日前，Vishay
TSDF02830YR
威世半导体
双 - MOSMIC
- 2 AGC放大器
电视调谐器与预安排
5 V电源电压
6 5 4
评论
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
VY
CW
WM1
2
3
16980
1
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
特点
易门1关断带PNP开关晶体管
内部PLL器
在一个单一的两个不同的优化放大器
包
集成的栅极保护二极管
低噪声系数，高增益
典型正向31毫秒RESP 28纳
mS
在芯片上可能有内部自偏置网络
卓越的交叉调制的增益衰减
高AGC范围的软坡
主AGC控制范围为3 V至0.5 V
电源电压5 V （ 3 V至7 V ）
SMD封装，反向牵制
机械数据
重量：
6毫克
案例：
SOT 363R
V - 日前，Vishay
- 年，是可变的数字从0到9
（例如0 = 2000 1 = 2001）
CW - 日历周，是可变的数
从01到52
日历周数总是指示
地方针1
穿针：
1 = 1号门（放大器1 ） ， 2 =源，
3 =漏极（放大器1 ） ，4 =漏极（放大器2 ）
5 = 2门， 6门= 1 （放大器2 ）
应用
低噪声增益控制的VHF和UHF输入级，
如在数字和模拟电视调谐器。
AGC
C
C
在VHF
+5 V
RG1
D 3
RFC
+5 V
C
UHF IN
+5 V
RG1
C
UHF了
1 G1
AMP1
5
G2 （普通）
RFC
+5 V
D 4
C
VHF了
6 G1
AMP2
S（共同）
2
16979
文档编号85164
第1版， 25 - OCT- 02
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1
TSDF02830YR
威世半导体
零件表
部分
TSDF02830YR
WM1
记号
SOT363R
包
日前，Vishay
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
扩增fi er 1
下面的数据是有效的运算放大器1 （管脚1,3 ， 2,5 ），其用于UHF应用进行了优化
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
1号门 - 源极电压
2号门 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
通道环境
上玻璃纤维印刷电路板（25×
20× 1.5）毫米镀有35微米
Cu
3
测试条件
符号
V
DS
I
D
±
I
G1/G2SM
+ V
G1SM
- V
G1SM
±
V
G2SM
价值
8
25
10
6
1.5
6
200
150
- 55至+ 150
450
单位
V
mA
mA
V
V
V
mW
°C
°C
K / W
T
AMB
≤
60 °C
P
合计
T
Ch
T
英镑
R
thChA
放大器2
下面的数据是有效的运算放大器2 （引脚6,4 ， 2,5 ），其对甚高频的应用进行了优化
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
1号门 - 源极电压
2号门 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
通道环境
上玻璃纤维印刷电路板（25×
20× 1.5）毫米镀有35微米
Cu
3
测试条件
符号
V
DS
I
D
±
I
G1/G2SM
+ V
G1SM
- V
G1SM
±
V
G2SM
价值
8
30
10
6
1.5
6
200
150
- 55至+ 150
450
单位
V
mA
mA
V
V
V
mW
°C
°C
K / W
T
AMB
≤
60 °C
P
合计
T
Ch
T
英镑
R
thChA
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
扩增fi er 1
下面的数据是有效的运算放大器1 （管脚1,3 ， 2,5 ），其用于UHF应用进行了优化
参数
漏极 - 源极击穿电压
测试条件
I
D
= 10 μA ，V
G1S
= V
G2S
= 0
符号
V
（ BR ） DSS
+ V
(BR)G1SS
±
V
(BR)G2SS
民
12
7
7
10
10
典型值。
最大
单位
V
V
V
1号门 - 源极击穿电压+ I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极击穿电压
±
I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
文档编号85164
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2
日前，Vishay
参数
1号门 - 源极漏电流
2号门 - 源极漏电流
漏 - 源极工作电流
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
测试条件
+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±
V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56 k
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20 A
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 100 kΩ的，我
D
= 20 A
符号
+ I
G1SS
±
I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
8
0.3
0.3
民
TSDF02830YR
威世半导体
典型值。
最大
20
20
12
17
1.0
1.2
单位
nA
nA
mA
V
V
放大器2
下面的数据是有效的运算放大器2 （引脚6,4 ， 2,5 ），其对甚高频的应用进行了优化
参数
漏极 - 源极击穿电压
测试条件
I
D
= 10 μA ，V
G1S
= V
G2S
= 0
符号
V
（ BR ） DSS
+ V
(BR)G1SS
±
V
(BR)G2SS
+ I
G1SS
±
I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
8
0.3
0.3
12
民
12
7
7
10
10
20
20
17
1.0
1.2
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
mA
V
V
1号门 - 源极击穿电压+ I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极击穿电压
±
I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
1号门 - 源极漏电流
2号门 - 源极漏电流
漏 - 源极工作电流
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±
V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56 k
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20 A
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 56 kΩ的，我
D
= 20 A
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
扩增fi er 1
