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TSAL7300
威世德律风根
的GaAs / GaAlAs的红外发光二极管在直径5毫米（ T-1
）包
描述
TSAL7300是一个高效率的红外发光二极管
在砷化镓技术的GaAlAs ，模压在透明，
塑料封装。
在与砷化镓的标准比较砷化镓
这些技术的发射实现超过100 ％
辐射功率的改善，在类似的波长。
的正向电压在低电流和高脉冲
电流大致对应的低的值
标准技术。因此，这些发射器
理想地适合于作为高性能替代
标准的发射器。
94 8389
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
超高辐射功率和辐射强度
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
标准T -1
（直径5毫米）的封装
半强度角
=
±
22
°
峰值波长
l
p
= 940纳米
高可靠性
良好的光谱匹配Si光电探测器
应用
红外遥控器的高功率要求
自由的空气传输系统
红外光源的光学计数器和读卡器
红外光源的烟雾探测器
文档编号81013
第1版， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
TSAL7300
威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
m
s
t
p
= 100
m
s
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1,5
210
100
–55...+100
–55...+100
260
350
单位
V
mA
mA
A
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
t
x
5秒，从2毫米的情况下，
基本特征
T
AMB
= 25
_
C
参数
正向电压
g
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
辐射强度
y
辐射功率
温度。系数
f
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
l
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100
m
s
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100
m
s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 1 A
I
F
= 100毫安
I
F
= 1 A
方法： 63 ％包围
能源
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
TK
f
e
民
典型值
1.35
2.6
–1.875
25
45
350
35
–0.6
±22
940
50
0.2
800
500
800
500
2.1
最大
1.6
3
10
30
260
单位
V
V
毫伏/ K
m
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
ns
ns
mm
f
e
TK
l
p
t
r
t
r
t
f
t
f
l
p
Dl
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (6)
文档编号81013
第1版， 20日， 99
TSAL7300
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
250
P
V
- 功耗（MW ）
200
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
10
3
150
R
thJA
100
10
2
t
p
= 100
m
s
t
p
/ T = 0.001
10
1
50
0
0
20
40
60
80
100
10
0
0
13600
1
2
3
4
94 7957 e
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
F
- 正向电压（ V）
图1.功耗与环境温度
250
200
V
Frel
- 相对正向电压
I
F
- 正向电流（mA ）
图4.正向电流与正向电压
1.2
1.1
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
150
100
R
thJA
50
0
0
20
40
60
80
100
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
96 11986
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
94 7990 e
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图2.正向电流与环境温度
图5.相对正向电压 -
环境温度
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
10
1
I
F
- 正向电流（ A）
I
FSM
= 1 A（单脉冲）
t
p
/ T = 0.01
10
0
0.1
0.5
0.05
100
10
1
1.0
10
–1
10
–2
96 11987
0.1
10
–1
10
0
10
1
10
2
14327
10
0
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
图6.辐射强度与正向电流
文档编号81013
第1版， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
3 (6)
TSAL7300
威世德律风根
1000
1.25
F
ê相对
- 相对辐射功率
F
e
- 辐射功率（mW ）
100
1.0
0.75
0.5
10
1
0.25
I
F
= 100毫安
0
890
0.1
10
0
13602
10
1
10
2
10
3
10
4
14291
I
F
- 正向电流（mA ）
l
- 波长（nm ）
940
990
图7.辐射功率与正向电流
图9.相对辐射功率与波长
0°
10
°
20
°
1.6
I
ê相对
- 相对辐射强度
30°
1.2
I
ê相对
;
F
ê相对
I
F
= 20毫安
0.8
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.4
0
–10 0 10
94 7993 e
50
100
140
94 8883
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图8.相对。辐射强度\\功率对
环境温度
图10.相对辐射强度对比
角位移
www.vishay.de
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文档编号81013
第1版， 20日， 99
TSAL7300
威世德律风根
尺寸（mm）
96 12126
文档编号81013
第1版， 20日， 99
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TSAL7300
威世德律风根
的GaAs / GaAlAs的红外发光二极管在直径5毫米（ T-1
）包
描述
TSAL7300是一个高效率的红外发光二极管
在砷化镓技术的GaAlAs ，模压在透明，
塑料封装。
在与砷化镓的标准比较砷化镓
这些技术的发射实现超过100 ％
辐射功率的改善，在类似的波长。
的正向电压在低电流和高脉冲
电流大致对应的低的值
标准技术。因此，这些发射器
理想地适合于作为高性能替代
标准的发射器。
94 8389
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
超高辐射功率和辐射强度
