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TS9002
低功耗单/双电源双路比较器与参考
特点
超低静态电流:
4μA (最大) ,两个比较器以及参考
单电源或双电源:
单: + 2.5V至+ 11V
双: ± 1.25V至± 5.5V
输入电压范围包括负电源
为7μs传播延迟
推拉式TTL / CMOS兼容输出
消弧电流,自由切换
连续源电流能力: 40毫安
内部1.182V ± 0.75 %基准
可调节迟滞
8引脚MSOP封装
描述
该TS9002低电压,微功耗双模拟
比较器外形相同的MAX923
模拟比较器
与改进
电动
规格。非常适用于3V或5V单电源供电
应用中, TS9002平低11 %供应
目前用25% - 更好的初始精度参照
电压。该TS9002加入试金石的TS9001 - 1 / 2
在“纳瓦模拟 ”高模拟比较器
高性能模拟集成电路产品组合。该
TS9002可以从单一的+ 2.5V至+ 11V工作
电源或± 1.25V至± 5.5V双电源供电。
在TS9002表现出的输入电压范围从
负电源轨内的正的1.3V
电源轨。另外,它的推挽输出级
TTL / CMOS兼容,能够下沉和
拉电流。它还集成了一个内部
1.182V
±0.75%
电压
参考。
没有
复杂的反馈配置和仅
需要两个额外的电阻,增加外部
通过一个单独引脚迟滞可在
TS9002的HYST引脚。
该TS9002是在-40°C至+ 85°C完全指定
温度范围,可在一个8引脚MSOP
封装。
应用
阈值检测器
窗口比较器
电平转换器
振荡器电路
电池供电系统
典型应用电路
5V的电压,低元件数量,高精度窗口检测器
试金石安森美半导体图标是注册
商标试金石半导体, Incorporated的。
第1页
2012试金石半导体, Inc.保留所有权利。
TS9002
绝对最大额定值
电源电压(V +至V- ,V +至GND , GND到V - ) ......- 0.3V , + 12V
电压输入
( IN +, - ) ............................................ .. (V + + 0.3V )至( V- - 0.3V )
。 HYST .......................................... ( REF + 5V )至( V- - 0.3V )
输出电压
REF ................................................. .... (V + + 0.3V )至( V- - 0.3V )
OUT ................................................. ... (V + + 0.3V )至( V- - 0.3V )
输入电流(IN + , IN- , HYST ) ........................................ ....... 20毫安
输出电流
REF…………………………………………………………….20mA
OUT…………………………………………………………….40mA
输出短路持续时间( V + ≤ 5.5V ) ...................连续
连续功率耗散(T
A
= +70°C)
8引脚MSOP (减免4.1mW / ° C以上+ 70 ° C) ................为330mW
工作温度范围..............................- 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围................................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ..................................... + 300℃
超出“绝对最大额定值”电应力和热应力可能会导致器件的永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的这些功能操作或超出任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露于任何绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性和
寿命。
封装/订购信息
订单号
TS9002IM8TP
部分
CARRIER QUANTITY
记号
TADG
TAPE
& REEL
50
2500
TS9002IM8T
无铅计划:
试金石安森美半导体提供唯一的无铅封装。
咨询试金石半导体与较宽的工作温度范围规定的产品。
第2页
TS9002DS r1p0
RTFDS
TS9002
电气特性 - 5V操作
V + = 5V ,V = GND = 0V ;牛逼
A
= -40° C到+ 85 ℃,除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25C 。见注1 。
参数
电源要求
电源电压范围
电源电流
比较
输入失调电压
输入漏电流( IN- ,IN + )
输入漏电流( HYST )
输入共模电压范围
共模抑制比
电源抑制比
输出电压噪声
迟滞输入电压范围
响应时间
(高向低转换)
响应时间
(由低到高的转变)
输出高电压
输出低电压
参考
参考电压
参考线路调整
源出电流
灌电流
输出电压噪声
2.5V ≤ (V+ - V-) ≤ 11V
△ Vref的
= 1%
△ Vref的
= 1%
100Hz至100kHz的
T
A
= +25°C
-40 ° C至+ 85°C
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
-40 ° C至+ 85°C
T
A
= +25°C
-40 ° C至+ 85°C
1.173
1.164
20
6
10
4
1.182
0.25
25
15
100
1.191
1.199
V
mV / V的
μA
μA
μV
RMS
V-为(V + - 1.3V )
V + = 2.5V至11V
100Hz至100kHz的
REF- 0.05V
过载= 10 mV的
T
A
= + 25 ° C, 100pF的负载
过载= 100 mV的
过载= 10 mV的
