

AMB

≤

最大

英镑

= 50

= 100

= 50

输出短路电流西元= ± 1V ， VO = 0V

增益带宽积

VCL

= 100, R

= 100, C

= 15pF的， F =为7.5MHz

转换速率V

= ± 2V ，A

VCL

= 1, R

= 100, C

= 15pF的

等效输入噪声电压

= 50

= 1kHz时

= 1k0Hz

= 100kHz的

= 1MHz的

冲V

= ± 2V ，A

VCL

= 1, R

= 100, C

= 15pF的

建立时间0.1 ％

= ± 1V ，A

VCL

= -1

上升和下降时间（见注1）

= ± 100mV的，A

VCL

= 2

延迟时间（见注1 ）

= ± 100mV的，A

VCL

= 2

相位裕

= 1, R

= 100, C

= 15pF的

总谐波失真

VCL

= 10 ， F = 1kHz时，V

= ± 2.5V ，无负载

全功率带宽

VO = 5VPP ，R

= 100

VO = 2Vpp ，R

= 100

-------------------

OPP

18.2

18.1

18.2

0.02

纳伏/赫兹÷

, t

φm

THD

度

FPB

兆赫

1.请参见测试波形图

2.全功率带宽=

3/6

TSH151

测试波形

评估电路

+5V

10F

边缘幅度为0.1％

10nF

输入

产量

10nF

90%

50%

10%

-5V

10F

印刷电路板布局

对于任何高频设备，几条规则必须

可以观察到，当设计PCB ，以获得

从这个高速运算放大器的最佳性能。

从最高到最低的要点：

每个电源导线必须逐

传递给地面一个10nF的陶瓷钙

pacitor非常接近的设备和10μF

钽电容。

以提供低电感和低resist-

ANCE公共回路，使用地平面

或公共点换取权力和显

宇空。

所有导线必须是宽，短POS-

sible尤其是对运算放大器的输入端。这是在

命令以减小寄生电容

和电感。

用小的电阻值，以减少时间

常数与寄生电容。

选择元件尺寸小POS-

sible （SMD）。

在输出时，减小电容负载，从而

为了避免电路的稳定性退化

这可能会导致振荡。您还可以

为了最大限度地减少加串联电阻的

的影响。

一个可以同时增加反馈重

体管几个pF的陶瓷电容C

调整

ED优化建立时间。

4/6

TSH151

宏

适用于： TSH151I

**标准线性IC宏模型， 1993年。

**连接：

* 1反相输入端

* 2非反相输入端

* 3输出

* 4 POSITIVEPOWER供应

* 5负电源

.SUBCKT TSH151 1 3 2 4 5 （模拟）

********************************************************

.MODEL MDTH D是= 1E - 8 KF = 3.322525E - 14

CJO=10F

*输入级

RESD1 2 202 150

RESD2 1 201 150

CIP 202 5 10.000000E - 12

CIN 201 5 10.000000E - 12

EIP 10 5 202 5 1

EIN 16 5 201 5 1

RIP 10 11 2.600000E -01

RIN 15 16 2.600000E -01

RIS 11月15日1.683423E -01

DIP 11 12 MDTH 400E -12

DIN 15 14 MDTH 400E - 12

VOFP 12 13 DC 0.000000E + 00

VOFN 13 14 DC 0

IPOL 13 5 1.000000E -03

CPS 11 15 8E- 09

DINN 17 13 MDTH 400E - 12

电气特性

= ± 5V ，T

AMB

= 25 ° C（除非另有specificed ）

符号

ICM

SINK

来源

英镑

φm

= 100

= 0V

= 100, C

= 15pF的

= 100, C

= 15pF的

= 100, C

= 15pF的

= -1 0.1％

= 100

空载

条件

价值

1.18

-5 2.5

+3.6

-3.6

108

130

172

单位

V / MV

兆赫

V / μs的

度

5/6

VIN 17 5 1.500000e + 00

DINR 15 18 MDTH 400E - 12

VIP 4月18日5.000000E -01

FCP 4 5 VOFP 2.200000E + 01

FCN 5 4 VOFN 2.200000E + 01

*放大级

FIP 5月19日VOFP 3.800000E + 02

FIN 5月19日VOFN 3.800000E + 02

RG1 19 5 1.455096E + 03

RG2 19 4 1.455096E + 03

CC 19 29 2.000000E -09

HZTP 29 30 VOFP 100

HZTN 30 5 VOFN 100

DOPM 19 22 MDTH 400E - 12

DONM 21 19 MDTH 400E - 12

HOPM 22 28 VOUT 5.000000E + 02

VIPM 28 4 5.000000E + 01

HONM 21 27 VOUT 5.000000E + 02

VINM 5月27日5.000000E + 01

EOUT 26 23 19 5 1

VOUT 23 5 0

ROUT 26 3 9.978126E + 00

COUT 3 5 1.000000E - 13

DOP 19 25 MDTH 400E - 12

VOP 4月25日1.946965E + 00

DON 24 19 MDTH 400E - 12

VON 24 5 1.946965E + 00

.ENDS