1.0A薄型芯片
肖特基整流器器
TSCD12WS-TSCD16WS
1.0A薄型芯片肖特基整流器
特点
低调与SMD封装
低功耗，高效率
高电流能力，低压降
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类科幻阳离子94V- 0
符合RoHS
机械数据
案例：
终端：
极性
重量：
0805 SMD封装，模压塑体
纯锡镀焊每MIL -STD- 750 ，方法2026
激光阴极带标记
0.005克
C0805
(SOD-323)
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
标识代码
描述
TSCD12WS
A2
20
14
20
TSCD14WS
A4
40
28
40
1.0
10
-55到+125
-55到+150
-55到+150
TSCD16WS
A6
60
42
60
V
V
V
A
A
°C
°C
见图1
8.3ms单半
正弦波
单位
条件
V
RRM
V
DC
V
RWM
I
F（ AV ）
反向重复峰值电压
最大直流阻断电压
工作峰值反向电压
正向整流电流
非重复峰值正向浪涌电流
工作结温范围
存储温度范围
I
FSM
T
J
T
英镑
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
正向电压
典型热阻
反向电流
TSCD12WS
0.45
TSCD14WS
0.50
28
88
200
TSCD16WS
0.65
单位
V
° C / W
μA
条件
IF = 1.0A （注1）
（注2 ）
V
F
R
θ -JL
R
θ -JA
I
R
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注意事项：
1.脉冲测试宽度PW = 300usec ， 1 ％的占空比。
2.安装在交媾板0.2× 0.2" （ 5.0× 5.0毫米）铜垫的地方。
典型特性曲线
IF （ AV）平均整流电流（A ）
铅温度（ ℃）
FIG.1-正向电流降额曲线
PEAK
正向浪涌电流
(A)
循环次数在60Hz
图2 -Max的。非重复正向浪涌电流
正向电压（ V）
FIG.3-典型正向特性
瞬时反向电流（mA ）
瞬时
正向电流
(A)
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
FIG.4-典型的反向特性
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连接点
电容
(
pF的）
反向电压（V
R
)
FIG.5-典型结电容
标识信息：
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英制尺寸（mm）
C0805
(SOD-323)
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