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 100 kΩ的，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz时，T
AMB
= 25℃，除非另有说明
下面的数据是有效的运算放大器1 （管脚1,3 ， 2,5 ），其用于UHF应用进行了优化
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 0.5
小姐， B
L
= B
LOPT
， F = 200 MHz的
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 1毫秒，
B
L
= B
LOPT
， F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 1
小姐， B
L
= B
LOPT
， F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 0.54 V中，f = 200
兆赫
G
S
= G
L
= 20毫秒，B
S
= B
L
= 0, f =
50兆赫
G
S
= 2毫秒，G
L
= 1毫秒，B
S
= B
SOPT
,
F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，B
S
=
B
SOPT
， F = 800 MHz的
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
G
ps
G
ps
F
F
F
民
27
典型值。
31
1.9
20
0.9
33
30
25
50
6.0
1.0
1.3
8.0
1.5
2.0
最大
35
2.3
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
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第1版， 25 - OCT- 02
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3
TSDF02830YR
威世半导体
参数
交叉调制
测试条件
输入电平为K = 1 ％@ 0分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
输入电平为K = 1 ％@ 40分贝
AGC F
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
备注提高互调特性：
符号
X
MOD
X
MOD
民
90
100
105
典型值。
最大
日前，Vishay
单位
dBμV的
dBμV的
通过设置R
G1
小于100 kΩ的，如68 kΩ的我典型值
DSO
会提高和改进的互调特性将被执行。
放大器2
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56 kΩ的，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz时，T
AMB
= 25℃，除非另有说明
下面的数据是有效的运算放大器2 （引脚6,4 ， 2,5 ），其对甚高频的应用进行了优化
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 0.5
小姐， B
L
= B
LOPT
， F = 200 MHz的
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 1毫秒，
B
L
= B
LOPT
， F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 1
小姐， B
L
= B
LOPT
， F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 0.54 V中，f = 200
兆赫
G
S
= G
L
= 20毫秒，B
S
= B
L
= 0, f =
50兆赫
G
S
= 2毫秒，G
L
= 1毫秒，B
S
= B
SOPT
,
F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，B
S
=
B
SOPT
， F = 800 MHz的
交叉调制
输入电平为K = 1 ％@ 0分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
输入电平为K = 1 ％@ 40分贝
AGC F
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
小于56千欧，我典型值
DSO
会提高和改进的互调特性将被执行。
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
G
ps
G
ps
F
F
F
X
MOD
X
MOD
90
105
民
23
典型值。
28
2.5
20
0.9
32
28
22
50
4.5
1.0
1.5
6.0
1.6
2.3
最大
33
3.0
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBμV的
dBμV的
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威世半导体
双 - MOSMIC
- 2 AGC放大器
电视调谐器与预安排
5 V电源电压
6 5 4
评论
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
VY
CW
WM1
2
3
16980
1
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
特点
易门1关断带PNP开关晶体管
内部PLL器
在一个单一的两个不同的优化放大器
包
集成的栅极保护二极管
低噪声系数，高增益
典型正向31毫秒RESP 28纳
mS
在芯片上可能有内部自偏置网络
卓越的交叉调制的增益衰减
高AGC范围的软坡
主AGC控制范围为3 V至0.5 V
电源电压5 V （ 3 V至7 V ）
SMD封装，反向牵制
机械数据
重量：
6毫克
案例：
SOT 363R
V - 日前，Vishay
- 年，是可变的数字从0到9
（例如0 = 2000 1 = 2001）
CW - 日历周，是可变的数
从01到52
日历周数总是指示
地方针1
穿针：
1 = 1号门（放大器1 ） ， 2 =源，
3 =漏极（放大器1 ） ，4 =漏极（放大器2 ）
5 = 2门， 6门= 1 （放大器2 ）
应用
低噪声增益控制的VHF和UHF输入级，
如在数字和模拟电视调谐器。
AGC
C
C
在VHF
+5 V
RG1
D 3
RFC
+5 V
C
UHF IN
+5 V
RG1
C
UHF了
1 G1
AMP1
5
G2 （普通）
RFC
+5 V
D 4
C
VHF了
6 G1
AMP2
S（共同）
2
16979
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第1版， 25 - OCT- 02
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威世半导体
零件表
部分
TSDF02830YR
WM1
记号
SOT363R
包
日前，Vishay
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
扩增fi er 1
下面的数据是有效的运算放大器1 （管脚1,3 ， 2,5 ），其用于UHF应用进行了优化
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
1号门 - 源极电压
2号门 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
通道环境
上玻璃纤维印刷电路板（25×
