TSDF1205/TSDF1205R/TSDF1205W/TSDF1205RW
威世德律风根
硅NPN平面RF晶体管
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
对于低噪声，小信号低功耗放大器。
该晶体管具有优越的噪声系数和
在UHF ， VHF和微型相关增益性能
波的频率。
特点
D
低功耗的应用
D
非常低的噪声音响gure
D
高转换频率f
T
= 12 GHz的
2
1
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
TSDF1205标记： F05
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
TSDF1205R标记： 05F
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
2
1
1
2
13 653
13 566
13 654
13 566
3
4
4
3
TSDF1205W标记： WF0
塑料外壳（ SOT 343 ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
TSDF1205RW标记： W0F
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
9
4
2
12
40
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
132
°
C
文档编号85065
牧师5 ， 30军， 00
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
TSDF1205/TSDF1205R/TSDF1205W/TSDF1205RW
威世德律风根
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板交界处的环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流正向电流传输比
测试条件
V
CE
= 12 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
C
= 5毫安，我
B
- 0.5毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安
符号最小典型最大单位
I
CES
100
m
A
I
CBO
100 nA的
I
EBO
2
m
A
V
（ BR ） CEO
4
V
V
CESAT
0.1 0.5
V
h
FE
50 120 250
AC电气特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
功率增益
测试条件
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 1 GHz的
V
CB
= 1 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 1 V ， F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
Z
L
= 50
W
， F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安，
F = 2千兆赫（ @F
选择
)
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
Z
L
= 50
W
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安，Z
0
= 50
W
,
F = 2 GHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
G
pe
G
pe
S
21e
2
民
典型值
12
0.2
0.35
0.15
1.3
13
11.5
12.5
最大
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
传感器增益
www.vishay.de
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2 (6)
文档编号85065
牧师5 ， 30军， 00
TSDF1205/TSDF1205R/TSDF1205W/TSDF1205RW
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
C
cb
- 集电极基电容（pF ）
100
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
80
60
40
20
0
0
14284
0.5
f=1MHz
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
V
CB
- 集电极基极电压（ V）
20
40
60
80
100 120 140 160
14286
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.总功耗对比
环境温度
16
f
T
- 过渡频率（GHz ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
14285
图3.集电极基电容与
集电极 - 基极电压
3.0
f=1GHz
V
CE
=3V
的F - 噪声系数（dB ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
2
4
6
8
10
12
14
14287
V
CE
=2V
f=2GHz
Z
S
=50
W
V
CE
=2V
0
1
2
3
4
5
6
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
C
- 集电极电流（mA ）
图2.过渡频率与集电极电流
图4.噪声系数与集电极电流
文档编号85065
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3 (6)
TSDF1205/TSDF1205R/TSDF1205W/TSDF1205RW
威世德律风根
TSDF1205的mm尺寸
96 12240
TSDF1205R的mm尺寸
96 12239
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4 (6)
文档编号85065
牧师5 ， 30军， 00
TSDF1205/TSDF1205R/TSDF1205W/TSDF1205RW
威世德律风根
TSDF1205W的mm尺寸
96 12237
TSDF1205RW的mm尺寸
96 12238
文档编号85065
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5 (6)
TSDF1205 / 1205R / 1205W / 1205RW
威世半导体
12 GHz的硅NPN平面RF晶体管
2
1
特点
低功耗的应用
非常低的噪声音响gure
e3
高转换频率f
T
= 12 GHz的
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
4
2
SOT-143
SOT-143R
4
2
3
1
SOT-343
应用
对于低噪声，小信号低功耗放大器。
该晶体管具有优越的噪声系数和关联
在超高频，甚高频和微波ated增益性能
频率。
3
1
4
2
SOT-343R
4
3
机械数据
典型值： TSDF1205
案例：
SOT -143塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器，
3 =基地， 4 =发射器
典型值：
TSDF1205R
案例：
