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TSDF2005W
威世半导体
25 GHz的硅NPN平面RF晶体管
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
对于低电流,低噪声的应用,比如在射频
前端,在模拟和数字蜂窝和
无绳电话,模拟和数字电视系统
(例如,卫星调谐器) ,在高频振荡器向上
到12 GHz ,在寻呼机和雷达探测器。
特点
D
非常低的噪声音响gure
D
非常高的功率增益
D
高转换频率f
T
= 25 GHz的
D
低反馈电容
D
发射器引脚引出热
1
2
4
3
TSDF2005W标记: YH2
塑料外壳( SOT 343R )
1 =发射器, 2 =基地3 =发射器, 4 =收藏家
16712
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃ ,除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
交界处的环境
上玻璃纤维印刷电路板
( 25 ×20× 1.5 )毫米
3
镀上35
m
Cu
T
AMB

132
°C
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
R
thJA
价值
10
3.5
1.5
12
40
150
-65到+150
450
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
K / W
文档编号85085
第3版, 02月, 02
www.vishay.com
1 (4)
TSDF2005W
威世半导体
电气直流特性
T
AMB
= 25℃ ,除非另有说明
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流正向电流传输比
测试条件
V
CE
= 5 V, V
BE
= 0
V
CB
= 5 V,I
E
= 0
V
EB
= 1 V,I
C
= 0
I
C
= 1毫安,我
B
= 0
I
C
= 5毫安,我
B
- 0.5毫安
V
CE
= 2 V,I
C
= 20毫安
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
V
CESAT
h
FE
50
3.5
0.1
100
0.25
150
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
1
单位
A
nA
A
V
V
AC电气特性
T
AMB
= 25℃ ,除非另有说明
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
功率增益,
最大稳定增益
传感器增益
三阶截点
在输出
1 dB压缩点
*) G
ms
= | S
21e
/S
12e
|
测试条件
V
CE
= 2 V,I
C
= 10 mA时, F = 1 GHz的
V
CB
= 2 V , F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V , F = 1兆赫
V
CE
= 2 V,I
C
= 2毫安,
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
, F = 2 GHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
分钟。
典型值。
25
0.05
0.3
0.3
1.2
21
14
17
15
5
0.08
马克斯。
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
DBM
DBM
集电极 - 发射极电容V
CE
= 2 V , F = 1兆赫
V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安,
G
pe
= G
ms
*)
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
, F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安,
Z
S
= Z
L
= 50
,
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V,I
C
= 10毫安,
Z
S
= Z
L
= 50
,
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V,I
C
= 10毫安,
Z
S
= Z
L
= 50
,
F = 2 GHz的
| S
21e
|
2
IP
3
P
–1dB
www.vishay.com
2 (4)
文档编号85085
第3版, 02月, 02
TSDF2005W
威世半导体
TSDF2005W的mm尺寸
96 12238
文档编号85085
第3版, 02月, 02
www.vishay.com
3 (4)
TSDF2005W
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质排放到该被称为臭氧气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质,并禁止其
在未来十年之内使用。不同的国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用消耗臭氧层物质
下列文件中列出。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧层物质的生产
与不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay
半导体
产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay
半导体
对所有索赔,费用,损失,费用,或直接引起的,
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 67 7131 2423
www.vishay.com
4 (4)
文档编号85085
第3版, 02月, 02
该数据表已经从下载:
www.datasheetcatalog.com
数据表的电子元件。
TSDF2005W
威世半导体
25 GHz的硅NPN平面RF晶体管
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
对于低电流,低噪声的应用,比如在射频
前端,在模拟和数字蜂窝和
无绳电话,模拟和数字电视系统
(例如,卫星调谐器) ,在高频振荡器向上
到12 GHz ,在寻呼机和雷达探测器。
特点
D
非常低的噪声音响gure
D
非常高的功率增益
D
高转换频率f
T
= 25 GHz的
D
低反馈电容
D
发射器引脚引出热
1
2
4
3
TSDF2005W标记: YH2
塑料外壳( SOT 343R )
1 =发射器, 2 =基地3 =发射器, 4 =收藏家
16712
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃ ,除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
交界处的环境
上玻璃纤维印刷电路板
( 25 ×20× 1.5 )毫米
3
镀上35
m
Cu
T
AMB

132
°C
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
R
thJA
价值
10
3.5
1.5
12
40
150
-65到+150
450
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
K / W
文档编号85085
第3版, 02月, 02
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威世半导体
电气直流特性
T
AMB
= 25℃ ,除非另有说明
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流正向电流传输比
测试条件
V
CE
= 5 V, V
BE
= 0
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CB
= 5 V,I
E
= 0
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EB
= 1 V,I
C
= 0
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C
= 1毫安,我
B
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= 5毫安,我
B
- 0.5毫安
V
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= 2 V,I
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= 20毫安
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
V
CESAT
h
FE
50
3.5
0.1
100
0.25
150
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
1
单位
A
nA
A
V
V
AC电气特性
T
AMB
= 25℃ ,除非另有说明
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
功率增益,
最大稳定增益
传感器增益
三阶截点
在输出
1 dB压缩点
*) G
ms
= | S
21e
/S
12e
|
测试条件
V
CE
= 2 V,I
C
= 10 mA时, F = 1 GHz的
V
CB
= 2 V , F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V , F = 1兆赫
V
CE
= 2 V,I
C
= 2毫安,
Z
S
= Z
SOPT
, Z
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= Z
LOPT
, F = 2 GHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
分钟。
典型值。
25
0.05
0.3
0.3
1.2
21
14
17
15
5
0.08
马克斯。
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
DBM
DBM
集电极 - 发射极电容V
CE
= 2 V , F = 1兆赫
V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安,
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= Z
SOPT
, Z
L
= Z
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, F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安,
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F = 2 GHz的
V
CE
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C
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CE
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C
= 10毫安,
Z
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= 50
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F = 2 GHz的
| S
21e
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3
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TSDF2005W的mm尺寸
96 12238
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威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质排放到该被称为臭氧气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质,并禁止其
在未来十年之内使用。不同的国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用消耗臭氧层物质
下列文件中列出。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧层物质的生产
与不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay
半导体
产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay
半导体
对所有索赔,费用,损失,费用,或直接引起的,
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
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电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 67 7131 2423
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TSDF2005W
    -
    -
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    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
TSDF2005W
HAMOS/汉姆
24+
22000
SOT-343
原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TSDF2005W
VISHAY/威世
21+
17600
SOT-343
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
TSDF2005W
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8258
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
TSDF2005W
HAMOS/汉姆
19+
12000
SOT-343
全新原装正品/质量有保证
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