【SD57030射频功率晶体管该LDMOST家庭N沟道增强模式横向MOSFET的优良的热稳定性常见源配】,IC型号TSD57030,TSD57030 PDF资料,TSD57030经销商,ic,电子元器件-51电子网

SD57030

射频功率晶体管

该

LDMOST

家庭

N沟道增强模式横向

MOSFET的

优良的热稳定性

常见源配置

P

OUT

= 30瓦为13 dB增益@ 945 MHz的

氧化铍无铅封装

M243

（环氧树脂密封）

订货编号

SD57030

BRANDING

TSD57030

描述

在SD57030是一种常见的源N沟道

增强模式横向场效应RF功率

晶体管专为宽带商业和

高达1.0工业应用的频率

千兆赫。在SD57030是专为高增益和

宽带性能的常用操作

28五源模式，是理想的基地台

应用程序需要高线性度。

引脚连接

1

3

2

1.漏

2.门

3.源

绝对最大额定值

(T

例

= 25

°

C)

符号

V

（ BR ） DSS

V

DGR

V

GS

I

D

P

DISS

Tj

T

英镑

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

= 1 M)

栅源电压

漏电流

功率耗散（ @ T = 70 ° C）

马克斯。工作结温

储存温度

参数

价值

65

+

20

4

74

200

-65到+ 200

单位

V

A

W

°C

热数据

R

日（J -C ）

结-Case热阻

1.75

° C / W

1/7

24 2003年3月

SD57030

电气规格

(T

例

= 25

°

C)

