TS861
TS862
TS864
轨至轨
微功耗
BICMOS比较仪
s
超低消耗电流
s
s
s
s
s
s
s
s
（ 6μA /补偿在Vcc = 2.7V ）
轨至轨
CMOS输入
推挽
输出
电源供电
低传输延迟
低度秋和上升时间： 20ns的
ESD保护
(2kV)
闭锁抗扰度
（A类）
可在
微封装SOT23-5
引脚连接
（ TOP VIEW ）
TS861ILT
产量
1
5
V
CC
V
DD
2
非反相输入端
3
4
反相输入
描述
该TS86x （单，双&四）是轨至轨
比较器，其特征为2.7V至10V操作
化在-40 ° C至+ 85 °C温度范围。它EX-
hibits一个很好的速度，功率比，具有
6μA的每一个比较器的电流消耗和
为500ns的2.7V为100mV的过度响应时间
驾驶。
由于其超低功耗和其
可用性在微型封装中， TS86x比较
家庭是非常适合电池供电的系
TEMS 。输出级被设计为具有推
拉结构允许直接连接到米 -
crocontroler没有其它附加上拉电阻器。
应用
TS861ID-TS861IDT
北卡罗来纳州
1
-
+
8
北卡罗来纳州
7
V
CC
6
输出2
5
北卡罗来纳州
反相输入1
2
非反相输入1
3
V
DD
4
TS862IN-TS862ID-TS862IDT-TS862IPT
输出1
反相输入1
非反相输入1
1
2
3
-
+
-
+
8
V
CC
7
输出2
6
反相输入2
5
非反相输入端2
s
s
s
s
电池供电的系统（如：报警）
便携式通信系统
烟感/气/火灾探测器
手提电脑
V
DD
4
订货编号
部分
数
TS861I
TS861AI
TS862I
TS862AI
TS864I
TS864AI
温度
范围
-40, +85°C
-40, +85°C
-40, +85°C
包
N D P
L
SOT23
记号
K501
K502
TS864IN-TS864ID-TS864IDT-TS864IPT
输出2
1
14
13
12
-
+
-
+
+
-
+
-
11
10
9
8
输出3
输出4
V
CC
-
非反相输入4
反相输入4
非反相输入3
同相输入3
输出1 2
V
CC
+
3
反相输入1 4
非反相输入端1 5
反相输入2 6
N =
双列直插式封装（ DIP ）
D =
小外形封装（ SO ） - 也可在带&卷（ DT ）
P =
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） - 仅适用
在磁带&卷（ PT ）
L =
微型封装（ SOT23-5 ） - 仅在磁带&卷轴可用（ LT ）
非反相输入端2 7
2002年2月
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TS861-TS862-TS864
电气特性
V
CC
= +2.7V
T
AMB
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
输入失调电压
V
io
TS861/2/4
Tmin<T<Tmax
TS861/2/4A
Tmin<T<Tmax
V
io
I
io
I
ib
输入失调电压漂移
输入失调电流
1)
Tmin<T<Tmax
输入偏置电流
1)
Tmin<T<Tmax
V
OH
高电平输出电压
Isource=2.5mA
Tmin<T<Tmax
V
OL
A
vd
CMR
SVR
低电平输出电压
Isink=2.5mA
Tmin<T<Tmax
大信号电压增益
2)
共模抑制比
0℃， V
ICM
＆ LT ; 2.7V
电源电压抑制比
0 < <的Vcc 10V
电源电流每个比较
无负载时，输出低
无负载时，输出高
传播延迟，从输出低电平输出高
V
ICM
= 1.35V ， F = 10kHz时，C
L
=50pF
过驱动= 10mV的
超速= 100mV的
传播延迟，从输出高电平输出低电平
V
ICM
= 1.35V ， F = 10kHz时，C
L
=50pF
过驱动= 10mV的
超速= 100mV的
下降时间
F = 10kHz时，C
L
= 50pF的，超速= 100mV的
上升时间
F = 10kHz时，C
L
= 50pF的，超速= 100mV的
240
65
80
6
8
12
14
2.35
2.15
2.45
1
3
15
18
7
10
μV/°C
150
300
300
600
pA
pA
mV
参数
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
3
6
1
V
0.2
0.35
0.45
V
dB
dB
dB
A
I
CC
TPLH
1.5
0.6
s
的TPH1
1.5
0.5
20
20
s
Tf