T
A
= + 25 ° C, 100pF的负载
过载= 100 mV的
-40 ° C至+ 85°C ;我
OUT
= 17毫安
-40 ° C至+ 85°C ;我
OUT
= 1.8毫安
双电源
-40 ° C至+ 85°C ;我
OUT
= 1.8毫安
17
7
17
7
V+ – 0.4
GND + 0.4
V- + 0.4
V
CM
= 2.5V
IN + IN- = = 2.5V
T
A
= +25°C
-40 ° C至+ 85°C
T
A
= +25°C
-40 ° C至+ 85°C
T
A
= +25°C
-40 ° C至+ 85°C
V-
0.1
0.1
20
±3.5
±10
±2
±5
mV
nA
nA
nA
nA
V
mV / V的
mV / V的
μV
RMS
V
μs
μs
V
V
V
条件
2.5
IN + = IN- + 100mV的
HYST = REF
T
A
= +25°C
-40 ° C至+ 85°C
2.6
典型值
最大
11
4
5.2
单位
V
A
±0.01
±0.01
±0.02
±0.02
V+ – 1.3V
1
1
REF
TS9002DS r1p0
第3页
RTFDS
TS9002
电气特性 - 3V操作
V + = 3V ,V = GND = 0V ;牛逼
A
= -40° C到+ 85 ℃,除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25C 。见注1 。
参数
电源要求
电源电流
比较
输入失调电压
输入漏电流( IN- ,IN + )
输入漏电流(在HYST引脚)
输入共模电压范围
共模抑制比
电源抑制比
输出电压噪声
迟滞输入电压范围
响应时间
(高向低转换)
响应时间
(由低到高的转变)
输出高电压
输出低电压
参考
参考电压
参考线路调整
源出电流
灌电流
2.5V ≤ (V+ - V-) ≤ 5V
△ Vref的
= 1%
△ Vref的
= 1%
T
A
= +25°C
-40 ° C至+ 85°C
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
-40 ° C至+ 85°C
T
A
= +25°C
-40 ° C至+ 85°C
1.173
1.164
20
6
10
4
1.182
0.25
25
15
1.191
1.199
V
mV / V的
μA
μA
V-为(V + - 1.3V )
V + = 2.5V至11V
100Hz至100kHz的
REF- 0.05V
过载= 10 mV的
T
A
= + 25 ° C, 100pF的负载
过载= 100 mV的
过载= 10 mV的
T
A
= + 25 ° C, 100pF的负载
过载= 100 mV的
-40 ° C至+ 85°C ;我
OUT
= 10毫安
-40 ° C至+ 85°C ;我
OUT
= 1.8毫安
双电源
-40 ° C至+ 85°C ;我
OUT
= 1.8毫安
17
7
17
7
V+ – 0.4
GND + 0.4
V- + 0.4
V
CM
= 1.5V
IN + = IN- = 1.5V
T
A
= +25°C
-40 ° C至+ 85°C
T
A
= +25°C
-40 ° C至+ 85°C
T
A
= +25°C
-40 ° C至+ 85°C
V-
0.1
0.1
20
±3.5
±10
±2
±5
V+ – 1.3V
1
1
REF
mV
nA
nA
nA
nA
V
mV / V的
mV / V的
μV
RMS
V
μs
μs
V
V
V
条件
IN + = IN- + 100mV的
HYST = REF
T
A
= +25°C
-40 ° C至+ 85°C
典型值
2
最大
3.8
5.3
单位
A
±0.01
±0.01
±0.02
±0.02
输出电压噪声
100Hz至100kHz的
100
μV
RMS
注1 :
所有规格都100 %在T测试
A
= + 25°C 。在温度规范限制(T
A
= T
给T
最大
)由设备保证
表征,未经生产测试。
第4页
TS9002DS r1p0
RTFDS
TS9002
典型性能特性
V
+
= 5V; V
-
= GND ;牛逼
A
= + 25 ℃,除非另有说明。
输出电压低
与负载电流
2.5
V+ = 5V
2
4.5
4
1.5
V
OL
- V
V
OH
- V
V+ = 3V
1
3.5
3
2.5
0.5
2
0
0
4
8
12
16
20
24
28
负载电流 - 毫安
参考输出电压Vs
输出负载电流
1.190
V + = 3V或5V
1.185
参考电压 - V
参考电压 - V
1.180
1.175
1.170
1.165
1.160
1.155
0
5
10
15
20
25
30
来源
SINK
1.21
1.20
1.19
1.18
1.17
1.16
1.15
1.14
-40
-15
10
35
60
85
1.22
1.5
0
10
20
30
40
50
负载电流 - 毫安
参考电压与温度
V+ = 3V
V+ = 5V
5
输出电压高VS
负载电流
负载电流 - μA
电源电流与温度
4.5
4
电源电流 - μA
40
V+ = 5V, V- = 0V
3
2.5
2
1.5
-40
-15
10
35
60
85
温度 - °C
V+ = 3V, V- = 0V
IN + - IN- - 毫伏
3.5
20
0
-20
-40
-60
-80
0
80
60
温度 - °C
滞环控制
输出高
没有变化
输出低
10
20
30
40
50
V
REF
- V
HYST
- 毫伏
TS9002DS r1p0
第5页
RTFDS
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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电话:755-83616256 // 83210909
联系人:王小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室(亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
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