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
标准T -1
（直径5毫米）的封装
半强度角
=
±
22
°
峰值波长
l
p
= 940纳米
高可靠性
良好的光谱匹配Si光电探测器
应用
红外遥控器的高功率要求
自由的空气传输系统
红外光源的光学计数器和读卡器
红外光源的烟雾探测器
文档编号81013
第1版， 20日， 99
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FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
TSAL7300
威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
m
s
t
p
= 100
m
s
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1,5
210
100
–55...+100
–55...+100
260
350
单位
V
mA
mA
A
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
t
x
5秒，从2毫米的情况下，
基本特征
T
AMB
= 25
_
C
参数
正向电压
g
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
辐射强度
y
辐射功率
温度。系数
f
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
l
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100
m
s
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100
m
s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 1 A
I
F
= 100毫安
I
F
= 1 A
方法： 63 ％包围
能源
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
TK
f
e
民
典型值
1.35
2.6
–1.875
25
45
350
35
–0.6
±22
940
50
0.2
800
500
800
500
2.1
最大
1.6
3
10
30
260
单位
V
V
毫伏/ K
m
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
ns
ns
mm
f
e
TK
l
p
t
r
t
r
t
f
t
f
l
p
Dl
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FaxBack + 1-408-970-5600
2 (6)
文档编号81013
第1版， 20日， 99
TSAL7300
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
250
P
V
- 功耗（MW ）
200
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
10
3
150
R
thJA
100
10
2
t
p
= 100
m
s
t
p
/ T = 0.001
10
1
50
0
0
20
40
60
80
100
10
0
0
13600
1
2
3
4
94 7957 e
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
F
- 正向电压（ V）
图1.功耗与环境温度
250
200
V
Frel
- 相对正向电压
I
F
- 正向电流（mA ）
图4.正向电流与正向电压
1.2
1.1
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
150
100
R
thJA
50
0
0
20
40
60
80
100
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
96 11986
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
94 7990 e
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图2.正向电流与环境温度
图5.相对正向电压 -
环境温度
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
10
1
I
F
- 正向电流（ A）
I
FSM
= 1 A（单脉冲）
t
p
/ T = 0.01
10
0
0.1
0.5
0.05
100
10
1
1.0
10
–1
10
–2
96 11987
0.1
10
–1
10
0
10
1
10
2
14327
10
0
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
图6.辐射强度与正向电流
文档编号81013
第1版， 20日， 99
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FaxBack + 1-408-970-5600
3 (6)
TSAL7300
威世德律风根
1000
1.25
F
ê相对
- 相对辐射功率
F
e
- 辐射功率（mW ）
100
1.0
0.75
0.5
10
1
0.25
I
F
= 100毫安
0
890
0.1
10
0
13602
10
1
10
2
10
3
10
4
14291
I
F
- 正向电流（mA ）
l
- 波长（nm ）
940
990
图7.辐射功率与正向电流
图9.相对辐射功率与波长
0°
10
°
20
°
1.6
I
ê相对
- 相对辐射强度
30°
1.2
I
ê相对
;
F
ê相对
I
F
= 20毫安
0.8
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.4
0
–10 0 10
94 7993 e
50
100
140
94 8883
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图8.相对。辐射强度\\功率对
环境温度
图10.相对辐射强度对比
角位移
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文档编号81013
第1版， 20日， 99
TSAL7300
威世德律风根
尺寸（mm）
96 12126
文档编号81013
第1版， 20日， 99
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5 (6)
TSAL7300
威世半导体
高功率红外发光二极管，符合RoHS ， 940纳米，
砷化镓铝/砷化镓
特点
包装类型：含铅
包装形式： T- 1.75
尺寸（单位：mm） ：
5
峰值波长：
λ
p
= 940纳米
高可靠性
高辐射功率
高辐射强度
半强度角：
= ± 22°
94
8389
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
与硅光电探测器良好的光谱匹配
描述
TSAL7300是红外线， 940纳米的发光二极管
砷化镓铝/砷化镓技术，具有高功率辐射成型
清晰，不着色的塑料封装。
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
同
应用
红外线遥控器具有高功率需求
自由空气传输系统
红外光源光学计数器和读卡器
产品概述
部件
TSAL7300
I
e
（毫瓦/ SR）
45
（度）
± 22
λ
P
（纳米）
940
t
r
（纳秒）
800
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
TSAL7300
记
最小起订量：最小起订量
包装
体积
备注
