添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第315页 > TSAL6200
TSAL6200
威世德律风根
的GaAs / GaAlAs的红外发光二极管在直径5毫米（ T-1
)
包
描述
TSAL6200是一个高效率的红外发光二极管
在砷化镓铝砷化镓（GaAs）技术，成型于清，蓝领
灰色的有色塑料封装。
在与砷化镓的标准比较砷化镓
这些技术的发射实现超过100 ％
辐射功率的改善，在类似的波长。
的正向电压在低电流和高脉冲
电流大致对应的低的值
标准技术。因此，这些发射器
理想地适合于作为高性能替代
标准的发射器。
94 8389
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
超高辐射功率和辐射强度
高可靠性
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
标准T -1
（直径5毫米）的封装
半强度角
=
±
17
°
峰值波长
l
p
= 940纳米
良好的光谱匹配Si光电探测器
应用
红外遥控器的高功率要求
自由的空气传输系统
红外光源的光学计数器和读卡器
红外光源的烟雾探测器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1.5
210
100
–55...+100
–55...+100
260
350
单位
V
mA
mA
A
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
m
s
t
p
= 100
m
s
t
x
5秒，从2毫米的情况下，
文档编号81010
启示录6 ， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (5)
TSAL6200
威世德律风根
基本特征
T
AMB
= 25
_
C
参数
正向电压
g
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
辐射强度
y
辐射功率
温度。系数
f
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
l
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100
m
s
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1.0 A，T
p
= 100
m
s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
方法： 63 ％包围
能源
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
TK
f
e
民
典型值
1.35
2.6
–1.3
25
60
500
35
–0.6
±17
940
50
0.2
800
800
2.8
最大
1.6
3
10
40
340
单位
V
V
毫伏/ K
m
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
mm
f
e
TK
l
p
t
r
t
f
l
p
Dl
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
250
P
V
- 功耗（MW ）
200
I
F
- 正向电流（mA ）
250
200
150
R
thJA
100
150
100
R
thJA
50
0
50
0
0
20
40
60
80
100
0
96 11986
20
40
60
80
100
94 7957 e
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.功耗与环境温度
图2.正向电流与环境温度
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (5)
文档编号81010
启示录6 ， 20日， 99
TSAL6200
威世德律风根
10
1
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
10
2
13601
1000
I
F
- 正向电流（ A）
I
FSM
= 1 A（单脉冲）
t
p
/ T = 0.01
10
0
0.1
0.5
0.05
100
10
1
1.0
10
–1
10
–2
96 11987
0.1
10
–1
10
0
10
1
10
0
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
图6.辐射强度与正向电流
1000
10
3
F
e
- 辐射功率（mW ）
4
13602
100
10
2
t
p
= 100
m
s
t
p
/ T = 0.001
10
10
1
1
10
0
0
13600
0.1
1
2
3
10
0
V
F
- 正向电压（ V）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图4.正向电流与正向电压
1.2
V
Frel
- 相对正向电压
1.1
I
ê相对
;
F
ê相对
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
图7.辐射功率与正向电流
1.6
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
0.4
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
94 7993 e
0
–10 0 10
50
100
140
94 7990 e
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图5.相对正向电压 -
环境温度
图8.相对。辐射强度\\功率对
环境温度
文档编号81010
启示录6 ， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
3 (5)
TSAL6200
威世德律风根
0°
1.25
10
°
20
°
30°
F
ê相对
- 相对辐射功率
1.0
I
ê相对
- 相对辐射强度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.75
0.5
0.25
I
F
= 100毫安
0
890
940
990
14291
l
- 波长（nm ）
14329
图9.相对辐射功率与波长
图10.相对辐射强度对比
角位移
尺寸（mm）
96 12126
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (5)
文档编号81010
启示录6 ， 20日， 99
TSAL6200
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
文档编号81010
启示录6 ， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
5 (5)
TSAL6200
威世半导体
高功率红外发光二极管，符合RoHS ， 940纳米，
砷化镓铝/砷化镓
特点
包装类型：含铅
包装形式： T- 1.75
尺寸（单位：mm） ：
5
峰值波长：
λ
p
= 940纳米
高可靠性
高辐射功率
高辐射强度
半强度角：
= ± 17°
94
8389
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
与硅光电探测器良好的光谱匹配
描述
TSAL6200是红外线， 940纳米的发光二极管
砷化镓铝/砷化镓技术，具有高功率辐射成型
蓝灰色的塑料封装。
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
同
应用
红外线遥控器具有高功率需求
自由空气传输系统
红外光源光学计数器和读卡器
产品概述
部件
TSAL6200
I
e
（毫瓦/ SR）
60
（度）
± 17
λ
P
（纳米）
940
t
r
（纳秒）
800