SOT- 143R塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器，
3 =基地， 4 =发射器
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
13629
典型值：
TDSF1205W
案例：
SOT- 343塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器，
3 =基地， 4 =发射器
典型值：
TSDF1205RW
案例：
SOT- 343R塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器，
3 =基地， 4 =发射器
零件表
部分
TSDF1205
TSDF1205R
TSDF1205RW
TSDF1205W
F05
05F
WF0
W0F
记号
SOT-143
SOT-143R
SOT-343R
SOT-343
包
文档编号85065
修订版1.5 ， 02月， 05
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1
TSDF1205 / 1205R / 1205W / 1205RW
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
T
AMB
≤
132 °C
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
9
4
2
12
40
150
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
最大热阻
参数
交界处的环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
μm
Cu
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
V
CE
= 12 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
C
= 5毫安，我
B
- 0.5毫安
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
h
FE
50
4
0.1
120
0.5
250
民
典型值。
最大
100
100
2
单位
μA
nA
μA
V
V
直流正向电流传输比V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安
www.vishay.com
2
文档编号85065
修订版1.5 ， 02月， 05
TSDF1205 / 1205R / 1205W / 1205RW
威世半导体
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
功率增益
测试条件
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 1 GHz的
V
CB
= 1 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 1 V ， F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
Z
L
= 50
Ω,
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安， F = 2 GHz的
(@F
选择
)
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
Z
L
= 50
Ω
F = 2 GHz的
传感器增益
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安，Z
0
= 50
Ω,
F = 2 GHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
G
pe
G
pe
|S
21e
|
2
民
典型值。
12
0.2
0.35
0.15
1.3
13
11.5
12.5
最大
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
100
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
C
cb
- 集电极基电容（pF ）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
1
2
3
4
5
V
CB
- 集电极基极电压（ V）
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
14284
14286
图1.总功率耗散与环境温度
图3.集电极基电容与集电极 - 基极电压
16
f
T
- 过渡频率（GHz ）
3.0
F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V
的F - 噪声系数（dB ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
Z
S
= 50
Ω
V
CE
= 2 V
2
4
6
8
10
12
14
14287
0
1
2
3
4
5
6
14285
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
C
- 集电极电流（mA ）
图2.过渡频率与集电极电流
图4.噪声系数与集电极电流
文档编号85065
修订版1.5 ， 02月， 05
www.vishay.com
3
TSDF1205 / 1205R / 1205W / 1205RW
威世半导体
包装尺寸（mm）
96 12239
包装尺寸（mm）
0.50(0.020)
0.35 (0.014)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
0.9 (0.035)
0.75 (0.029)
0.15 (0.006)
0.08 (0.003)
1.4 (0.055)
1.2 (0.047)
3.0 (0.117)
2.8 (0.109)
0...0.1 (0...0.004)
贴装焊盘布局
1.8 (0.070)
1.6 (0.062)
0.65 (0.025)
1.17 (0.046)
ISO方法E
2.0 (0.078)
1.8 (0.070)
96 12240
www.vishay.com
4
2.6 (0.101)
2.4 (0.094)
文档编号85065
修订版1.5 ， 02月， 05
TSDF1205 / 1205R / 1205W / 1205RW
威世半导体
包装尺寸（mm）
96 12237
包装尺寸（mm）
96 12238
文档编号85065
修订版1.5 ， 02月， 05
www.vishay.com
5
不适用于新的设计，这款产品将很快过时
TSDF1205 / 1205R / 1205W / 1205RW
威世半导体
12 GHz的硅NPN平面RF晶体管
2
1
特点
低功耗的应用
非常低的噪声音响gure
e3
高转换频率f
T
= 12 GHz的
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
4
2
SOT143
SOT143R
4
2
3
1
SOT343
应用
对于低噪声，小信号低功耗放大器。
该晶体管具有优越的噪声系数和关联
在超高频，甚高频和微波ated增益性能
频率。
3
1
4
2
SOT343R
机械数据
典型值： TSDF1205
案例：
SOT143塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器，
3 =基地， 4 =发射器
典型值：
TSDF1205R
案例：
