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TSB1132
低频PNP晶体管
引脚分配：
1.基地
2.收集
3.辐射源
BV
首席执行官
= - 32V
IC = - 1A
V
CE （SAT）
， = - 0.15V （典型值） @Ic / IB = - 0.5A / - 50毫安
特点
低V
CE （SAT） 。
优良的直流电流增益特性
订购信息
产品型号
TSB1132CY
填料
磁带&卷轴
包
SOT-89
记号
BK
结构
外延平面型。
PNP硅晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C
除非另有说明）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作结温
工作结存储温度范围
注： 1，单脉冲， PW = 10ms时，占空比< = 50 ％
2.当安装在一个40 ×40× 0.7毫米陶瓷板
DC
脉冲
SOT-89
P
D
T
J
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
极限
- 40V
- 32V
-5
-1
- 2.5 （注1 ）
0.6
2 （注2 ）
+150
- 55 + 150
单位
V
V
V
A
W
o
o
C
C
电气特性
TA = 25
o
C除非另有说明
参数
STATIC
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= - 50uA的，我
E
= 0
I
C
= - 1mA时，我
B
= 0
I
E
= - 50uA的，我
C
= 0
V
CB
= - 20V ，我
E
= 0
V
EB
= - 4V ，我
C
= 0
I
C
/ I
B
= - 500毫安/ - 50毫安
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 0.1A
V
CE
= - 5V ，我
C
= - 50mA时
F = 100MHz的
V
CB
= - 10V ， F = 1MHz的
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
民
- 40
- 32
-5
典型值
最大
单位
V
V
V
- 0.5
-0.5
- 0.15
82
150
20
30
- 0.5
390
uA
uA
V
兆赫
pF
注：脉冲测试：脉冲宽度< = 380uS ，占空比< = 2 ％
分类h及
FE
秩
范围
P
82 - 180
Q
120 - 270
R
180 - 390
TSB1132
1-1
2003/12转。 B
电气特性曲线
TSB1132
2-2
2003/12转。 B
SOT- 89机械制图
A
B
I
暗淡
A
B
C
D
E
F
J
H
G
C
SOT- 89外形尺寸
MILLIMETERS
英寸
民
最大
民
最大
4.40
4.60
0.173
0.181
1.50
1.7
0.059
0.070
2.30
2.60
0.090
0.102
0.40
0.52
0.016
0.020
1.50
1.50
0.059
0.059
3.00
3.00
0.118
0.118
0.89
4.05
1.4
0.35
1.20
4.25
1.6
0.44
0.035
0.159
0.055
0.014
0.047
0.167
0.068
0.017
E
D
F
G
H
I
J
TSB1132
3-3
2003/12转。 B
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供货商
型号
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批号
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封装
单价/备注
操作
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    TSB1132CY
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TSB1132CY
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