20× 1.5）毫米镀有35微米
Cu
3
测试条件
符号
V
DS
I
D
±
I
G1/G2SM
+ V
G1SM
- V
G1SM
±
V
G2SM
价值
8
25
10
6
1.5
6
200
150
- 55至+ 150
450
单位
V
mA
mA
V
V
V
mW
°C
°C
K / W
T
AMB
≤
60 °C
P
合计
T
Ch
T
英镑
R
thChA
放大器2
下面的数据是有效的运算放大器2 （引脚6,4 ， 2,5 ），其对甚高频的应用进行了优化
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
1号门 - 源极电压
2号门 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
通道环境
上玻璃纤维印刷电路板（25×
20× 1.5）毫米镀有35微米
Cu
3
测试条件
符号
V
DS
I
D
±
I
G1/G2SM
+ V
G1SM
- V
G1SM
±
V
G2SM
价值
8
30
10
6
1.5
6
200
150
- 55至+ 150
450
单位
V
mA
mA
V
V
V
mW
°C
°C
K / W
T
AMB
≤
60 °C
P
合计
T
Ch
T
英镑
R
thChA
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
扩增fi er 1
下面的数据是有效的运算放大器1 （管脚1,3 ， 2,5 ），其用于UHF应用进行了优化
参数
漏极 - 源极击穿电压
测试条件
I
D
= 10 μA ，V
G1S
= V
G2S
= 0
符号
V
（ BR ） DSS
+ V
(BR)G1SS
±
V
(BR)G2SS
民
12
7
7
10
10
典型值。
最大
单位
V
V
V
1号门 - 源极击穿电压+ I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极击穿电压
±
I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
文档编号85164
第1版， 25 - OCT- 02
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2
日前，Vishay
参数
1号门 - 源极漏电流
2号门 - 源极漏电流
漏 - 源极工作电流
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
测试条件
+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±
V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56 k
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20 A
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 100 kΩ的，我
D
= 20 A
符号
+ I
G1SS
±
I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
8
0.3
0.3
民
TSDF02830YR
威世半导体
典型值。
最大
20
20
12
17
1.0
1.2
单位
nA
nA
mA
V
V
放大器2
下面的数据是有效的运算放大器2 （引脚6,4 ， 2,5 ），其对甚高频的应用进行了优化
参数
漏极 - 源极击穿电压
测试条件
I
D
= 10 μA ，V
G1S
= V
G2S
= 0
符号
V
（ BR ） DSS
+ V
(BR)G1SS
±
V
(BR)G2SS
+ I
G1SS
±
I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
8
0.3
0.3
12
民
12
7
7
10
10
20
20
17
1.0
1.2
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
mA
V
V
1号门 - 源极击穿电压+ I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极击穿电压
±
I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
1号门 - 源极漏电流
2号门 - 源极漏电流
漏 - 源极工作电流
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±
V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56 k
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20 A
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 56 kΩ的，我
D
= 20 A
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
扩增fi er 1
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 100 kΩ的，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz时，T
AMB
= 25℃，除非另有说明
下面的数据是有效的运算放大器1 （管脚1,3 ， 2,5 ），其用于UHF应用进行了优化
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 0.5
小姐， B
L
= B
LOPT
， F = 200 MHz的
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 1毫秒，
B
L
= B
LOPT
， F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 1
小姐， B
L
= B
LOPT
， F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 0.54 V中，f = 200
兆赫
G
S
= G
L
= 20毫秒，B
S
= B
L
= 0, f =
50兆赫
G
S
= 2毫秒，G
L
= 1毫秒，B
S
= B
SOPT
,
F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，B
S
=
B
SOPT
， F = 800 MHz的
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
G
ps
G
ps
F
F
F
民
27
典型值。
31
1.9
20
0.9
33
30
25
50
6.0
1.0
1.3
8.0
1.5
2.0
最大
35
2.3
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
文档编号85164
第1版， 25 - OCT- 02
www.vishay.com
3
TSDF02830YR
威世半导体
参数
交叉调制
测试条件
输入电平为K = 1 ％@ 0分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
输入电平为K = 1 ％@ 40分贝
AGC F
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
备注提高互调特性：
符号
X
MOD
X
MOD
民
90
100
105
典型值。
最大
日前，Vishay
单位
dBμV的
dBμV的
通过设置R
G1
小于100 kΩ的，如68 kΩ的我典型值
