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1.0A薄型芯片
肖特基整流器器
TSCDA12-TSCDA110
1.0A薄型芯片肖特基整流器
特点
薄型封装,内建应力消除
低功耗,高效率
高浪涌电流能力
超极本低正向电压
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类科幻阳离子94V- 0
符合RoHS
C2010
( SMA)的
机械数据
案例:
终端:
极性:
重量:
便携与FRP衬底和环氧树脂欠补偿
纯锡镀焊每MIL -STD- 750 ,方法2026
激光阴极带标记
0.02克
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明)
符号
描述
标识代码
TSCDA12
S12
20
14
20
TSCDA14
S14
40
28
40
1.0
30
0.50
0.2
28.0
-55到+125
-55到+150
-55到+150
0.70
0.85
TSCDA16 TSCDA110
S16
60
42
60
S110
100
70
100
V
V
V
A
A
V
mA
° C / W
°C
°C
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
Io
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
R
θJL
T
J
T
英镑
马克斯。经常峰值反向电压
马克斯。 RMS电压
马克斯。阻断电压DC
马克斯。正向平均整流
电流(图1)
峰值正向浪涌电流(注1)
马克斯。在正向电压
1.0A (注2 )
马克斯。 DC反向电流在额定DC
阻断电压@ TA = 25℃
典型热阻,结到
铅(注3 )
工作结温范围
存储温度范围
注意:
1. 8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
与PW 2.脉冲测试= 300微秒, 1 %占空比。
3. P.C.B.安装5.0× 5.0毫米( 0.2× 0.2" )铜焊垫领域。
TAITRON零部件股份有限公司
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版本A / JJ 2007-06-15
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1.0A薄型芯片肖特基整流器
TSCDA12-TSCDA110
典型特性曲线
FIG.1-正向电流降额曲线
I
FSM
瞬时
正向电流
(A)
环境温度T
a
(°C)
Io
(AV)
平均整流电流( A)
图2 -Max的。非重复正向浪涌电流
循环次数在60Hz
FIG.3-典型正向特性
FIG.4-典型的反向特性
I
R
瞬时反向电流
(MA )
I
F
瞬时
正向电流
(A)
V
F
正向电压( V)
额定反向电压百分比( % )
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TSCDA12-TSCDA110
FIG.5-典型结电容
CJ结
电容
(
pF的)
反向电压
(V)
标识信息:
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TSCDA12-TSCDA110
英制尺寸(mm)
C2010
( SMA)的
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