SOT143R塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器，
3 =基地， 4 =发射器
4
3
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
13629
典型值：
TDSF1205W
案例：
SOT343塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器，
3 =基地， 4 =发射器
典型值：
TSDF1205RW
案例：
SOT343R塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器，
3 =基地， 4 =发射器
零件表
部分
TSDF1205
TSDF1205R
TSDF1205RW
TSDF1205W
订购代码
TSDF1205-GS08
TSDF1205R-GS08
TSDF1205RW-GS08
TSDF1205W-GS08
F05
05F
W0F
WF0
键入标记
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
文档编号85065
修订版1.7 ， 08 09月08
www.vishay.com
1
TSDF1205 / 1205R / 1205W / 1205RW
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
T
AMB
≤
132 °C
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
9
4
2
12
40
150
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
最大热阻
参数
结到环境空气
1)
1)
测试条件
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35微米铜
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
V
CE
= 12 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
C
= 5毫安，我
B
- 0.5毫安
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
h
FE
50
4
0.1
120
0.5
250
民
典型值。
最大
100
100
2
单位
A
nA
A
V
V
直流正向电流传输比V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安
www.vishay.com
2
文档编号85065
修订版1.7 ， 08 09月08
TSDF1205 / 1205R / 1205W / 1205RW
威世半导体
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
功率增益
测试条件
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 1 GHz的
V
CB
= 1 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 1 V ， F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
Z
L
= 50
Ω,
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安， F = 2 GHz的
（以F
选择
)
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
Z
L
= 50
Ω
F = 2 GHz的
传感器增益
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安，Z
0
= 50
Ω,
F = 2 GHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
G
pe
G
pe
|S
21e
|
2
民
典型值。
12
0.2
0.35
0.15
1.3
13
11.5
12.5
最大
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
C
cb
- 集电极基电容（pF ）
100
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
80
60
40
20
0
0
14284
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
1
2
3
4
5
V
CB
- 集电极基
电压
(V)
20
40
60
80
100 120 140 160
14286
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图1.总功率耗散与环境温度
图3.集电极基电容与集电极 - 基极电压
16
f
T
- 过渡频率（GHz ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
14285
3.0
F = 1 GHz的
2.5
V
CE
= 3
V
F -
噪音
系数（dB ）
V
CE
= 2
V
F = 2 GHz的
Z
S
= 50
Ω
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V
CE
= 2
V
2
4
6
8
10
12
14
14287
0
1
2
3
4
5
6
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
C
- 集电极电流（毫安）
图2.过渡频率与集电极电流
图4.噪声系数与集电极电流
文档编号85065
修订版1.7 ， 08 09月08
www.vishay.com
3
TSDF1205 / 1205R / 1205W / 1205RW
威世半导体
包装尺寸以毫米（英寸） ： SOT143
0.1 [ 0.004 ]最大。
1.1 [0.043]
2.6 [0.102]
2.35 [0.093]
1.8 [0.071]
1.6 [0.063]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.9 [0.035]
0.75 [0.030]
足迹推荐：
3 [0.118]
2.8 [0.110]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.15 [0.006]
0.08 [0.003]
1.7 [0.067]
0.9 [0.035] 0.9 [0.035]
0.8 [0.031]
1.2 [0.047]
1.4 [0.055]
1.2 [0.047]
0.9 [0.035]
0.8 [0.031]
2 [0.079]
2 [0.079]
1.8 [0.071]
0.8 [0.031]
1.9 [0.075]
96 12240
包装尺寸以毫米（英寸） ： SOT143R
96 12239
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4
文档编号85065
修订版1.7 ， 08 09月08
TSDF1205 / 1205R / 1205W / 1205RW
威世半导体
包装尺寸以毫米（英寸） ： SOT343
0.1 [ 0.004 ]最大。
0.2 [0.008]
0.1 [0.004]
2.2 [0.087]
1.8 [0.071]
1 [0.039]
0.8 [0.031]
2 [0.079]
1.25 [0.049]
1.05 [0.041]
0.4 [0.016]
0.25 [0.010]
0.7 [0.028]
0.55 [0.022]
足迹推荐：
0.4 [0.016]
0.25 [0.010]