DSO
会提高和改进的互调特性将被执行。
放大器2
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56 kΩ的，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz时，T
AMB
= 25℃，除非另有说明
下面的数据是有效的运算放大器2 （引脚6,4 ， 2,5 ），其对甚高频的应用进行了优化
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 0.5
小姐， B
L
= B
LOPT
， F = 200 MHz的
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 1毫秒，
B
L
= B
LOPT
， F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 1
小姐， B
L
= B
LOPT
， F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 0.54 V中，f = 200
兆赫
G
S
= G
L
= 20毫秒，B
S
= B
L
= 0, f =
50兆赫
G
S
= 2毫秒，G
L
= 1毫秒，B
S
= B
SOPT
,
F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，B
S
=
B
SOPT
， F = 800 MHz的
交叉调制
输入电平为K = 1 ％@ 0分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
输入电平为K = 1 ％@ 40分贝
AGC F
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
小于56千欧，我典型值
DSO
会提高和改进的互调特性将被执行。
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
G
ps
G
ps
F
F
F
X
MOD
X
MOD
90
105
民
23
典型值。
28
2.5
20
0.9
32
28
22
50
4.5
1.0
1.5
6.0
1.6
2.3
最大
33
3.0
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBμV的
dBμV的
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4
日前，Vishay
TSDF02830YR
威世半导体
双 - MOSMIC
- 2 AGC放大器
电视调谐器与预安排
5 V电源电压
6 5 4
评论
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
VY
CW
WM1
2
3
16980
1
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
特点
易门1关断带PNP开关晶体管
内部PLL器
在一个单一的两个不同的优化放大器
包
集成的栅极保护二极管
低噪声系数，高增益
典型正向31毫秒RESP 28纳
mS
在芯片上可能有内部自偏置网络
卓越的交叉调制的增益衰减
高AGC范围的软坡
主AGC控制范围为3 V至0.5 V
电源电压5 V （ 3 V至7 V ）
SMD封装，反向牵制
机械数据
重量：
6毫克
案例：
SOT 363R
V - 日前，Vishay
- 年，是可变的数字从0到9
（例如0 = 2000 1 = 2001）
CW - 日历周，是可变的数
从01到52
日历周数总是指示
地方针1
穿针：
1 = 1号门（放大器1 ） ， 2 =源，
3 =漏极（放大器1 ） ，4 =漏极（放大器2 ）
5 = 2门， 6门= 1 （放大器2 ）
应用
低噪声增益控制的VHF和UHF输入级，
如在数字和模拟电视调谐器。
AGC
C
C
在VHF
+5 V
RG1
D 3
RFC
+5 V
C
UHF IN
+5 V
RG1
C
UHF了
1 G1
AMP1
5
G2 （普通）
RFC
+5 V
D 4
C
VHF了
6 G1
AMP2
S（共同）
2
16979
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1
TSDF02830YR
威世半导体
零件表
部分
TSDF02830YR
WM1
记号
SOT363R
包
日前，Vishay
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
扩增fi er 1
下面的数据是有效的运算放大器1 （管脚1,3 ， 2,5 ），其用于UHF应用进行了优化
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
1号门 - 源极电压
2号门 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
通道环境
上玻璃纤维印刷电路板（25×
20× 1.5）毫米镀有35微米
Cu
3
测试条件
符号
V
DS
I
D
±
I
G1/G2SM
+ V
G1SM
- V
G1SM
±
V
G2SM
价值
8
25
10
6
1.5
6
200
150
- 55至+ 150
450
单位
V
mA
mA
V
V
V
mW
°C
°C
K / W
T
AMB
≤
60 °C
P
合计
T
Ch
T
英镑
R
thChA
放大器2
下面的数据是有效的运算放大器2 （引脚6,4 ， 2,5 ），其对甚高频的应用进行了优化
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
1号门 - 源极电压
2号门 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
通道环境
上玻璃纤维印刷电路板（25×
20× 1.5）毫米镀有35微米
Cu
3
测试条件
符号
V
DS
I
D
±
I
G1/G2SM
+ V
G1SM
- V
G1SM
±
V
G2SM
价值
8
30
10
6
1.5
6
200
150
- 55至+ 150
450
单位
V
mA
mA
V
V
V
mW
°C
°C
K / W
T
AMB
≤
60 °C
P
合计
T
Ch
T
英镑
R
thChA
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
扩增fi er 1
下面的数据是有效的运算放大器1 （管脚1,3 ， 2,5 ），其用于UHF应用进行了优化
参数
漏极 - 源极击穿电压
测试条件
I
D
= 10 μA ，V
G1S
= V
G2S
= 0
符号
V
（ BR ） DSS
+ V
(BR)G1SS
±
V
(BR)G2SS
民
12
7
7
10
10
典型值。
最大
单位
V
V
V
1号门 - 源极击穿电压+ I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极击穿电压
±
I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
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日前，Vishay
参数
1号门 - 源极漏电流
2号门 - 源极漏电流
漏 - 源极工作电流
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
测试条件
+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±
V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56 k
