200毫安薄型芯片
肖特基整流器器
TSCD022WT-TSCD024WTR
200毫安薄型芯片肖特基整流器
特点
低调与SMD封装
低功耗,高效率
高电流能力,低压降
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类科幻阳离子94V- 0
符合RoHS
C0603
(SOD-523)
机械数据
案例:
终端:
极性
重量:
0603 SMD封装,模压塑体
纯锡镀焊每MIL -STD- 750 ,方法2026
激光阴极带标记
0.003克
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明)
符号
标识代码
描述
TSCD022
WT
2D
20
20
200
2.0
-40到+125
-40到+125
TSCD022
WTR
2D1
TSCD024
WT
4D
40
40
TSCD024
WTR
4D1
V
V
mA
A
°C
°C
8.3ms单半
正弦波
单位
条件
V
RRM
V
RWM
I
F( AV )
最大重复峰值反向电压
最大工作峰值反向电压
正向整流电流
非重复峰值正向浪涌电流
工作结温范围
存储温度范围
I
FSM
T
J
T
英镑
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明)
符号
描述
最大正向电压
降
最大DC反向电流在额定DC
阻断电压
TSCD022
WT
TSCD022
WTR
TSCD024
WT
TSCD024
WTR
单位
V
50
1
*
μA
条件
IF = 0.2A
V
F
I
R
0.45
50
1
*
*
VR=10V
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版本C / AH 2007-12-21
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200毫安薄型芯片肖特基整流器
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典型特性曲线
IF ( AV)平均整流电流(A )
峰值正向浪涌电流( A)
铅温度( ℃)
FIG.1-正向电流降额曲线
循环次数在60Hz
图2 -Max的。非重复正向浪涌电流
正向电压( V)
FIG.3-典型正向特性
瞬时反向电流( μA )
正向电流(mA )
1999额定峰值反向电压百分比(% )
FIG.4-典型的反向特性
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TSCD022WT-TSCD024WTR
C
J
结电容(pF )
反向电压( V)
图5 - 典型结电容
标识信息:
TSCD022WT
TSCD024WT
TSCD022WTR
TSCD024WTR
版本C / AH 2007-12-21
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英制尺寸(mm)
C0603
(SOD-523)
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