0.4 [0.016]
0.25 [0.010]
0.15 [ 0.006 ]分钟。
2.2 [0.087]
1.15 [0.045]
0.09 [0.035]
0.6 [0.024]
1.35 [0.053]
1.15 [0.045]
1.6 [0.063]
1.4 [0.055]
1.2 [0.047]
96 12237
1.3 [0.051]
包装尺寸以毫米（英寸） ： SOT343R
96 12238
文档编号85065
修订版1.7 ， 08 09月08
0.8 [0.031]
www.vishay.com
5
TSDF1205/TSDF1205R/TSDF1205W/TSDF1205RW
威世德律风根
硅NPN平面RF晶体管
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
对于低噪声，小信号低功耗放大器。
该晶体管具有优越的噪声系数和
在UHF ， VHF和微型相关增益性能
波的频率。
特点
D
低功耗的应用
D
非常低的噪声音响gure
D
高转换频率f
T
= 12 GHz的
2
1
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
TSDF1205标记： F05
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
TSDF1205R标记： 05F
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
2
1
1
2
13 653
13 566
13 654
13 566
3
4
4
3
TSDF1205W标记： WF0
塑料外壳（ SOT 343 ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
TSDF1205RW标记： W0F
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
9
4
2
12
40
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
132
°
C
文档编号85065
牧师5 ， 30军， 00
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
TSDF1205/TSDF1205R/TSDF1205W/TSDF1205RW
威世德律风根
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板交界处的环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流正向电流传输比
测试条件
V
CE
= 12 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
C
= 5毫安，我
B
- 0.5毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安
符号最小典型最大单位
I
CES
100
m
A
I
CBO
100 nA的
I
EBO
2
m
A
V
（ BR ） CEO
4
V
V
CESAT
0.1 0.5
V
h
FE
50 120 250
AC电气特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
功率增益
测试条件
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 1 GHz的
V
CB
= 1 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 1 V ， F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
Z
L
= 50
W
， F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安，
F = 2千兆赫（ @F
选择
)
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
Z
L
= 50
W
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安，Z
0
= 50
W
,
F = 2 GHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
G
pe
G
pe
S
21e
2
民
典型值
12
0.2
0.35
0.15
1.3
13
11.5
12.5
最大
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
传感器增益
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2 (6)
文档编号85065
牧师5 ， 30军， 00
TSDF1205/TSDF1205R/TSDF1205W/TSDF1205RW
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
C
cb
- 集电极基电容（pF ）
100
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
80
60
40
20
0
0
14284
0.5
f=1MHz
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
V
CB
- 集电极基极电压（ V）
20
40
60
80
100 120 140 160
14286
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.总功耗对比
环境温度
16
f
T
- 过渡频率（GHz ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
14285
图3.集电极基电容与
集电极 - 基极电压
3.0
f=1GHz
V
CE
=3V
的F - 噪声系数（dB ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
2
4
6
8
10
12
14
14287
V
CE
=2V
f=2GHz
Z
S
=50
W
V
CE
=2V
0
1
2
3
4
5
6
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
C
- 集电极电流（mA ）
图2.过渡频率与集电极电流
图4.噪声系数与集电极电流
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3 (6)
TSDF1205/TSDF1205R/TSDF1205W/TSDF1205RW
威世德律风根
TSDF1205的mm尺寸
96 12240
TSDF1205R的mm尺寸
96 12239
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4 (6)
文档编号85065
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TSDF1205/TSDF1205R/TSDF1205W/TSDF1205RW
威世德律风根
TSDF1205W的mm尺寸
96 12237
TSDF1205RW的mm尺寸
96 12238
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5 (6)
TSDF1205 / 1205R / 1205W / 1205RW
威世半导体
12 GHz的硅NPN平面RF晶体管
2
1
特点
低功耗的应用
非常低的噪声音响gure
e3
高转换频率f
T
= 12 GHz的
