TSDF02424X/TSDF02424XR
威世半导体
双 - MOSMIC- 2 AGC放大器，用于电视调谐器
前置与5 V电源电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级
UHF -和VHF波段调谐器与5 V电源电压。
典型用途
AGC
C
G2 （普通）
特点
RFC
+5 V
D 3
C
RF OUT
2 （ TSDF02424X ）
5 （ TSDF02424XR ）
D
两个AGC放大器在一个封装
D
易门1关断带PNP开关
内部PLL晶体管
D
集成门极保护二极管
D
低噪声系数
D
高增益，中远期纳
（ 24 ms典型值）
D
偏压片上网络
D
在增益减少，提高了交叉调制
D
高AGC范围较少陡坡
16601
C
在RF
+5 V
RG1
1 G1
AMP1
RFC
+5 V
D 4
C
RF OUT
C
在RF
+5 V
RG1
6 G1
AMP2
S（共同）
5 （ TSDF02424X ）
2 （ TSDF02424XR ）
D
SMD封装，反向牵制可能
6
5
4
6
5
4
TY
CW
1
WC5
2
3
16602
TY
CW
1
W5C
2
3
16603
TSDF02424X标记： WC5
塑料外壳（ SOT 363 ）
1 = 1号门（放大器1 ） ， 2 = 2门，
3 =漏极（放大器1 ） ，4 =漏极（放大器2 ）
5 =源， 6 = GATE1 （放大器2 ）
TSDF02424XR标记： W5C
塑料外壳（ SOT 363 ）
1 = 1号门（放大器1 ） ， 2 =源，
3 =漏极（放大器1 ） ，4 =漏极（放大器2 ）
5 = 2门， 6 = GATE1 （放大器2 ）
T =德律风根
Y =年，是可变的从数字0到9 （例如0 = 2000 1 = 2001）
CW =日历周，是可变的数字从01到52
日历周数总是指示针的地方1
文档编号85088
第1版， 12 -NOV- 01
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1 (4)
TSDF02424X/TSDF02424XR
威世半导体
以下所有数据和特点都是有效的操作要么
放大器1 （管脚1,3 ， 2,5）或放大器2 （引脚6,4 ， 2,5）
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
V
DS
I
D
±I
G1/G2SM
+V
G1
/±V
G2SM
-V
G1SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
25
10
6
1.5
200
150
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
V
mW
°C
°C
T
AMB
60
°C
最大热阻
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀30μm的铜
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
漏 - 源
击穿电压
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏 - 源
工作电流
1号门 - 源
截止电压
2号门 - 源
截止电压
测试条件
I
D
= 10
A,
V
G1S
= V
G2S
= 0
+I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56千瓦
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20
A
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 56千瓦，我
D
= 20
A
符号
V
（ BR ） DSS
+V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
±I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
8
0.5
0.8
1.0
13
分钟。
12
7
7
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
mA
V
V
10
10
20
20
18
1.3
1.4
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
小于56千瓦，我典型值
DSO
将提高和改善互调的行为
将被执行。
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文档编号85088
第1版， 12 -NOV- 01
TSDF02424X/TSDF02424XR
威世半导体
AC电气特性
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56千瓦，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz时，T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
测试条件
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
AGC范围
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1至4 V中，f = 800MHz的
噪声系数
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
交叉调制
输入电平为K = 1 ％@ 0分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
输入电平为K = 1 ％@ 40分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
符号
y
21s
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
G
ps
F
F
X
MOD
X
MOD
分钟。
20
典型值。
24
1.7
15
0.9
26
21
45
1
1.3
马克斯。
28
2.1
30
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dBμV的
dBμV的
16.5
90
100
105
TSDF02424X / TSDF02424XR的mm尺寸
14280
文档编号85088
第1版， 12 -NOV- 01
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TSDF02424X/TSDF02424XR
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质排放到该被称为臭氧气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质，并禁止其
在未来十年之内使用。不同的国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用消耗臭氧层物质
下列文件中列出。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧层物质的生产
与不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay
