【TSFF6410威世半导体高速红外发光二极管， 870纳米， GaAlAs的双异质特点套餐类型：含铅】,IC型号TSFF6410,TSFF6410 PDF资料,TSFF6410经销商,ic,电子元器件-51电子网

TSFF6410

威世半导体

高速红外发光二极管， 870纳米， GaAlAs的双异质

特点

套餐类型：含铅

包装形式： T- 1.75

尺寸（单位为毫米）：

峰值波长：

= 870 nm的

高可靠性

高辐射功率

高辐射强度

半强度角：

= ± 22°

低正向电压

适用于高脉冲电流运行

高调制带宽：F

= 24 MHz的

良好的光谱匹配Si光电探测器

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

无卤素，符合IEC 61249-2-21定义

8389

描述

TSFF6410是红外线， 870 nm的发射中的GaAlAs二极管

双异质（ DH）技术，具有较高的辐射功率和

高速，成型于清，未着色的塑料封装。

应用

摄像机之间的红外视频数据传输和

电视机

具有高调制自由空气数据传输系统

频率或高数据传输率的要求

产品概述

部件

TSFF6410

（毫瓦/ SR）

（度）

± 22

（纳米）

870

（纳秒）

记

测试条件见附表“基本特征”

订购信息

订购代码

TSFF6410

记

最小起订量：最小起订量

包装

体积

备注

最小起订量： 4000件， 4000件/散装

包装形式

T-1

绝对最大额定值

参数

反向电压

正向电流

最大正向电流

正向电流浪涌

功耗

结温

工作温度范围

存储温度范围

焊接温度

热阻结/环境

记

AMB

= 25℃，除非另有说明

文档编号： 81126

修订版1.1 ， 29军， 09

如有技术问题，请联系：

emittertechsupport@vishay.com

www.vishay.com

≤

5秒2毫米的情况下

J- STD- 051 ，导致7毫米，焊接在PCB

/T = 0.5, t

= 100 s

测试条件

符号

FSM

AMB

英镑

thJA

价值

100

200

180

100

- 40至+ 85

- 40至+ 100

260

230

单位

°C

K / W

TSFF6410

威世半导体

高速红外发光二极管，

870纳米， GaAlAs的双异质

200

180

120

100

thJA

= 230 K / W

90 100

21143

- 功耗（MW ）

160

140

120

100

thJA

= 230 K / W

- 正向电流（mA ）

20 30 40

50 60 70

90 100

21142

AMB

- 环境温度（ ° C）

AMB

- 环境温度（ ° C）

图。 1 - 功耗极限 - 环境温度

图。 2 - 正向电流限制与环境温度

基本特征

参数

正向电压

V温度COEF网络cient

反向电流

结电容

辐射强度

辐射功率

温度COEF网络cient

半强度角

峰值波长

光谱带宽

温度COEF网络cient

上升时间

下降时间

截止频率

虚拟源直径

记

AMB

= 25℃，除非另有说明

= 100毫安

= 70 mA时，我

= 30毫安页

测试条件

= 100毫安，吨

= 20毫秒

= 1 A，T

= 100 s

= 1毫安

= 5 V

= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0

= 100毫安，吨

= 20毫秒

= 1 A，T

= 100 s

= 100毫安，吨

= 20毫秒

= 100毫安

符号

TK =

Δλ

TK =

125

700

- 0.35

± 22

870

0.25

2.1

135

分钟。

典型值。

1.5

2.3

- 1.8

马克斯。

1.8

3.0

单位

毫伏/ K

毫瓦/ SR

%/K

度

纳米/ K

兆赫

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文档编号： 81126

修订版1.1 ， 29军， 09

TSFF6410

高速红外发光二极管，

威世半导体

870纳米， GaAlAs的双异质

基本特征

AMB

= 25℃，除非另有说明

0.02

ê相对

- 相对辐射功率

1000

/T = 0.01

AMB

< 50℃

1.25

1.0

- 正向电流（mA ）

0.05

0.1

0.75

0.5

0.2

0.5

100

0.01

0.25

780

0.1

100

880

波长

（纳米）

980

16031

- 脉冲持续时间（毫秒）

95 9886

图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间

图。 6 - 相对辐射功率与波长

0°

10°

20°

30°

1000

ê相对

- 相对辐射强度

- 正向电流（mA ）

100

= 100

/T = 0.001

40°

1.0

0.9

0.8

0.7

50°

60°

70°

80°

0.6

0.4

0.2

18873

- 前进

电压

(V)

8883

图。 4 - 正向电流与正向电压

图。 7 - 相对辐射强度对比角位移

1000

- 辐射强度（毫瓦/ SR ）

, I

- 衰减量（dB ）

100

-1

-2

-3

-4

-5

FDC

= 70毫安

FAC

= 30毫安页

0.1

18220

100

- 正向电流（mA ）

1000

14256

的F - 频率（KHz ）

图。 5 - 辐射强度与正向电流

图。 8 - 衰减与频率的关系

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- 角位移

TSFF6410

威世半导体

高速红外发光二极管，

870纳米， GaAlAs的双异质

包装尺寸

以毫米为单位

5.8 ± 0.15

7.7 ± 0.15

8.7

± 0.3

(3.5)

2.49 （球）

34.3 ± 0.55

< 0.7

地区没有飞机

+ 0.2

0.6 - 0.1

5 ± 0.15

1分钟。

0.15

0.5 + 0.05

2.54喃。

0.15

0.5 + 0.05

技术图纸

根据DIN

特定网络阳离子

水彩编号： 6.544-5259.06-4

问题： 6 ; 09年5月19日

19257

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修订版1.1 ， 29军， 09

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的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明

关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的

产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数

数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有

工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证

技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，

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文档编号： 91000

修订： 11 -MAR- 11