【TSH150宽带宽和双极性输入单路运算放大器sssss低失真增益带宽积： 150MHz的单位增益稳定】,IC型号TSH150IDT,TSH150IDT PDF资料,TSH150IDT经销商,ic,电子元器件-51电子网

TSH150

宽带宽和双极性输入

单路运算放大器

低失真

增益带宽积： 150MHz的

单位增益稳定

压摆率： 190V / μs的

非常快速建立时间： 20ns的（ 0.1 ％）

SO8

（塑料Micropackage ）

描述

该TSH150是宽带单片运算

放大器的单位增益内部补偿

稳定。

低噪声和低失真，高带宽和

高线性度使该放大器适用于RF

和视频应用。短路保护

通过内部限流电路提供。

该TSH150具有内部静电放电

（ ESD ）

保护

电路

和

符合

MILSTD883C-Class2.

引脚连接

（ TOP VIEW ）

偏移空1

偏移空2

订货编号

包

产品型号

TSH150I

温度范围

-40°C, +125°C

反相输入

非反相输入端

7 V

产量

北卡罗来纳州

D =

小外形封装（ SO ） - 也可在带&卷（ DT ）

2000年10月

1/6

TSH150

原理图

7 V

非反相

输入

国内

REF

产量

反相

输入

OFFSET N1

偏移N2

输入失调电压零电路

TSH150

100k

最大额定值

符号

OPER

英镑

电源电压

差分输入电压

输入电压

电流输入

目前在零偏置引脚

工作自由空气的温度范围内

存储温度范围

参数

价值

±7

±5

±50

±20

-40到+125

-65到+150

单位

°C

工作条件

符号

电源电压

共模输入电压范围

参数

价值

±3 ±6

2到V

-1

单位

2/6

TSH150

电气特性

= ± 5V ，T

AMB

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

参数

输入失调电压

民

≤

AMB

≤

最大

输入失调电压漂移

民

≤

AMB

≤

马克斯。

输入偏置电流

输入失调电流

电源电流，空载

民

≤

AMB

≤

最大

AVD

ICM

CMR

SVR

±5V

±3V

±6V

±5V

800

300

200

-3到+4

±3

±2.8

±2.9

±2.7

±50

±100

150

100

190

兆赫

V / μs的

分钟。

典型值。

0.3

马克斯。

单位

μV/°C

0.1

大信号电压增益VO = ± 2.5V

∝

= 100

= 50

输入共模电压范围

共模抑制比V

= V

ICM分钟。

电源电压抑制比V

= ± 5V至± 3V

输出电压

= 100

1300

850

650

-3.5到+4.5

100

+3.5

-3.7

+3.3

-3.5

V/V

民

≤

AMB

≤

最大

英镑

= 50

= 100

= 50

输出短路电流西元= ± 1V ， VO = 0V

增益带宽积

VCL

= 100, R

= 100, C

= 15pF的， F =为7.5MHz

转换速率V

= ± 2V ，A

VCL

= 1, R

= 100, C

= 15pF的

等效输入噪声电压

= 50

= 1kHz时

= 1k0Hz

= 100kHz的

= 1MHz的

冲V

= ± 2V ，A

VCL

= 1, R

= 100, C

= 15pF的

建立时间0.1 ％

= ± 1V ，A

VCL

= -1

上升和下降时间（见注1）

= ± 100mV的，A

VCL

= 2

延迟时间（见注1 ）

= ± 100mV的，A

VCL

= 2

相位裕

= 1, R

= 100, C

= 15pF的

总谐波失真

VCL

= 10 ， F = 1kHz时，V

= ± 2.5V ，无负载

全功率带宽

VO = 5VPP ，R

= 100

VO = 2Vpp ，R

= 100

-------------------

OPP

6.5

6.2

5.5

3.5

2.5

0.02

纳伏/赫兹÷

, t

φm

THD

度

FPB

兆赫

1.请参见测试波形图

2.全功率带宽=

3/6

TSH150

测试波形

评估电路

+5V

10F

边缘幅度为0.1％

10nF

输入

产量

90%

