TSD1664
低VCESAT NPN晶体管
SOT-89
针脚定义：
1.基地
2.收集
3.辐射源
产品概述
BV
首席执行官
BV
CBO
I
C
V
CE （ SAT ）
32V
40V
1A
0.15V @我
C
/ I
B
= 500毫安/ 50毫安
特点
●
●
低V
CE （ SAT ）
0.15V @我
C
/ I
B
= 500毫安/ 50毫安（典型值）。
与TSB1132补充部分
订购信息
产品型号
TSD1664CY RM
TSD1664CY RMG
包
SOT-89
SOT-89
填料
1Kpcs / 7 “卷轴
1Kpcs / 7 “卷轴
结构
●
●
外延平面型
NPN硅晶体管
注： “G”表示为无卤产品
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作结温
工作结存储温度范围
注： 1，单脉冲， PW = 20毫秒， Duty≤50 ％
2.当安装在一个40 ×50× 0.7毫米陶瓷板。
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
极限
40
32
5
1
2 （注1）
0.5
2 （注2 ）
+150
- 55 + 150
单位
V
V
V
A
W
o
o
C
C
电气规格
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
h
FE
值被分类如下：
秩
Q
R
h
FE
120~270
180~390
条件
I
C
= 50uA的，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 50uA的，我
C
= 0
V
CB
= 20V ，我
E
= 0
V
EB
= 4V ，我
C
= 0
I
C
/ I
B
= 500毫安/ 50毫安
V
CE
= 3V ，我
C
= 100毫安
V
CE
= 5V ，我
C
=-50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
民
40
32
5
--
--
--
120
50
--
典型值
--
--
--
--
--
0.15
--
150
10
最大
--
--
--
0.5
0.5
0.4
390
--
20
单位
V
V
V
uA
uA
V
兆赫
pF
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版本： B07
TSD1664
低VCESAT NPN晶体管
SOT- 89机械制图
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
SOT- 89外形尺寸
MILLIMETERS
英寸
民
最大
民
最大
4.40
4.60
0.173
0.181
1.50
1.7
0.059
0.070
2.30
2.60
0.090
0.102
0.40
0.52
0.016
0.020
1.50
1.50
0.059
0.059
3.00
3.00
0.118
0.118
0.89
1.20
0.035
0.047
4.05
4.25
0.159
0.167
1.4
1.6
0.055
0.068
0.35
0.44
0.014
0.017
标记图
Y
=年份代码
M
=月守则
（ A =一月，
B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，
I =月， J =月， K =月， L =月）
=月守则无卤产品
（O =月，
P =月， Q =月， R = APL， S =日， T =俊， U =月，V =月，
W =月， X =月， Y =月， Z =月）
L
- 批次编号
X
=的hFE排名代码
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低VCESAT NPN晶体管
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