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20 A
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 100 kΩ的，我
D
= 20 A
符号
+ I
G1SS
±
I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
8
0.3
0.3
民
TSDF02830YR
威世半导体
典型值。
最大
20
20
12
17
1.0
1.2
单位
nA
nA
mA
V
V
放大器2
下面的数据是有效的运算放大器2 （引脚6,4 ， 2,5 ），其对甚高频的应用进行了优化
参数
漏极 - 源极击穿电压
测试条件
I
D
= 10 μA ，V
G1S
= V
G2S
= 0
符号
V
（ BR ） DSS
+ V
(BR)G1SS
±
V
(BR)G2SS
+ I
G1SS
±
I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
8
0.3
0.3
12
民
12
7
7
10
10
20
20
17
1.0
1.2
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
mA
V
V
1号门 - 源极击穿电压+ I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极击穿电压
±
I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
1号门 - 源极漏电流
2号门 - 源极漏电流
漏 - 源极工作电流
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±
V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56 k
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20 A
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 56 kΩ的，我
D
= 20 A
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
扩增fi er 1
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 100 kΩ的，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz时，T
AMB
= 25℃，除非另有说明
下面的数据是有效的运算放大器1 （管脚1,3 ， 2,5 ），其用于UHF应用进行了优化
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 0.5
小姐， B
L
= B
LOPT
， F = 200 MHz的
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 1毫秒，
B
L
= B
LOPT
， F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 1
小姐， B
L
= B
LOPT
， F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 0.54 V中，f = 200
兆赫
G
S
= G
L
= 20毫秒，B
S
= B
L
= 0, f =
50兆赫
G
S
= 2毫秒，G
L
= 1毫秒，B
S
= B
SOPT
,
F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，B
S
=
B
SOPT
， F = 800 MHz的
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
G
ps
G
ps
F
F
F
民
27
典型值。
31
1.9
20
0.9
33
30
25
50
6.0
1.0
1.3
8.0
1.5
2.0
最大
35
2.3
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
文档编号85164
第1版， 25 - OCT- 02
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3
TSDF02830YR
威世半导体
参数
交叉调制
测试条件
输入电平为K = 1 ％@ 0分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
输入电平为K = 1 ％@ 40分贝
AGC F
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
备注提高互调特性：
符号
X
MOD
X
MOD
民
90
100
105
典型值。
最大
日前，Vishay
单位
dBμV的
dBμV的
通过设置R
G1
小于100 kΩ的，如68 kΩ的我典型值
DSO
会提高和改进的互调特性将被执行。
放大器2
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56 kΩ的，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz时，T
AMB
= 25℃，除非另有说明
下面的数据是有效的运算放大器2 （引脚6,4 ， 2,5 ），其对甚高频的应用进行了优化
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 0.5
小姐， B
L
= B
LOPT
， F = 200 MHz的
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 1毫秒，
B
L
= B
LOPT
， F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，B
S
= B
SOPT
, G
L
= 1
小姐， B
L
= B
LOPT
， F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 0.54 V中，f = 200
兆赫
G
S
= G
L
= 20毫秒，B
S
= B
L
= 0, f =
50兆赫
G
S
= 2毫秒，G
L
= 1毫秒，B
S
= B
SOPT
,
F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，B
S
=
B
SOPT
， F = 800 MHz的
交叉调制
输入电平为K = 1 ％@ 0分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
输入电平为K = 1 ％@ 40分贝
AGC F
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
小于56千欧，我典型值
DSO
会提高和改进的互调特性将被执行。
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
G
ps
G
ps
F
F
F
X
MOD
X
MOD
90
105
民
23
典型值。
28
2.5
20
0.9
32
28
22
50
4.5
1.0
1.5
6.0
1.6
2.3
最大
33
3.0
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBμV的
dBμV的
文档编号85164
第1版， 25 - OCT- 02
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QQ：2881677436 复制