50%

10nF

10%

-5V

10F

印刷电路板布局

对于任何高频设备，几条规则必须

可以观察到，当设计PCB ，以获得

从这个高速运算放大器的最佳性能。

从最高到最低的要点：

每个电源导线必须逐

传递给地面一个10nF的陶瓷钙

pacitor非常接近的设备和10μF

钽电容。

以提供低电感和低resist-

ANCE公共回路，使用地平面

或公共点换取权力和显

宇空。

所有导线必须是宽，短POS-

sible尤其是对运算放大器的输入端。这是在

命令以减小寄生电容

和电感。

用小的电阻值，以减少时间

常数与寄生电容。

选择元件尺寸小POS-

sible （SMD）。

在输出时，减小电容负载，从而

为了避免电路的稳定性退化

这可能会导致振荡。您还可以

为了最大限度地减少加串联电阻的

的影响。

一个可以同时增加反馈重

体管几个pF的陶瓷电容C

调整

ED优化建立时间。

4/6

TSH150

宏

适用于： TSH150I

**标准线性IC宏模型， 1993年。

**连接：

* 1反相输入端

* 2非反相输入端

* 3输出

* 4 POSITIVEPOWER供应

* 5负电源

.SUBCKT TSH150 1 3 2 4 5 （模拟）

********************************************************

.MODEL MDTH D是= 1E - 8 KF = 1.568191E - 15

CJO=10F

*输入级

CIP 2 5 1.000000E - 12

CIN 1 5 1.000000E - 12

EIP 10 5 2 5 1

EIN 16 5 1 5 1

RIP 10 11 1.040000E + 02

RIN 15 16 1.040000E + 02

RIS 11月15日3.264539E + 02

DIP 11 12 MDTH 400E -12

DIN 15 14 MDTH 400E - 12

VOFP 12 13 DC -9.162265E -05

VOFN 13 14 DC 0

IPOL 13 5 1.000000E -03

CPS 11月15日5.757255E - 12

DINN 17 13 MDTH 400E - 12

VIN 17 5 1.5000000e + 00

电气特性

= ± 5V ，T

AMB

= 25 ° C（除非另有specificed ）

符号

ICM

SINK

来源

英镑

φm

= 100

= 0V

= 100, C

= 15pF的

= 100, C

= 15pF的

= 100, C

= 15pF的

= -1 0.1％

= 100

空载

条件

价值

-3.5 4.5

+3.6

-3.6

108

147

180

22.6

单位

V / MV

兆赫

V / μs的

度

5/6

DINR 15 18 MDTH 400E - 12

VIP 4月18日0.500000E + 00

FCP 4 5 VOFP 2.200000E + 01

FCN 5 4 VOFN 2.200000E + 01

FIBP 2 5 VOFP 1.000000E -02

FIBN 5 1 VOFN 1.000000E -02

*放大级

FIP 5月19日VOFP 4.370000E + 02

FIN 5月19日VOFN 4.370000E + 02

RG1 19 5 1.124121E + 03

RG2 19 4 1.124121E + 03

CC 19 29 2.000000E -09

HZTP 30 29 VOFP 5.574976E + 01

HZTN 5月30日VOFN 5.574976E + 01

DOPM 19 22 MDTH 400E - 12

DONM 21 19 MDTH 400E - 12

HOPM 22 28 VOUT 5.000000E + 02

VIPM 28 4 5.000000E + 01

HONM 21 27 VOUT 5.000000E + 02

VINM 5月27日5.000000E + 01

EOUT 26 23 19 5 1

VOUT 23 5 0

ROUT 26 3 2.180423E + 01

COUT 3 5 1.000000E - 12

DOP 19 25 MDTH 400E - 12

VOP 4月25日1.511965E + 00

DON 24 19 MDTH 400E - 12

VON 24 5 1.511965E + 00

.ENDS