Tr
ns
ns
1.最大价值，包括工业性试验不可避免inaccurates 。
2.设计评估
3.限制是100 ％，在25℃条件下测定。极限超温是通过相关分析和设计保证。
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TS861-TS862-TS864
电气特性
V
CC
= +5V
T
AMB
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
输入失调电压
V
io
TS861/2/4
Tmin<T<Tmax
TS861/2/4A
Tmin<T<Tmax
V
io
I
io
I
ib
输入失调电压漂移
输入失调电流
1)
Tmin<T<Tmax
输入偏置电流
1)
Tmin<T<Tmax
V
OH
高电平输出电压
Isource=5mA
Tmin<T<Tmax
V
OL
A
vd
CMR
SVR
低电平输出电压
Isink=5mA
Tmin<T<Tmax
大信号电压增益
2)
共模抑制比
0℃， V
ICM
＆ LT ; 5V
电源电压抑制比
2.7 < <的Vcc 10V
电源电流每个比较
无负载时，输出低
无负载时，输出高
传播延迟，从输出低电平输出高
V
ICM
= 2.5V ， F = 10kHz时，C
L
=50pF
过驱动= 10mV的
超速= 100mV的
传播延迟，从输出高电平输出低电平
V
ICM
= 2.5V ， F = 10kHz时，C
L
=50pF
过驱动= 10mV的
超速= 100mV的
下降时间
F = 10kHz时，C
L
= 50pF的，超速= 100mV的
上升时间
F = 10kHz时，C
L
= 50pF的，超速= 100mV的
240
70
80
6
8
12
14
4.6
4.45
4.8
1
3
15
18
7
10
μV/°C
150
300
300
600
pA
pA
mV
参数
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
3
6
1
V
0.2
0.4
0.55
V
dB
dB
dB
A
I
CC
TPLH
2
0.5
s
的TPH1
2
0.4
20
20
s
Tf
Tr
ns
ns
1.最大价值，包括工业性试验不可避免inaccurates ..
2.设计评估
3.限制是100 ％，在25℃条件下测定。极限超温是通过相关分析和设计保证
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TS861-TS862-TS864
电气特性
V
CC
= +10V
T
AMB
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
io
V
io
I
io
I
ib
参数
输入失调电压（V
ICM
= V
CC
/ 2 )
TS861/2/4
Tmin<T<Tmax
输入失调电压漂移
输入失调电流
1)
Tmin<T<Tmax
输入偏置电流
1)
Tmin<T<Tmax
V
OH
高电平输出电压
Isource=5mA
Tmin<T<Tmax
V
OL
A
vd
CMR
SVR
低电平输出电压
Isink=5mA
Tmin<T<Tmax
大信号电压增益
2)
共模抑制比
0℃， V
ICM
< 10V
电源电压抑制比
2.7 < <的Vcc 10V
电源电流每个比较
无负载时，输出低
无负载时，输出高
传播延迟，从输出低电平输出高
V
ICM
= 5V ， F = 10kHz时，C
L
=50pF
过驱动= 10mV的
超速= 100mV的
传播延迟，从输出高电平输出低电平
V
ICM
= 5V ， F = 10kHz时，C
L
=50pF
过驱动= 10mV的
超速= 100mV的
下降时间
F = 10kHz时，C
L
= 50pF的，超速= 100mV的
上升时间
F = 10kHz时，C
L
= 50pF的，超速= 100mV的
240
75
80
7
10
14
16
9.6
9.45
9.8
1
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
3
6
1
15
18
mV
μV/°C
150
300
300
600
pA
pA
V
0.2
0.4
0.55
V
dB
dB
dB
A
I
CC
TPLH
3
0.5
s
的TPH1
2.6
0.4
20
20
s
Tf
Tr
ns
ns
1.最大价值，包括工业性试验不可避免inaccurates 。
2.设计评估
3.限制是100 ％，在25℃条件下测定。极限超温是通过相关分析和设计保证。
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