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
包装形式
T-1
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
t
≤
5秒2毫米的情况下
J- STD- 051 ，导致7毫米焊接
在PCB
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1.5
160
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
230
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号： 81013
修订版1.5 ， 04 09月08
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
119
TSAL7300
威世半导体
高功率红外发光二极管，符合RoHS
标准， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓
180
120
100
80
P
V
- 功耗（MW ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20 30
40
50
60
70
80
90
100
21212
I
F
- 正向电流（mA ）
R
thJA
= 230 K / W
60
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
R
thJA
= 230 K / W
21211
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 1 A
I
F
= 100毫安
I
F
= 1 A
方法： 63 ％的能量包围
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
r
t
f
t
f
d
30
260
25
45
350
35
- 0.6
± 22
940
50
0.2
800
500
800
500
2.3
150
分钟。
典型值。
1.35
2.6
- 1.8
10
马克斯。
1.6
3
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
ns
ns
mm
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120
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81013
修订版1.5 ， 04 09月08
TSAL7300
高功率红外发光二极管，符合RoHS
标准， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
威世半导体
10
1
I
F
- 正向电流（ A）
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
10
2
1000
I
FSM
= 1 A（单脉冲）
t
p
/T = 0.01
10
0
0.05
0.1
0.5
1.0
10
-1
10
-2
100
10
1
96 11987
10
-1
10
0
10
1
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
0.1
10
0
13602
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 辐射功率与正向电流
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
1.6
10
3
I
ê相对
;
Φ
ê相对
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
10
2
t
P
= 100
s
t
P
/T = 0.001
10
1
0.4
10
0
0
13600
1
2
3
4
0
- 10 0 10
94 7993
50
100
140
V
F
- 前进
电压
(V)
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 相对辐射强度/功率随环境温度
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
Φ
REL
- 相对辐射功率
e
1.25
100
1.0
0.75
10
0.5
1
0.25
I
F
= 100毫安
0
890
940
990
0.1
10
0
14327
10
1
10
2
10
3
10
4
14291
I
F
- 正向电流（mA ）
λ
-
波长
（纳米）
图。 5 - 辐射强度与正向电流
图。 8 - 相对辐射功率与波长
文档编号： 81013
修订版1.5 ， 04 09月08
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TSAL7300
威世半导体
高功率红外发光二极管，符合RoHS
标准， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓
0°
10°
20°
30°
I
ê相对
- 相对辐射强度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
94
8883
图。 9 - 相对辐射强度对比角位移
包装尺寸
以毫米为单位
A
C
- 角位移
5.8
± 0.15
7.7
± 0.15
2.49 （球）
(3.6)
8.7
± 0.3
< 0.7
34.4
± 0.55
地区没有飞机
5
± 0.15
0.6
+ 0.2
- 0.1
1.5
± 0.25
0.5
0.5
+ 0.15
- 0.05
+ 0.15
- 0.05
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
2.54喃。
6.544-5259.05-4
问题： 7 ; 99年11月29日
96 12126
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如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81013
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法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
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本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
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文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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TSAL7300
威世半导体
高功率红外发光二极管， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓
特点
包装类型：含铅
包装形式： T- 1.75
尺寸（单位：mm） ：
5
峰值波长：
λ
p
= 940纳米
高可靠性
高辐射功率
高辐射强度
半强度角：
= ± 22°
94
8389
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
与硅光电探测器良好的光谱匹配
描述
TSAL7300是红外线， 940纳米的发光二极管
砷化镓铝/砷化镓技术，具有高功率辐射成型
清晰，不着色的塑料封装。
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据WEEE指令2002/96 / EC