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
TSAL6200
记
最小起订量：最小起订量
包装
体积
备注
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
包装形式
T-1
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
t
≤
5秒2毫米的情况下
J- STD- 051 ，导致7毫米焊接
在PCB
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1.5
160
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
230
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号： 81010
2.1版， 04月， 08
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
107
TSAL6200
威世半导体
高功率红外发光二极管，符合RoHS
标准， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓
180
120
100
80
P
V
- 功耗（MW ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20 30
40
50
60
70
80
90
100
21212
I
F
- 正向电流（mA ）
R
thJA
= 230 K / W
60
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
R
thJA
= 230 K / W
21211
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
方法： 63 ％的能量包围
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
f
d
40
340
25
60
500
35
- 0.6
± 17
940
50
0.2
800
800
2.4
200
分钟。
典型值。
1.35
2.6
- 1.8
10
马克斯。
1.6
3
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
mm
www.vishay.com
108
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81010
2.1版， 04月， 08
TSAL6200
高功率红外发光二极管，符合RoHS
标准， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
威世半导体
10
1
I
F
- 正向电流（ A）
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
10
2
1000
I
FSM
= 1 A（单脉冲）
t
p
/T = 0.01
10
0
0.05
0.1
0.5
1.0
10
-1
10
-2
100
10
1
96 11987
10
-1
10
0
10
1
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
0.1
10
0
13602
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 辐射功率与正向电流
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
1.6
10
3
I
ê相对
;
Φ
ê相对
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
10
2
t
P
= 100
s
t
P
/T = 0.001
10
1
0.4
10
0
0
13600
1
2
3
4
0
- 10 0 10
94 7993
50
100
140
V
F
- 前进
电压
(V)
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 相对辐射强度/功率随环境温度
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
Φ
REL
- 相对辐射功率
e
1.25
100
1.0
0.75
10
0.5
1
0.25
I
F
= 100毫安
0
890
940
990
0.1
10
0
13601
10
1
10
2
10
3
10
4
14291
I
F
- 正向电流（mA ）
λ
-
波长
（纳米）
图。 5 - 辐射强度与正向电流
图。 8 - 相对辐射功率与波长
文档编号： 81010
2.1版， 04月， 08
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
109
TSAL6200
威世半导体
高功率红外发光二极管，符合RoHS
标准， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓
0°
I
ê相对
- 相对辐射强度
10°
20°
30°
- 角位移
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
14329
图。 9 - 相对辐射强度对比角位移
包装尺寸
以毫米为单位
A
C
± 0.15
5.8
± 0.15
2.49 （球）
(3.5)
± 0.3
7.7
< 0.7
8.7
34.3
± 0.55
地区没有飞机
5
± 0.15
0.6
+ 0.2
- 0.1
1.5
± 0.25
0.5
0.5
+ 0.15
- 0.05
+ 0.15
- 0.05
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
2.54喃。
6.544-5259.06-4
问题： 5 ; 05年9月27日
19257
www.vishay.com
110
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81010
2.1版， 04月， 08
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
TSAL6200
威世德律风根
的GaAs / GaAlAs的红外发光二极管在直径5毫米（ T-1
)
包
描述
TSAL6200是一个高效率的红外发光二极管
在砷化镓铝砷化镓（GaAs）技术，成型于清，蓝领
灰色的有色塑料封装。
在与砷化镓的标准比较砷化镓
这些技术的发射实现超过100 ％
辐射功率的改善，在类似的波长。
的正向电压在低电流和高脉冲
电流大致对应的低的值
标准技术。因此，这些发射器
理想地适合于作为高性能替代
标准的发射器。
94 8389
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
超高辐射功率和辐射强度
高可靠性
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
标准T -1
（直径5毫米）的封装
半强度角
=
±
17
°
峰值波长
l
p
= 940纳米
良好的光谱匹配Si光电探测器
应用
红外遥控器的高功率要求
自由的空气传输系统
红外光源的光学计数器和读卡器
红外光源的烟雾探测器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1.5
210
100
–55...+100
–55...+100
260
350
单位
V
mA
mA
A
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
m
s
t
p
= 100
m
s
t
x
5秒，从2毫米的情况下，
文档编号81010
启示录6 ， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (5)
TSAL6200
威世德律风根