半导体
产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay
半导体
对所有索赔，费用，损失，费用，或直接引起的，
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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文档编号85088
第1版， 12 -NOV- 01
不适用于新的设计，这款产品将很快过时
TSDF02424X/TSDF02424XR
威世半导体
双 - MOSMIC
- 2 AGC放大器，用于电视调谐器预安排
与5 V电源电压
评论
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
6
5
4
6
5
4
TY
特点
两个AGC放大器在单一封装
易门1关断带PNP开关
内部PLL晶体管
集成的栅极保护二极管
低噪声系数
高增益，中远期纳
（ 24 ms典型值）
CW
WC5
TY
CW
W5C
e3
1
2
3
TSDF02424X
1
2
3
TSDF02424XR
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
16602
偏压片上网络
在增益减少，提高了交叉调制
高AGC范围较少陡坡
SMD封装，反向牵制可能
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
机械数据
典型值：
TSDF02424X
案例：
SOT- 363塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
穿针：
1 = 1号门（放大器1 ） ， 2 = 2门，
3 =漏极（放大器1 ） ，4 =漏极（放大器2 ）
5 =源， 6 = GATE1 （放大器2 ）
典型值：
TSDF02424XR
案例：
SOT- 363塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
穿针：
1 = 1号门（放大器1 ） ， 2 =源，
3 =漏极（放大器1 ） ，4 =漏极（放大器2 ）
5 = 2门， 6 = GATE1 （放大器2 ）
V - 日前，Vishay
- 年，是可变的数字从0到9
（例如0 = 2000 1 = 2001）
CW - 日历周，是可变的
从01到52号
日历周数总是指示
地方针1
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器与5 V电源电压。
典型用途
2 （ TSDF02424X ）
5 （ TSDF02424XR ）
AGC
C
RFC
G2 （普通）
+5 V
D 3
C
RF OUT
C
在RF
+5 V
RG1
1 G1
AMP1
RFC
+5 V
D 4
C
RF OUT
C
在RF
+5 V
RG1
6 G1
AMP2
S（共同）
5 （ TSDF02424X ）
2 （ TSDF02424XR ）
16601
零件表
部分
TSDF02424X
TSDF02424XR
WC5
W5C
记号
SOT-363
SOT-363R
包
文档编号85088
修订版1.3 ， 05月， 08
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1
TSDF02424X/TSDF02424XR
威世半导体
以下所有的数据和特征是有效的
操作要么放大器1 （引脚1 ， 3 ， 2 ， 5）或
放大器2 （引脚6,4 ， 2,5）
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
+ V
G1 / ± G2SM
- V
G1SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
25
10
6
1.5
160
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
V
V
mW
°C
°C
最大热阻
参数
通道环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
μm
Cu
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏极 - 源极击穿
电压
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
测试条件
I
D
= 10
μA,
V
G1S
= V
G2S
= 0
符号
V
（ BR ） DSS
民
12
7
7
10
10
20
20
8
0.5
0.8
1.0
13
18
1.3
1.4
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
mA
V
V
+ I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0 + V
(BR)G1SS
± I
G2S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G2SS
+ I
G1SS
± I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
1号门 - 源极漏电流+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏 - 源极工作电流V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 56 kΩ
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20
μA
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 56 kΩ,
I
D
= 20
μA
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
小于56千欧，我典型值
DSO
会提高和改进的互调特性将被执行。
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2
文档编号85088
修订版1.3 ， 05月， 08
TSDF02424X/TSDF02424XR
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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4
文档编号85088
修订版1.3 ， 05月， 08
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
TSDF02424X/TSDF02424XR
威世半导体
双 - MOSMIC- 2 AGC放大器，用于电视调谐器
前置与5 V电源电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级
UHF -和VHF波段调谐器与5 V电源电压。
典型用途
AGC
C
G2 （普通）
特点
RFC
+5 V
D 3
C
RF OUT
2 （ TSDF02424X ）
5 （ TSDF02424XR ）
D
两个AGC放大器在一个封装
D
易门1关断带PNP开关
内部PLL晶体管
D
集成门极保护二极管
D
低噪声系数
D
高增益，中远期纳
（ 24 ms典型值）
D
偏压片上网络
D
在增益减少，提高了交叉调制
D