和
in
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
应用
红外线遥控器具有高功率需求
自由空气传输系统
红外光源光学计数器和读卡器
产品概述
部件
TSAL7300
I
e
（毫瓦/ SR）
45
（度）
± 22
λ
P
（纳米）
940
t
r
（纳秒）
800
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
TSAL7300
记
最小起订量：最小起订量
包装
体积
备注
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
包装形式
T-1
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
t
≤
5秒2毫米的情况下
J- STD- 051 ，导致7毫米焊接
在PCB
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1.5
160
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
230
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号： 81013
修订版1.6 ， 29军， 09
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TSAL7300
威世半导体
高功率红外发光二极管，
940纳米，砷化镓铝/砷化镓
180
120
100
80
P
V
- 功耗（MW ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20 30
40
50
60
70
80
90
100
21212
I
F
- 正向电流（mA ）
R
thJA
= 230 K / W
60
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
R
thJA
= 230 K / W
21211
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 1 A
I
F
= 100毫安
I
F
= 1 A
方法： 63 ％的能量包围
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
r
t
f
t
f
d
30
260
25
45
350
35
- 0.6
± 22
940
50
0.2
800
500
800
500
2.3
150
分钟。
典型值。
1.35
2.6
- 1.8
10
马克斯。
1.6
3
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
ns
ns
mm
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2
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文档编号： 81013
修订版1.6 ， 29军， 09
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高功率红外发光二极管，
威世半导体
940纳米，砷化镓铝/砷化镓
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
1
I
F
- 正向电流（ A）
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
10
2
1000
I
FSM
= 1 A（单脉冲）
t
p
/T = 0.01
10
0
0.05
0.1
0.5
1.0
10
-1
10
-2
100
10
1
96 11987
10
-1
10
0
10
1
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
0.1
10
0
13602
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 辐射功率与正向电流
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
1.6
10
3
I
ê相对
;
Φ
ê相对
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
10
2
t
P
= 100
s
t
P
/T = 0.001
10
1
0.4
10
0
0
13600
1
2
3
4
0
- 10 0 10
94 7993
50
100
140
V
F
- 前进
电压
(V)
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 相对辐射强度/功率随环境温度
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
Φ
REL
- 相对辐射功率
e
1.25
100
1.0
0.75
10
0.5
1
0.25
I
F
= 100毫安
0
890
940
990
0.1
10
0
14327
10
1
10
2
10
3
10
4
14291
I
F
- 正向电流（mA ）
λ
-
波长
（纳米）
图。 5 - 辐射强度与正向电流
图。 8 - 相对辐射功率与波长
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TSAL7300
威世半导体
高功率红外发光二极管，
940纳米，砷化镓铝/砷化镓
0°
10°
20°
30°
I
ê相对
- 相对辐射强度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
94
8883
图。 9 - 相对辐射强度对比角位移
包装尺寸
以毫米为单位
A
C
- 角位移
7.7 ± 0.15
5.8 ± 0.15
R2.49 （球）
8.7
± 0.3
(3.6)
34.4 ± 0.55
< 0.7
地区没有飞机
5 ± 0.15
+ 0.2
0.6 - 0.1
1分钟。
+ 0.15
0.5 - 0.05
2.54喃。
+ 0.15
0.5 - 0.05
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
6.544-5259.05-4
问题：
8;
19.05.09
96 12126
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可靠性，功能，设计或其他原因。
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间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
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的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
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产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
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包括但不限于本文所述的保修。
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TV04A300KB
TDA7273
TJ3964D-ADJ
TLHG4605
TAJD105J016S
TPA2014D1RGPT
TSV612A
TSC80C51T-20ID
TPS77101DGKR
TC9307AF-009
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