订购数量: EN5960
NPN型三重扩散平面硅晶体管
TS7990
超高清晰度CRT显示器
水平偏转输出应用
特点
·高速。
高击穿电压( VCBO = 1600V ) 。
·可靠性高(采用HVP过程) 。
·采用MBIT过程。
包装尺寸
单位:mm
2039D-TO3PML
[TS7990]
3.4
16.0
5.6
3.1
5.0
8.0
21.0
22.0
4.0
2.8
2.0
2.0
20.4
1.0
0.6
1
2
3
5.45
5.45
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
三洋: TO- 3PML
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
Colletctor到基极电压
Colletctor - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
TC = 25
Tj
TSTG
条件
评级
1600
800
6
15
35
3.0
75
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家维持电压
发射Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
-E饱和电压
B -E饱和电压
贮存时间
下降时间
符号
冰
VCE = 1600V , RBE = 0
800
1.0
10
15
4
30
7
5
1.5
3.0
0.2
V
V
s
s
条件
评级
民
典型值
最大
1.0
单位
mA
V
mA
A
VCEO
( SUS)的
IC = 100mA时IB = 0
IEBO
VEB = 4V , IC = 0
ICBO
hFE(1)
hFE(2)
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
TSTG
tf
VCB = 800V , IE = 0
VCE = 5V , IC = 1.0A
VCE = 5V , IC = 11A
IC = 11A , IB = 2.75A
IC = 11A , IB = 2.75A
IC = 9A , IB1 = 1.5A , IB2 = -3.75A
IC = 9A , IB1 = 1.5A , IB2 = -3.75A
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
42498TS ( KOTO ) TA- 1621 No.5960-1 / 3
3.5
2.0
TS7990
7
5
I
CP
3
2
I
C
正向偏置S 0
s
0
10
5
3
2
反向偏置一个S 0
集电极电流,I
C
– A
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
TC = 25°C
3
1pulse
2
2 3
5 7 10
集电极电流,I
C
– A
30
P
C
=7
5W
10
7
5
3
2
1.0
7
5
s
0
1m
s
10
ms
DC
op
er
at
io
n
L = 500μH
I
B2
= –3A
2
TC = 25°C
1pulse
0.1
3
10
2
3
5
7
100
2
3
2
3
5
7 100
2
3
5
7 1000
集电极 - 发射极电压,V
CE
– V
4.0
集电极 - 发射极电压,V
CE
– V
80
75
P
C
- TA
集电极耗散,P
C
– W
P
C
- 锝
集电极耗散,P
C
– W
3.0
60
No
2.0
he
at
s
40
墨
1.0
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度TA - C
外壳温度,TC - C
没有描述或包含此产品旨在用于外科植入物,生命支持系统的使用,
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PS No.5960-3 / 3