TSDF1250/TSDF1250R/TSDF1250W/TSDF1250RW
威世德律风根
硅NPN平面RF晶体管
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
对于低噪声applicatins如功率放大器，
混频器和振荡器的模拟和数字电视系
电信设备制造商（例如卫星调谐器）到微波
频率。
特点
D
低功耗的应用
D
非常低的噪声音响gure
2
1
D
高转换频率f
T
= 12 GHz的
D
出色的大信号行为
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
TSDF1250标记： F50
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
TSDF1250R标记： 50F
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
2
1
1
2
13 653
13 566
13 654
13 566
3
4
4
3
TSDF1250W标记： WF5
塑料外壳（ SOT 343 ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
TSDF1250RW标记： W5F
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
9
6
2
60
200
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
文档编号85067
牧师5 ， 08 -JUL- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
TSDF1250/TSDF1250R/TSDF1250W/TSDF1250RW
威世德律风根
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板交界处的环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流正向电流传输比
测试条件
V
CE
= 12 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 40毫安
符号最小典型最大单位
I
CES
100
m
A
I
CBO
100 nA的
I
EBO
2
m
A
V
（ BR ） CEO
6
V
V
CESAT
0.1 0.5
V
h
FE
50 100 150
AC电气特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
功率增益
测试条件
V
CE
= 5 V，I
C
= 40 mA时， F = 1 GHz的
V
CB
= 1 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 1 V ， F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 5 V，I
C
= 5毫安，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= 50
W
， F = 2 GHz的
V
CE
= 5 V，I
C
= 5毫安，
F = 2千兆赫（ @F
选择
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 40毫安，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= 50
W
， F = 2 GHz的
V
CE
= 5 V，I
C
= 40毫安，
Z
0
= 50
W
， F = 2 GHz的
V
CE
= 5 V，I
C
= 40 mA时， F = 2 GHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
G
pe
G
pe
S
21e
2
IP
3
民
典型值
12
0.6
0.3
0.7
1.2
11
13.5
12.5
28
最大
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
DBM
传感器增益
在三阶截点
产量
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2 (6)
文档编号85067
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威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编）
C
cb
- 集电极基电容（pF ）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
250
200
150
100
50
0
0
96 12159
1.0
F = 1MHz的
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
2
4
6
8
10
V
CB
- 集电极基极电压（ V）
20
40
60
80
100 120 140 160
16131
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.总功耗对比
环境温度
20
f
T
- 过渡频率（GHz ）
F = 1GHz的
的F - 噪声系数（dB ）
16
12
8
4
0
0
16130
图3.集电极基电容与
集电极 - 基极电压
3.0
V
CE
= 5V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V
CE
= 5V
F = 2GHz的
Z
S
= 50
V
CE
= 2V
10
20
30
40
50
16132
0
5
10
15
20
25
30
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
C
- 集电极电流（mA ）
图2.过渡频率与集电极电流
图4.噪声系数与集电极电流
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TSDF1250/TSDF1250R/TSDF1250W/TSDF1250RW
威世德律风根
TSDF1250的mm尺寸
96 12240
TSDF1250R的mm尺寸
96 12239
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威世德律风根
TSDF1250W的mm尺寸
96 12237
TSDF1250RW的mm尺寸
96 12238
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威世德律风根
硅NPN平面RF晶体管
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
对于低噪声applicatins如功率放大器，
混频器和振荡器的模拟和数字电视系
电信设备制造商（例如卫星调谐器）到微波
频率。
特点
D
低功耗的应用
D
非常低的噪声音响gure
2
1
D
高转换频率f
T
= 12 GHz的
D
出色的大信号行为
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
TSDF1250标记： F50
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
TSDF1250R标记： 50F
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
2
1
1
2
13 653
13 566
13 654
13 566
3
4
4
3
TSDF1250W标记： WF5
塑料外壳（ SOT 343 ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
TSDF1250RW标记： W5F
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
9
6
2
60
200
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
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威世德律风根
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板交界处的环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流正向电流传输比
测试条件
V
CE
= 12 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 40毫安
符号最小典型最大单位
I
CES
100
m
A
I
CBO
100 nA的
I
EBO
2
m
A
V
（ BR ） CEO
6
V
V
CESAT
0.1 0.5
V
h
FE
50 100 150
AC电气特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
功率增益
测试条件
V
CE
= 5 V，I
C
= 40 mA时， F = 1 GHz的
V
CB
= 1 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 1 V ， F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 5 V，I
C
= 5毫安，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= 50
W
， F = 2 GHz的
V
CE
= 5 V，I
C
= 5毫安，
F = 2千兆赫（ @F
选择
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 40毫安，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= 50
W
， F = 2 GHz的
V
CE
= 5 V，I
C
= 40毫安，
Z
0
= 50
W
， F = 2 GHz的
V
CE
= 5 V，I
C
= 40 mA时， F = 2 GHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
G
pe
G
pe
S
21e
2
IP
3
民
典型值
12
0.6
0.3
0.7
1.2
11
13.5
12.5
28
最大
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
DBM
传感器增益
在三阶截点
产量
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典型特征
(T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编）
C
cb
- 集电极基电容（pF ）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
250
200
150
100
50
0
0
96 12159
1.0
F = 1MHz的
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
2
4
6
8
10
V
CB
- 集电极基极电压（ V）
20
40
60
80
100 120 140 160
16131
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.总功耗对比
环境温度
20
f
T
- 过渡频率（GHz ）
F = 1GHz的
的F - 噪声系数（dB ）
16
12
8
4
0
0
16130
图3.集电极基电容与
集电极 - 基极电压
3.0
V
CE
= 5V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V
CE
= 5V
F = 2GHz的
Z
S
= 50
V
CE
= 2V
10
20
30
40
50
16132
0
5
10
15
20
25
30
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
C
- 集电极电流（mA ）
图2.过渡频率与集电极电流
图4.噪声系数与集电极电流
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TSDF1250的mm尺寸
96 12240
TSDF1250R的mm尺寸
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TSDF1250W的mm尺寸
96 12237
TSDF1250RW的mm尺寸
96 12238
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