TSDF03030X/TSDF03030XR
威世半导体
双 - MOSMIC- 2 AGC放大器，用于电视调谐器
前置与5 V电源电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级
UHF -和VHF波段调谐器与5 V电源电压。
典型用途
AGC
C
G2 （普通）
特点
RFC
+5 V
D 3
C
RF OUT
2 （ TSDF03030X ）
5 （ TSDF03030XR ）
D
两个AGC放大器在一个封装
D
易门1关断带PNP开关
内部PLL晶体管
D
集成门极保护二极管
D
低噪声系数
D
高增益，高前进纳
（ 30 ms典型值）
D
偏压片上网络
D
在增益减少，提高了交叉调制
D
高AGC范围较少陡坡
16604
C
在RF
+5 V
RG1
1 G1
AMP1
RFC
+5 V
D 4
C
RF OUT
C
在RF
+5 V
RG1
6 G1
AMP2
S（共同）
5 （ TSDF03030X ）
2 （ TSDF03030XR ）
D
SMD封装，反向牵制可能
6
5
4
6
5
4
TY
CW
1
WC6
2
3
16605
TY
CW
1
W6C
2
3
16606
TSDF03030X标记： WC6
塑料外壳（ SOT 363 ）
1 = 1号门（放大器1 ） ， 2 = 2门，
3 =漏极（放大器1 ） ，4 =漏极（放大器2 ）
5 =源， 6 = GATE1 （放大器2 ）
TSDF03030XR标记： W6C
塑料外壳（ SOT 363 ）
1 = 1号门（放大器1 ） ， 2 =源，
3 =漏极（放大器1 ） ，4 =漏极（放大器2 ）
5 = 2门， 6 = GATE1 （放大器2 ）
T =德律风根
Y =年，是可变的从数字0到9 （例如0 = 2000 1 = 2001）
CW =日历周，是可变的数字从01到52
日历周数总是指示针的地方1
文档编号85089
第1版， 12 -NOV- 01
www.vishay.com
1 (4)
TSDF03030X/TSDF03030XR
威世半导体
以下所有数据和特点都是有效的操作要么
放大器1 （管脚1,3 ， 2,5）或放大器2 （引脚6,4 ， 2,5）
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
V
DS
I
D
±I
G1/G2SM
+V
G1
/±V
G2SM
-V
G1SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
30
10
6
1.5
200
150
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
V
mW
°C
°C
T
AMB
60
°C
最大热阻
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀30μm的铜
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
漏 - 源
击穿电压
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏 - 源
工作电流
1号门 - 源
截止电压
2号门 - 源
截止电压
测试条件
I
D
= 10
A,
V
G1S
= V
G2S
= 0
+I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56千瓦
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20
A
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 56千瓦，我
D
= 20
A
符号
V
（ BR ） DSS
+V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
±I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
8
0.5
0.8
1.0
14
分钟。
12
7
7
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
mA
10
10
20
20
20
1.3
1.4
V
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TSDF03030X/TSDF03030XR
威世半导体
AC电气特性
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56千瓦，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz时，T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
测试条件
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
AGC范围
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1至4 V中，f = 800MHz的
噪声系数
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
交叉调制
输入电平为K = 1 ％@ 0分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
输入电平为K = 1 ％@ 40分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
符号
y
21s
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
G
ps
F
F
X
MOD
X
MOD
分钟。
25
典型值。
30
2.0
20
1.1
28
22
45
1
1.3
马克斯。
35
2.3
30
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dBμV的
dBμV的
17
90
100
105
TSDF03030X / TSDF03030XR的mm尺寸
14280
文档编号85089
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TSDF03030X/TSDF03030XR
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质排放到该被称为臭氧气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质，并禁止其
在未来十年之内使用。不同的国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用消耗臭氧层物质
下列文件中列出。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧层物质的生产
与不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay
半导体
产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay
半导体
对所有索赔，费用，损失，费用，或直接引起的，
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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威世半导体
双 - MOSMIC- 2 AGC放大器，用于电视调谐器
前置与5 V电源电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级
UHF -和VHF波段调谐器与5 V电源电压。
典型用途
AGC
C
G2 （普通）
特点
RFC
+5 V
D 3
C
RF OUT
2 （ TSDF03030X ）
5 （ TSDF03030XR ）
D
两个AGC放大器在一个封装
D
易门1关断带PNP开关
内部PLL晶体管
D
集成门极保护二极管
D
低噪声系数
D
高增益，高前进纳
（ 30 ms典型值）
D
偏压片上网络
D
在增益减少，提高了交叉调制
D
高AGC范围较少陡坡
16604
C
在RF
+5 V
RG1
1 G1
AMP1
RFC
+5 V
D 4
C
RF OUT
C
在RF
+5 V
RG1
6 G1
AMP2
S（共同）
5 （ TSDF03030X ）
2 （ TSDF03030XR ）
D
SMD封装，反向牵制可能
6
5
4
6
5
4
TY
CW
1
WC6
2
3
16605
TY
CW
1
W6C
2
3
16606
TSDF03030X标记： WC6
塑料外壳（ SOT 363 ）
1 = 1号门（放大器1 ） ， 2 = 2门，
3 =漏极（放大器1 ） ，4 =漏极（放大器2 ）
5 =源， 6 = GATE1 （放大器2 ）
TSDF03030XR标记： W6C
塑料外壳（ SOT 363 ）
1 = 1号门（放大器1 ） ， 2 =源，
3 =漏极（放大器1 ） ，4 =漏极（放大器2 ）
5 = 2门， 6 = GATE1 （放大器2 ）
T =德律风根
Y =年，是可变的从数字0到9 （例如0 = 2000 1 = 2001）
CW =日历周，是可变的数字从01到52
日历周数总是指示针的地方1
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威世半导体
以下所有数据和特点都是有效的操作要么
放大器1 （管脚1,3 ， 2,5）或放大器2 （引脚6,4 ， 2,5）
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
V
DS
I
D
±I
G1/G2SM
+V
G1
/±V
G2SM
-V
G1SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
30
10
6
1.5
200
150
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
V
mW
°C
°C
T
AMB
60
°C
最大热阻
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀30μm的铜
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
漏 - 源
击穿电压
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏 - 源
工作电流
1号门 - 源
截止电压
2号门 - 源
截止电压
测试条件
I
D
= 10
A,
V
G1S
= V
G2S
= 0
+I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56千瓦
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20
A
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 56千瓦，我
D
= 20
A
符号
V