高AGC范围较少陡坡
16601
C
在RF
+5 V
RG1
1 G1
AMP1
RFC
+5 V
D 4
C
RF OUT
C
在RF
+5 V
RG1
6 G1
AMP2
S（共同）
5 （ TSDF02424X ）
2 （ TSDF02424XR ）
D
SMD封装，反向牵制可能
6
5
4
6
5
4
TY
CW
1
WC5
2
3
16602
TY
CW
1
W5C
2
3
16603
TSDF02424X标记： WC5
塑料外壳（ SOT 363 ）
1 = 1号门（放大器1 ） ， 2 = 2门，
3 =漏极（放大器1 ） ，4 =漏极（放大器2 ）
5 =源， 6 = GATE1 （放大器2 ）
TSDF02424XR标记： W5C
塑料外壳（ SOT 363 ）
1 = 1号门（放大器1 ） ， 2 =源，
3 =漏极（放大器1 ） ，4 =漏极（放大器2 ）
5 = 2门， 6 = GATE1 （放大器2 ）
T =德律风根
Y =年，是可变的从数字0到9 （例如0 = 2000 1 = 2001）
CW =日历周，是可变的数字从01到52
日历周数总是指示针的地方1
文档编号85088
第1版， 12 -NOV- 01
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1 (4)
TSDF02424X/TSDF02424XR
威世半导体
以下所有数据和特点都是有效的操作要么
放大器1 （管脚1,3 ， 2,5）或放大器2 （引脚6,4 ， 2,5）
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
V
DS
I
D
±I
G1/G2SM
+V
G1
/±V
G2SM
-V
G1SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
25
10
6
1.5
200
150
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
V
mW
°C
°C
T
AMB
60
°C
最大热阻
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀30μm的铜
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
漏 - 源
击穿电压
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏 - 源
工作电流
1号门 - 源
截止电压
2号门 - 源
截止电压
测试条件
I
D
= 10
A,
V
G1S
= V
G2S
= 0
+I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56千瓦
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20
A
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 56千瓦，我
D
= 20
A
符号
V
（ BR ） DSS
+V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
±I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
8
0.5
0.8
1.0
13
分钟。
12
7
7
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
mA
V
V
10
10
20
20
18
1.3
1.4
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
小于56千瓦，我典型值
DSO
将提高和改善互调的行为
将被执行。
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TSDF02424X/TSDF02424XR
威世半导体
AC电气特性
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56千瓦，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz时，T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
测试条件
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
AGC范围
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1至4 V中，f = 800MHz的
噪声系数
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
交叉调制
输入电平为K = 1 ％@ 0分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
输入电平为K = 1 ％@ 40分贝AGC
f
w
= 50兆赫，女
UNW
= 60 MHz的
符号
y
21s
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
G
ps
F
F
X
MOD
X
MOD
分钟。
20
典型值。
24
1.7
15
0.9
26
21
45
1
1.3
马克斯。
28
2.1
30
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dBμV的
dBμV的
16.5
90
100
105
TSDF02424X / TSDF02424XR的mm尺寸
14280
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TSDF02424X/TSDF02424XR
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
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to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质排放到该被称为臭氧气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质，并禁止其
在未来十年之内使用。不同的国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。
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已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用消耗臭氧层物质
下列文件中列出。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧层物质的生产
与不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay
半导体
产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay
半导体
对所有索赔，费用，损失，费用，或直接引起的，
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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