基本特征
T
AMB
= 25
_
C
参数
正向电压
g
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
辐射强度
y
辐射功率
温度。系数
f
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
l
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100
m
s
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1.0 A，T
p
= 100
m
s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
方法： 63 ％包围
能源
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
TK
f
e
民
典型值
1.35
2.6
–1.3
25
60
500
35
–0.6
±17
940
50
0.2
800
800
2.8
最大
1.6
3
10
40
340
单位
V
V
毫伏/ K
m
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
mm
f
e
TK
l
p
t
r
t
f
l
p
Dl
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
250
P
V
- 功耗（MW ）
200
I
F
- 正向电流（mA ）
250
200
150
R
thJA
100
150
100
R
thJA
50
0
50
0
0
20
40
60
80
100
0
96 11986
20
40
60
80
100
94 7957 e
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.功耗与环境温度
图2.正向电流与环境温度
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (5)
文档编号81010
启示录6 ， 20日， 99
TSAL6200
威世德律风根
10
1
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
10
2
13601
1000
I
F
- 正向电流（ A）
I
FSM
= 1 A（单脉冲）
t
p
/ T = 0.01
10
0
0.1
0.5
0.05
100
10
1
1.0
10
–1
10
–2
96 11987
0.1
10
–1
10
0
10
1
10
0
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
图6.辐射强度与正向电流
1000
10
3
F
e
- 辐射功率（mW ）
4
13602
100
10
2
t
p
= 100
m
s
t
p
/ T = 0.001
10
10
1
1
10
0
0
13600
0.1
1
2
3
10
0
V
F
- 正向电压（ V）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图4.正向电流与正向电压
1.2
V
Frel
- 相对正向电压
1.1
I
ê相对
;
F
ê相对
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
图7.辐射功率与正向电流
1.6
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
0.4
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
94 7993 e
0
–10 0 10
50
100
140
94 7990 e
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图5.相对正向电压 -
环境温度
图8.相对。辐射强度\\功率对
环境温度
文档编号81010
启示录6 ， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
3 (5)
TSAL6200
威世德律风根
0°
1.25
10
°
20
°
30°
F
ê相对
- 相对辐射功率
1.0
I
ê相对
- 相对辐射强度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.75
0.5
0.25
I
F
= 100毫安
0
890
940
990
14291
l
- 波长（nm ）
14329
图9.相对辐射功率与波长
图10.相对辐射强度对比
角位移
尺寸（mm）
96 12126
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (5)
文档编号81010
启示录6 ， 20日， 99
TSAL6200
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
文档编号81010
启示录6 ， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
5 (5)
TSAL6200
威世半导体
高功率红外发光二极管， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓
特点
包装类型：含铅
包装形式： T- 1.75
尺寸（单位：mm） ： 5
峰值波长：
λ
p
= 940纳米
高可靠性
高辐射功率
高辐射强度
半强度角：
= ± 17°
94
8389
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
与硅光电探测器良好的光谱匹配
描述
TSAL6200是红外线， 940纳米的发光二极管
砷化镓铝/砷化镓技术，具有高功率辐射成型
蓝灰色的塑料封装。
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据WEEE指令2002/96 / EC
和
in
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
应用
红外线遥控器具有高功率需求
自由空气传输系统
红外光源光学计数器和读卡器
产品概述
部件
TSAL6200
I
e
（毫瓦/ SR）
60
（度）
± 17
λ
P
（纳米）
940
t
r
（纳秒）
800
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
TSAL6200
记
最小起订量：最小起订量
包装
体积
备注
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
包装形式
T-1
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
t
≤
5秒2毫米的情况下
J- STD- 051 ，导致7毫米焊接
在PCB
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1.5
160
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
230
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号： 81010
2.2版， 22军， 09
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
TSAL6200
威世半导体
高功率红外发光二极管，
940纳米，砷化镓铝/砷化镓
180
120
100
80
P
V
- 功耗（MW ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20 30
40
50
60
70
80
90
100
21212
I
F
- 正向电流（mA ）
R
thJA
= 230 K / W
60
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