（ BR ） DSS
+V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
±I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
8
0.5
0.8
1.0
14
分钟。
12
7
7
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
mA
10
10
20
20
20
1.3
1.4
V
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TSDF03030X/TSDF03030XR
威世半导体
AC电气特性
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56千瓦，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz时，T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
测试条件
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
AGC范围
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1至4 V中，f = 800MHz的
噪声系数
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
交叉调制
输入电平为K = 1 ％@ 0分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
输入电平为K = 1 ％@ 40分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
符号
y
21s
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
G
ps
F
F
X
MOD
X
MOD
分钟。
25
典型值。
30
2.0
20
1.1
28
22
45
1
1.3
马克斯。
35
2.3
30
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dBμV的
dBμV的
17
90
100
105
TSDF03030X / TSDF03030XR的mm尺寸
14280
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威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质排放到该被称为臭氧气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质，并禁止其
在未来十年之内使用。不同的国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用消耗臭氧层物质
下列文件中列出。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧层物质的生产
与不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay
半导体
产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay
半导体
对所有索赔，费用，损失，费用，或直接引起的，
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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双 - MOSMIC- 2 AGC放大器，用于电视调谐器
前置与5 V电源电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级
UHF -和VHF波段调谐器与5 V电源电压。
典型用途
AGC
C
G2 （普通）
特点
RFC
+5 V
D 3
C
RF OUT
2 （ TSDF03030X ）
5 （ TSDF03030XR ）
D
两个AGC放大器在一个封装
D
易门1关断带PNP开关
内部PLL晶体管
D
集成门极保护二极管
D
低噪声系数
D
高增益，高前进纳
（ 30 ms典型值）
D
偏压片上网络
D
在增益减少，提高了交叉调制
D
高AGC范围较少陡坡
16604
C
在RF
+5 V
RG1
1 G1
AMP1
RFC
+5 V
D 4
C
RF OUT
C
在RF
+5 V
RG1
6 G1
AMP2
S（共同）
5 （ TSDF03030X ）
2 （ TSDF03030XR ）
D
SMD封装，反向牵制可能
6
5
4
6
5
4
TY
CW
1
WC6
2
3
16605
TY
CW
1
W6C
2
3
16606
TSDF03030X标记： WC6
塑料外壳（ SOT 363 ）
1 = 1号门（放大器1 ） ， 2 = 2门，
3 =漏极（放大器1 ） ，4 =漏极（放大器2 ）
5 =源， 6 = GATE1 （放大器2 ）
TSDF03030XR标记： W6C
塑料外壳（ SOT 363 ）
1 = 1号门（放大器1 ） ， 2 =源，
3 =漏极（放大器1 ） ，4 =漏极（放大器2 ）
5 = 2门， 6 = GATE1 （放大器2 ）
T =德律风根
Y =年，是可变的从数字0到9 （例如0 = 2000 1 = 2001）
CW =日历周，是可变的数字从01到52
日历周数总是指示针的地方1
文档编号85089
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威世半导体
以下所有数据和特点都是有效的操作要么
放大器1 （管脚1,3 ， 2,5）或放大器2 （引脚6,4 ， 2,5）
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
V
DS
I
D
±I
G1/G2SM
+V
G1
/±V
G2SM
-V
G1SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
30
10
6
1.5
200
150
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
V
mW
°C
°C
T
AMB
60
°C
最大热阻
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀30μm的铜
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
漏 - 源
击穿电压
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏 - 源
工作电流
1号门 - 源
截止电压
2号门 - 源
截止电压
测试条件
I
D
= 10
A,
V
G1S
= V
G2S
= 0
+I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56千瓦
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20
A
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 56千瓦，我
D
= 20
A
符号
V
（ BR ） DSS
+V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
±I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
8
0.5
0.8
1.0
14
分钟。
12
7
7
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
mA
10
10
20
20
20
1.3
1.4
V
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第1版， 12 -NOV- 01
TSDF03030X/TSDF03030XR
威世半导体
AC电气特性
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56千瓦，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz时，T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
测试条件
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
AGC范围
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1至4 V中，f = 800MHz的
噪声系数
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
交叉调制
输入电平为K = 1 ％@ 0分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
输入电平为K = 1 ％@ 40分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
符号
y
21s
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
G
ps
F
F
X
MOD
X
MOD
分钟。
25
典型值。
30
2.0
20
1.1
28
22
45
1
1.3
马克斯。
35
2.3
30
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dBμV的
dBμV的
17
90
100
105
TSDF03030X / TSDF03030XR的mm尺寸
14280
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TSDF03030X/TSDF03030XR
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质排放到该被称为臭氧气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质，并禁止其
在未来十年之内使用。不同的国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用消耗臭氧层物质
下列文件中列出。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧层物质的生产
与不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay
半导体
产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay
半导体
对所有索赔，费用，损失，费用，或直接引起的，
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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