STATIC

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ Q）

V

DS （ ON）

G

FS

C

国际空间站

*

C

OSS

C

RSS

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 20 V

V

DS

= 28 V

V

GS

= 10 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

测试条件

I

DS

= 10毫安

V

DS

= 28 V

V

DS

= 0 V

I

D

= 50毫安

I

D

= 3 A

I

D

= 3 A

V

DS

= 28 V

V

DS

= 28 V

V

DS

= 28 V

F = 1 MHz的

2.0

1.3

1.8

58

34

2.7

分钟。

65

1

5.0

典型值。

马克斯。

单位

V

A

V

姆欧

pF

参考文献。 7143417B

动态

符号

P

OUT

G

PS

η

D

负载

不匹配

V

DD

= 28 V

V

DD

= 28 V

V

DD

= 28 V

测试条件

I

DQ

= 50毫安

I

DQ

= 50毫安

I

DQ

= 50毫安

P

OUT

= 30 W

P

OUT

= 30 W

P

OUT

= 28 W

F = 945 MHz的

分钟。

30

13

50

10:1

15

60

典型值。

马克斯。

单位

W

dB

%

VSWR

V

DD

= 28 V I

DQ

= 50毫安

所有相位角

2/7

SD57030

典型性能（ CW）

输出功率与输入功率

功率增益和效率与输出功率

40

噘嘴，输出功率（ W）

GP ，功率增益（分贝）

21

18

15

12

9

6

3

0

5

10

15

20

25

30

噘嘴，输出功率（ W）

F = 945 MHz的

VDD = 28 V

IDQ = 50毫安

收益

EFF

70

60

50

40

30

20

10

0

35

40

第二，漏极效率（％）

30

20

10

F = 945 MHz的

VDD = 28 V

IDQ = 50毫安

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

引脚，输入POW ER （ W）

输出功率与栅源电压

输出功率与电源电压

35

噘嘴，输出功率（ W）

30

25

20

15

10

5

0

-5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

3

4

VGS ，栅源电压（V ）

F = 945 MHz的

VDD = 28 V

IDQ = 50毫安

35

PIN = 0.84 W

30

25

F = 945 MHz的

IDQ = 50毫安

PIN = 0.47 W

20

15

PIN = 0.24 W

10

5

0

8

12

16

20

24

28

32

VDD ，电源电压（V ）

3/7

SD57030

测试电路原理图

V

GG

+

V

D D

RF

IN

RF

OUT

注意事项：

1.尺寸AT元件符号是参考放置元器件。

2. GAP之间的地面&输电线路= 0.056 [ 1.42 ] 0.002 [ 0.05 ] -0.000 [ 0.00 ] TYP 。

输入和输出组件3.尺寸与EDGE输电线路。

测试电路的组成部分名单

部件

C19

C18, C14

C17

C16, C12, C11,C1

C15

C13

C9, C2

C8

C7, C6, C5 ,C4

C3

R3

R2

R1

FB2 ， FB1

L2, L1

PCB

描述

200

F

/ 63V电解ALLUMINIUM径向引线电容器

0.1

F

/ 500V表面贴装陶瓷贴片电容器

100 pF的ATC 100B表面贴装陶瓷片式电容器

47 pF的ATC 100B表面贴装陶瓷贴片电容器

10

F

/ 50V的铝电解径向引线电容器

100 pF的ATC 700B表面贴装陶瓷片式电容器

0.8-8.0 pF的GIGA TRIM可变电容器

6.2 pF的ATC 100B表面贴装陶瓷片式电容器

10 pF的ATC 100B表面贴装陶瓷片式电容器

3 pF的ATC 100B表面贴装陶瓷片式电容器

120 0 -IM ， 2W表面贴装陶瓷片式电容器

4.7米OHM 1W表面贴装陶瓷片式电容器

18千欧， 1W表面贴装陶瓷片式电容器

SHIELD珠表面贴装EMI

电感， 5圈空绕＃ 22AWG ， ID = 0.059 [ 1.49 ] ，尼龙漆包

线

编织玻璃纤维增强聚四氟乙烯0.080 '' THK ，

ε

R = 2.55 ， 2盎司EDCU两侧

4/7

SD57030

测试电路

SD57030

测试电路摄影大师

SD57030

6.4英寸

4英寸

5/7

SD57030

射频功率晶体管

该

LDMOST

家庭

N沟道增强模式横向

MOSFET的

优良的热稳定性

常见源配置

P

OUT

= 30瓦为13 dB增益@ 945 MHz的

氧化铍无铅封装

M243

（环氧树脂密封）

订货编号

SD57030

BRANDING

TSD57030

描述

在SD57030是一种常见的源N沟道

增强模式横向场效应RF功率

晶体管专为宽带商业和

高达1.0工业应用的频率

千兆赫。在SD57030是专为高增益和

宽带性能的常用操作

28五源模式，是理想的基地台

应用程序需要高线性度。

引脚连接

1

3

2

1.漏

2.门

3.源

绝对最大额定值

(T

例

= 25

°

C)

符号

V

（ BR ） DSS

V

DGR

V

GS

I

D

P

DISS

Tj

T

英镑

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

= 1 M)

栅源电压

漏电流

功率耗散（ @ T = 70 ° C）

马克斯。工作结温

储存温度

参数

价值

65

+

20

4

74

200

-65到+ 200

单位

V

A

W

°C

热数据

R

日（J -C ）

结-Case热阻

1.75

° C / W

1/7

24 2003年3月

SD57030

电气规格

(T

例

= 25

°

C)

STATIC

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ Q）

V

DS （ ON）

G

FS

C

国际空间站

*

C

OSS

C

RSS

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 20 V

V

DS

= 28 V

V

GS

= 10 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

测试条件

I

DS

= 10毫安

V

DS

= 28 V

V

DS

= 0 V

I

D

= 50毫安

I

D

= 3 A

I

D

= 3 A

V

DS

= 28 V

V

DS

= 28 V

V

DS

= 28 V

F = 1 MHz的

2.0

1.3

1.8

58

34

2.7

分钟。

65

1

5.0

典型值。

马克斯。

单位

V

A

V

姆欧

pF

参考文献。 7143417B

动态

符号

P

OUT

G

PS

η

D

负载

不匹配

V

DD

= 28 V

V

DD

= 28 V

V

DD

= 28 V

测试条件

I

DQ

= 50毫安

I

DQ

= 50毫安

I

DQ

= 50毫安

P

OUT

= 30 W

P

OUT

= 30 W

P

OUT

= 28 W

F = 945 MHz的

分钟。

30

13

50

10:1

15

60

典型值。

马克斯。

单位

W

dB

%

VSWR

V

DD

= 28 V I

DQ

= 50毫安

所有相位角

2/7

SD57030

典型性能（ CW）

输出功率与输入功率

功率增益和效率与输出功率

40

噘嘴，输出功率（ W）

GP ，功率增益（分贝）

21

18

15

12

9

6

3

0

5

10

15

20

25

30

噘嘴，输出功率（ W）

F = 945 MHz的

VDD = 28 V

IDQ = 50毫安

收益

EFF

70

60

50

40

30

20

10

0

35

40

第二，漏极效率（％）

30

20

10

F = 945 MHz的

VDD = 28 V

IDQ = 50毫安

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

引脚，输入POW ER （ W）

输出功率与栅源电压

输出功率与电源电压

35

噘嘴，输出功率（ W）

30

25

20

15

10

5

0

-5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

3

4

VGS ，栅源电压（V ）

F = 945 MHz的

VDD = 28 V

IDQ = 50毫安

35

PIN = 0.84 W

30

25

F = 945 MHz的

IDQ = 50毫安

PIN = 0.47 W

20

15

PIN = 0.24 W

10

5

0

8

12

16

20

24

28

32

VDD ，电源电压（V ）

3/7

SD57030

测试电路原理图

V

GG

+

V

D D

RF

IN

RF

OUT

注意事项：

1.尺寸AT元件符号是参考放置元器件。

2. GAP之间的地面&输电线路= 0.056 [ 1.42 ] 0.002 [ 0.05 ] -0.000 [ 0.00 ] TYP 。

输入和输出组件3.尺寸与EDGE输电线路。

测试电路的组成部分名单

部件

C19

C18, C14

C17

C16, C12, C11,C1

C15

C13

C9, C2

C8

C7, C6, C5 ,C4

C3

R3

R2

R1

FB2 ， FB1

L2, L1

PCB

描述

200

F

/ 63V电解ALLUMINIUM径向引线电容器

0.1

F

/ 500V表面贴装陶瓷贴片电容器

100 pF的ATC 100B表面贴装陶瓷片式电容器

47 pF的ATC 100B表面贴装陶瓷贴片电容器

10

F

/ 50V的铝电解径向引线电容器

100 pF的ATC 700B表面贴装陶瓷片式电容器

0.8-8.0 pF的GIGA TRIM可变电容器

6.2 pF的ATC 100B表面贴装陶瓷片式电容器

10 pF的ATC 100B表面贴装陶瓷片式电容器

3 pF的ATC 100B表面贴装陶瓷片式电容器

120 0 -IM ， 2W表面贴装陶瓷片式电容器

4.7米OHM 1W表面贴装陶瓷片式电容器

18千欧， 1W表面贴装陶瓷片式电容器

SHIELD珠表面贴装EMI

电感， 5圈空绕＃ 22AWG ， ID = 0.059 [ 1.49 ] ，尼龙漆包

线

编织玻璃纤维增强聚四氟乙烯0.080 '' THK ，

ε

R = 2.55 ， 2盎司EDCU两侧

4/7

SD57030

测试电路

SD57030

测试电路摄影大师

SD57030

6.4英寸

4英寸

5/7