R
thJA
= 230 K / W
21211
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
方法： 63 ％的能量包围
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
f
d
40
340
25
60
500
35
- 0.6
± 17
940
50
0.2
800
800
2.4
200
分钟。
典型值。
1.35
2.6
- 1.8
10
马克斯。
1.6
3
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
mm
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81010
2.2版， 22军， 09
TSAL6200
高功率红外发光二极管，
威世半导体
940纳米，砷化镓铝/砷化镓
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
1
I
F
- 正向电流（ A）
1000
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
10
2
13602
I
FSM
= 1 A（单脉冲）
t
p
/T = 0.01
10
0
0.05
0.1
0.5
1.0
10
-1
10
-2
100
10
1
10
-1
10
0
10
1
0.1
10
0
96 11987
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 辐射功率与正向电流
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
1.6
10
3
I
ê相对
;
Φ
ê相对
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
10
2
t
P
= 100
s
t
P
/T = 0.001
10
1
0.4
10
0
0
13600
1
2
3
4
0
- 10 0 10
94 7993
50
100
140
V
F
- 前进
电压
(V)
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 相对辐射强度/功率随环境温度
1000
1.25
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
Φ
REL
- 相对辐射功率
e
100
1.0
0.75
10
0.5
1
0.25
I
F
= 100毫安
0
890
940
990
0.1
10
0
13601
10
1
10
2
10
3
10
4
14291
I
F
- 正向电流（mA ）
λ
-
波长
（纳米）
图。 5 - 辐射强度与正向电流
图。 8 - 相对辐射功率与波长
文档编号： 81010
2.2版， 22军， 09
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
TSAL6200
威世半导体
高功率红外发光二极管，
940纳米，砷化镓铝/砷化镓
0°
I
ê相对
- 相对辐射强度
10°
20°
30°
- 角位移
5.8
± 0.15
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
14329
图。 9 - 相对辐射强度对比角位移
包装尺寸
以毫米为单位
A
C
± 0.15
8.7
± 0.3
7.7
(3.5)
2.49 （球）
< 0.7
34.3
± 0.55
地区没有飞机
+ 0.2
- 0.1
0.6
5
± 0.15
1分钟。
0.5
0.5
+ 0.15
- 0.05
+ 0.15
- 0.05
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
2.54喃。
水彩编号： 6.544-5259.06-4
问题： 6 ; 09年5月19日
19257
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81010
2.2版， 22军， 09
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
www.vishay.com
1
TSAL6200
威世德律风根
的GaAs / GaAlAs的红外发光二极管在直径5毫米（ T-1
)
包
描述
TSAL6200是一个高效率的红外发光二极管
在砷化镓铝砷化镓（GaAs）技术，成型于清，蓝领
灰色的有色塑料封装。
在与砷化镓的标准比较砷化镓
这些技术的发射实现超过100 ％
辐射功率的改善，在类似的波长。
的正向电压在低电流和高脉冲
电流大致对应的低的值
标准技术。因此，这些发射器
理想地适合于作为高性能替代
标准的发射器。
94 8389
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
超高辐射功率和辐射强度
高可靠性
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
标准T -1
（直径5毫米）的封装
半强度角
=
±
17
°
峰值波长
l
p
= 940纳米
良好的光谱匹配Si光电探测器
应用
红外遥控器的高功率要求
自由的空气传输系统
红外光源的光学计数器和读卡器
红外光源的烟雾探测器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1.5
210
100
–55...+100
–55...+100
260
350
单位
V
mA
mA
A
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
m
s
t
p
= 100
m
s
t
x
5秒，从2毫米的情况下，
文档编号81010
启示录6 ， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (5)
TSAL6200
威世德律风根
基本特征
T
AMB
= 25
_
C
参数
正向电压
g
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
辐射强度
y
辐射功率
温度。系数
f
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
l
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100
m
s
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1.0 A，T
p
= 100
m
s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
方法： 63 ％包围
能源
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
TK
f
e
民
典型值
1.35
2.6
–1.3
25
60
500
35
–0.6
±17
940
50
0.2
800
800
2.8
最大
1.6
3
10
40
340
单位
V
V
毫伏/ K
m
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
mm
f
e
TK
l
p
t
r
t
f
l
p
Dl
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
250
P
V
- 功耗（MW ）
200
I
F
- 正向电流（mA ）
250
200
150
R
thJA
100
150
100
R
thJA
50
0
50
0
0
20
40
60
80
100
0
96 11986
20
40
60
80
100
94 7957 e
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.功耗与环境温度
图2.正向电流与环境温度