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
4
2
SOT-143
SOT-143R
4
2
3
1
SOT-343
应用
对于低噪声，小信号低功耗放大器。
该晶体管具有优越的噪声系数和关联
在超高频，甚高频和微波ated增益性能
频率。
3
1
4
2
SOT-343R
4
3
机械数据
典型值： TSDF1205
案例：
SOT -143塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器，
3 =基地， 4 =发射器
典型值：
TSDF1205R
案例：
SOT- 143R塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器，
3 =基地， 4 =发射器
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
13629
典型值：
TDSF1205W
案例：
SOT- 343塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器，
3 =基地， 4 =发射器
典型值：
TSDF1205RW
案例：
SOT- 343R塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器，
3 =基地， 4 =发射器
零件表
部分
TSDF1205
TSDF1205R
TSDF1205RW
TSDF1205W
F05
05F
WF0
W0F
记号
SOT-143
SOT-143R
SOT-343R
SOT-343
包
文档编号85065
修订版1.5 ， 02月， 05
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1
TSDF1205 / 1205R / 1205W / 1205RW
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
T
AMB
≤
132 °C
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
9
4
2
12
40
150
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
最大热阻
参数
交界处的环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
μm
Cu
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
V
CE
= 12 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
C
= 5毫安，我
B
- 0.5毫安
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
h
FE
50
4
0.1
120
0.5
250
民
典型值。
最大
100
100
2
单位
μA
nA
μA
V
V
直流正向电流传输比V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安
www.vishay.com
2
文档编号85065
修订版1.5 ， 02月， 05
TSDF1205 / 1205R / 1205W / 1205RW
威世半导体
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
功率增益
测试条件
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 1 GHz的
V
CB
= 1 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 1 V ， F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
Z
L
= 50
Ω,
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安， F = 2 GHz的
(@F
选择
)
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
Z
L
= 50
Ω
F = 2 GHz的
传感器增益
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安，Z
0
= 50
Ω,
F = 2 GHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
G
pe
G
pe
|S
21e
|
2
民
典型值。
12
0.2
0.35
0.15
1.3
13
11.5
12.5
最大
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
100
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
C
cb
- 集电极基电容（pF ）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
1
2
3
4
5
V
CB
- 集电极基极电压（ V）
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
14284
14286
图1.总功率耗散与环境温度
图3.集电极基电容与集电极 - 基极电压
16
f
T
- 过渡频率（GHz ）
3.0
F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V
的F - 噪声系数（dB ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
Z
S
= 50
Ω
V
CE
= 2 V
2
4
6
8
10
12
14
14287
0
1
2
3
4
5
6
14285
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
C
- 集电极电流（mA ）
图2.过渡频率与集电极电流
图4.噪声系数与集电极电流
文档编号85065
修订版1.5 ， 02月， 05
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3
TSDF1205 / 1205R / 1205W / 1205RW
威世半导体
包装尺寸（mm）
96 12239
包装尺寸（mm）
0.50(0.020)
0.35 (0.014)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
0.9 (0.035)
0.75 (0.029)
0.15 (0.006)
0.08 (0.003)
1.4 (0.055)
1.2 (0.047)
3.0 (0.117)
2.8 (0.109)
0...0.1 (0...0.004)
贴装焊盘布局
1.8 (0.070)
1.6 (0.062)
0.65 (0.025)
1.17 (0.046)
ISO方法E
2.0 (0.078)
1.8 (0.070)
96 12240
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4
2.6 (0.101)
2.4 (0.094)
文档编号85065
修订版1.5 ， 02月， 05
TSDF1205 / 1205R / 1205W / 1205RW
威世半导体
包装尺寸（mm）
96 12237
包装尺寸（mm）
96 12238
文档编号85065
修订版1.5 ， 02月， 05
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5
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