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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第508页 > TSD2444CX
TSD2444
低的Vce （ sat）的NPN晶体管
引脚分配：
1.基地
2.辐射源
3.收集
BV
首席执行官
= 20V
IC = 1A
V
CE （SAT）
， = 0.2V （典型值） @Ic / IB = 0.5A / 50毫安
特点
低V
CE （SAT） 。
优良的直流电流增益特性
订购信息
产品型号
TSD2444CX
填料
磁带&卷轴
包
SOT-23
结构
外延平面型。
补充TSB1590CX
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C
除非另有说明）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作结温
工作结存储温度范围
注： 1，单脉冲， PW = 10毫秒
DC
脉冲
P
D
T
J
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
极限
40V
20V
5
1
1.5 （注1）
0.225
+150
- 55 + 150
单位
V
V
V
A
W
o
o
C
C
电气特性
TA = 25
o
C除非另有说明
参数
STATIC
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
=为10uA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
=为10uA ，我
C
= 0
V
CB
= 20V ，我
E
= 0
V
EB
= 4V ，我
C
= 0
I
C
/ I
B
= 500毫安/ 50毫安
V
CE
= 2V ，我
C
= 0.1A
V
CE
= 5V ，我
C
= 50mA时
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
民
40
20
5
--
--
--
82
--
--
典型值
--
--
--
--
--
0.2
--
150
15
最大
--
--
--
0.5
0.5
0.4
390
--
--
单位
V
V
V
uA
uA
V
兆赫
pF
注：脉冲测试：脉冲宽度< = 380uS ，占空比< = 2 ％
分类h及
FE
秩
范围
P
82 - 180
Q
120 - 270
R
180 - 390
TSD2444
1-3
2003/12转。一
电气特性曲线
TSD2444
2-3
2003/12转。一
SOT- 23机械制图
A
B
F
SOT- 23外形尺寸
暗淡
A
MILLIMETERS
民
最大
2.80
0.30
1.70
0.25
1.2
0.89
0.08
3.04
0.50
2.30
0.65
1.60
1.30
0.17
英寸
民
最大
0.110
0.012
0.067
0.010
0.047
0.035
0.003
0.120
0.020
0.091
0.026
0.063
0.051
0.006
E
B
C
D
E
F
G
G
D
C
标记：
BS
TSD2444
3-3
2003/12转。一
查看更多TSD2444CXPDF信息
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TC54VN2301EMBRTP
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TPS2330IDRG4
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TSD2444CX
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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TSD2444CX
TSC
2019
79600
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
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TSC/台半
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联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
TSD2444CX
TSC
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联系人：夏先生
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TSD2444CX
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