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (5)
文档编号81010
启示录6 ， 20日， 99
TSAL6200
威世德律风根
10
1
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
10
2
13601
1000
I
F
- 正向电流（ A）
I
FSM
= 1 A（单脉冲）
t
p
/ T = 0.01
10
0
0.1
0.5
0.05
100
10
1
1.0
10
–1
10
–2
96 11987
0.1
10
–1
10
0
10
1
10
0
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
图6.辐射强度与正向电流
1000
10
3
F
e
- 辐射功率（mW ）
4
13602
100
10
2
t
p
= 100
m
s
t
p
/ T = 0.001
10
10
1
1
10
0
0
13600
0.1
1
2
3
10
0
V
F
- 正向电压（ V）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图4.正向电流与正向电压
1.2
V
Frel
- 相对正向电压
1.1
I
ê相对
;
F
ê相对
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
图7.辐射功率与正向电流
1.6
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
0.4
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
94 7993 e
0
–10 0 10
50
100
140
94 7990 e
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图5.相对正向电压 -
环境温度
图8.相对。辐射强度\\功率对
环境温度
文档编号81010
启示录6 ， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
3 (5)
TSAL6200
威世德律风根
0°
1.25
10
°
20
°
30°
F
ê相对
- 相对辐射功率
1.0
I
ê相对
- 相对辐射强度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.75
0.5
0.25
I
F
= 100毫安
0
890
940
990
14291
l
- 波长（nm ）
14329
图9.相对辐射功率与波长
图10.相对辐射强度对比
角位移
尺寸（mm）
96 12126
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (5)
文档编号81010
启示录6 ， 20日， 99
TSAL6200
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
文档编号81010
启示录6 ， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
5 (5)
查看更多TSAL6200PDF信息
推荐型号
TCX501U050G2C
TQM7M4006_07
TIPL761C
T494A335M016AS
TC514100AJL-70
THS4120IDGK
TS2023C
TSC80C31-25CE
TMOV34S301MP
TMS320F28235ZJZQ
TNY280G
TC4627CPA
TEN20-2422WI
T528M227M004ATE150
TPS60243
TRS3238CDBR
TPA3101D2PHPRG4
TSC80C51-20AG
TS27L4MN
TC74HC4094AFN
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TSAL6200
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
辉华拓展
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制

电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
TSAL6200
Vishay(威世)
22+
11317
原装原厂公司现货
深圳市俊晖半导体有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：421123133 复制

电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
TSAL6200
Vishay(威世)
24+
7800
插件
原装正品现货，可开增值税专用发票
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ：1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
TSAL6200
VISHAY/威世
21+
9850
DIP2
只做原装正品现货或订货！代理渠道订货假一赔三！
深圳市源丰诚电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1965785011 复制

电话：0755-23919407
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
TSAL6200
VISHAY
17+ROHS
50000
假一赔十进口全新原装现货
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
TSAL6200
VISHAY
21+
124000
DIP2
只做原装实单申请
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
TSAL6200
VISHAY
2102+
71893
DIP-2
只做原装实单申请
深圳市川蓝电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ：2801615837 复制

电话：0755-82522939
联系人：彭小姐
地址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
TSAL6200
VISHAY
121893
2210+
原包装原标现货，假一罚十，
0.1
瀚佳科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3449124707 复制 点击这里给我发消息 QQ：3441530696 复制 点击这里给我发消息 QQ：2480898381 复制

电话：0755-23140719/23915992
联系人：李先生 李小姐
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
TSAL6200
VISHAY
24+
68500
DIP2
一级代理/放心采购
深圳市金亿泰电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：247773782 复制

电话：755-83252273
联系人：郑
地址：中航路新亚洲二期N3D039
TSAL6200
VISHAY/威世
20+
475
DIP2
绝对全新原装/自己库存现货
芯惠（深圳）电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881724897 复制

电话：0755-82525087
联系人：肖
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园四栋西4楼4B20
TSAL6200
VISHAY
21+
10000
DIP-2
原装正品,特价
查询更多TSAL6200供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！