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TS912
轨至轨CMOS双路运算放大器
特点
轨至轨输入和输出电压范围
单(或双)电源工作在2.7V至
16V
极低的输入偏置电流: 1pA的典型。
低输入失调电压:最大为2mV 。
指定为600Ω和100Ω负载
低电源电流: 200μA /放大器
(V
CC
= 3V)
闭锁抗扰度
ESD容差: 3kV的
香料宏包括在本说明书
D
SO-8
(塑料Micropackage )
N
DIP-8
(塑料包装)
描述
该TS912是一款轨到轨CMOS双运算
功放设计,跟单或双操作
电源电压。
输入电压范围V
ICM
包括两
电源电压V
CC+
和V
CC
-
.
输出达到:
引脚连接
( TOP VIEW )
输出1
反相输入1
非反相输入1
V
CC
1
2
3
4
-
+
-
+
+
8 V
CC
7输出2
6反相输入2
5非反相输入2
V
CC
-
+ 30mV的,V
CC+
-40mV ,其中R
L
= 10kΩ
V
CC
-
+ 300mV的,V
CC+
-400mV ,其中R
L
= 600Ω
该产品提供了广阔的供电电压
经营范围为2.7V至16V和供应
只有200μA /安培的电流(V
CC
= 3V).
源和接收器的输出电流能力
通常40毫安(在V
CC
= 3V ),固定由一个内部
限制电路。
2007年10月
第5版
1/18
www.st.com
18
绝对最大额定值和运行条件
TS912
1
表1中。
符号
V
CC
V
id
V
i
I
in
I
o
T
英镑
T
j
R
thJA
绝对最大额定值和运行条件
绝对最大额定值
参数
电源电压
(1)
差分输入电压
(2)
输入电压
(3)
电流输入
电流输出
储存温度
最高结温
热阻结到环境
(4)
DIP8
SO-8
热阻结到外壳
(4)
DIP8
SO-8
HBM :人体模型
(5)
ESD
MM :机器型号
(6)
CDM :带电器件模型
(7)
价值
18
±18
-0.3至18
±50
±130
-65到+150
150
85
125
41
40
3
200
1500
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
R
thJC
° C / W
kV
V
V
1.所有电压值,除了差分电压是相对于网络的接地端子。
2.差分电压的非反相输入端子相对于反相输入端。
3.输入和输出电压的大小不能超过V
CC+
+0.3V.
4.短路,可能导致过度加热。破坏性的功耗可能会导致从所有同时短路
放大器。这些数值属于典型。
5.人体模型:一个100pF电容充电至额定电压,然后通过1.5kΩ电阻放电
之间的两个管脚的装置。这样做是为所有夫妇的连接引脚组合,而其他引脚悬空。
6.机器型号:一个200pF的电容充电至额定电压,然后直接排出两个引脚之间
器件无需外部串联电阻(内部电阻< 5Ω ) 。这是所有情侣的连接引脚进行组合
而另一管脚浮动。
7.带电器件模型:所有引脚和封装都一起加入到指定的电压,然后直接排放
以只通过一个销地面。这样做是为了所有的引脚。
表2中。
符号
V
CC
V
ICM
T
OPER
工作条件
参数
电源电压
共模输入电压范围
工作自由空气的温度范围
价值
2.7 16
V
CC-
-0.2到V
CC+
+0.2
-40+ 125
单位
V
V
°C
2/18
TS912
原理图
2
图1 。
原理图
原理图(1/2 TS912 )
V
CC
非反相
输入
国内
VREF
反相
输入
产量
V
CC
3/18
电气特性
TS912
3
表3中。
符号
电气特性
V
CC+
= 3V, V
CC-
= 0V ,R
L
, C
L
连接到V
CC
/2, T
AMB
= 25 ℃(除非另有
特定网络版)
参数
输入失调电压(V
ic
= V
o
= V
CC
/2)
TS912
TS912A
TS912B
T
T
AMB
T
最大
TS912
TS912A
TS912B
输入失调电压漂移
输入失调电流
(1)
T
T
AMB
T
最大
输入偏置电流
(1)
T
T
AMB
T
最大
电源电流(每个放大器,A
VCL
= 1,无负载)
T
T
AMB
T
最大
共模抑制比
V
ic
= 0 3V ,V
o
= 1.5V
电源电压抑制比(V
CC+
= 2.7 3.3V ,V
o
= V
CC
/2)
大信号电压增益(R
L
= 10kΩ的V
o
= 1.2V至1.8V )
,
T
T
AMB
T
最大
高电平输出电压(V
id
= 1V)
R
L
= 100kΩ
R
L
= 10kΩ
R
L
= 600Ω
R
L
= 100Ω
T
T
AMB
T
最大
R
L
= 10kΩ
R
L
= 600Ω
低电平输出电压(V
id
= -1V)
R
L
= 100kΩ
R
L
= 10kΩ
R
L
= 600Ω
R
L
= 100Ω
T
T
AMB
T
最大
R
L
= 10kΩ
R
L
= 600Ω
输出短路电流(V
id
= ±1V)
源(V
o
= V
CC-
)
水槽(V
o
= V
CC+
)
增益带宽积
,
(A
VCL
= 100, R
L
= 10kΩ的
L
= 100pF的, F = 100KHz的)
20
20
50
3
2
5
1
1
200
100
200
150
300
300
400
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
io
10
5
2
12
7
3
mV
ΔV
io
I
io
I
ib
I
CC
CMR
SVR
A
vd
μV/°C
pA
pA
μA
dB
dB
V / MV
70
80
10
V
OH
2.95
2.9
2.3
2.96
2.6
2
V
2.8
2.1
V
OL
30
300
900
50
70
400
mV
100
600
40
40
0.8
mA
I
o
英镑
兆赫
4/18
TS912
表3中。
符号
SR
+
SR
-
φm
en
电气特性
V
CC+
= 3V, V
CC-
= 0V ,R
L
, C
L
连接到V
CC
/2, T
AMB
= 25 ℃(除非另有
指定) (续)
参数
压摆率
,
(A
VCL
= 1, R
L
= 10kΩ的
L
= 100pF电容,V
i
= 1.3V至1.7V )
压摆率
,
(A
VCL
= 1, R
L
= 10kΩ的
L
= 100pF电容,V
i
= 1.3V至1.7V )
相位裕度
等效输入噪声电压(R
s
= 100Ω F = 1kHz时)
,
分钟。
典型值。
0.4
0.3
30
30
马克斯。
单位
V / μs的
V / μs的
纳伏/赫兹÷
1.最高值包括工业性试验不可避免的误差。
5/18
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    联系人:杨小姐
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    TS912BIYDT
    -
    -
    -
    -
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ST/意法
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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