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TS7211
单的BiCMOS轨至轨
μPOWER比较器
s
s
s
s
s
s
s
s
轨至轨输入
推挽输出
电源供电的2.7V至10V
典型电源电流: 6μA @ 5V
0.5μs的电压为5V响应时间
低输入电流
ESD保护: 2KV ( HBM ), 200V ( MM )
提供微型SOT23-5封装
L
SOT23-5L
(微型封装)
描述
该TS7211是
微功率比较器
具有轨到轨输入性能在一个小
SOT23-5封装。这是比较理想的
适合于空间和重量的关键应用。它
是在2.7V , 5V和10V的操作完全指定
在工业温度范围( -40 / + 85°C ) 。
在TS7211提供的推挽输出级。
转速功率比使该器件超
多功能的用于广泛的应用范围。
引脚连接
( TOP VIEW )
TS7211推挽输出
应用
s
s
s
s
s
s
电池供电系统
笔记本电脑和PDA
PCMCIA卡
Cellulars和移动通信
报警和安全系统
置换中使用的放大器
具有较好的比较器配置
表演
OUT
VCC +
IN +
1
2
+
3
-
5
VCC-
订货编号
产品型号
温包
范围
L
SOT23-5
记号
K515
K516
4
IN-
TS7211AI
-40°C, +85°C
TS7211BI
例如: TS7211AILT
L =
微型封装( SOT23-5 ) - 仅在磁带&卷轴可用( LT )
2002年5月
1/9
TS7211
绝对最大额定值
符号
ESD
V
ID
V
IN
&放大器;
V
OUT
参数
人体模型( HBM )
机器模型( MM )
差分输入电压
输入和输出电压
1)
电源电压
目前,在输入引脚
目前,在输出引脚
引线温度(焊接10秒)
储存温度
结温
功耗
2)
SOT23-5
价值
2000
200
(V
CC
-
) -0.3 (V
CC
+
) +0.3
(V
CC
-
) -0.3 (V
CC
+
) +0.3
12
±5
± 30
250
-65到+150
150
500
单位
V
V
V
V
mA
mA
°C
°C
°C
mW
V
CC
I
IN
I
OUT
T
领导
T
英镑
T
J
P
D
1.输入和输出电压的大小不能超过0.3V超出电源电压。
2. T
J
= 150℃ ,T
AMB
= 25
o
有R
TH- JA
= 250
o
为SOT23-5封装C / W
工作条件
符号
V
CC
T
AMB
V
ICM
电源电压
环境温度
共模输入电压范围
参数
价值
2.7 10
-40至+85
(V
CC
-
) -0.3 (V
CC
+
) +0.3
单位
V
°C
V
2/9
TS7211
电气特性
V
CC
+
= 2.7V ,T
AMB
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
V
IO
参数
输入失调电压(全共模范围内)
TS7211A
T
T
AMB
T
最大
TS7211B
T
T
AMB
T
最大
V
IO
I
IB
I
IO
CMRR
PSRR
A
VD
V
ICM
输入失调电压温度漂移
输入偏置电流
1)
T
T
AMB
T
最大
输入失调电流
1)
T
T
AMB
T
最大
共模抑制比( 0 < V
ICM
< 2.7V )
电源抑制比( 2.7 < V
CC
< 10V )
电压增益
2)
输入共模电压范围(上轨)
T
T
AMB
T
最大
输入共模电压范围(下轨)
T
T
AMB
T
最大
V
OH
V
OL
I
CC
高电平输出电压 - 我
来源
= 2.5毫安
T
T
AMB
T
最大
低电平输出电压 - 我
SINK
= 2.5毫安
T
T
AMB
T
最大
电源电流
无负载时,输出低
无负载时,输出高
T
PLH
响应时间从低到高(V
ic
= 1.35V ,C
L
= 50pF的)
过驱动= 10mV的
超速= 100mV的
响应时间从低到高(V
ic
= 1.35V ,C
L
= 50pF的)
过驱动= 10mV的
超速= 100mV的
下降时间(C
L
= 50pF的)
超速= 100mV的
上升时间(C
L
= 50pF的)
超速= 100mV的
6
8
1.5
0.6
1.5
0.5
20
20
12
14
s
A
3
2.7
-0.3
0.0
2.35
2.15
2.45
0.2
0.35
0.45
6
1
1
65
80
240
300
600
150
300
分钟。
典型值。
马克斯。
7
10
15
18
V/
o
C
pA
pA
dB
dB
dB
单位
mV
V
V
V
T
PHL
s
T
F
T
R
ns
ns
1 )最大的值包括工业试验不可避免inaccurates 。
2 )设计评估。
3 )限制在+ 25 ° C 100 %生产测试。极限超温是通过相关分析和设计保证。
3/9
TS7211
电气特性
V
CC
+
= 5V ,T
AMB
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
V
IO
参数
输入失调电压(全共模范围内)
TS7211A
T
T
AMB
T
最大
TS7211B
T
T
AMB
T
最大
V
IO
I
IB
I
IO
CMRR
PSRR
A
VD
V
ICM
输入失调电压温度漂移
输入偏置电流
1)
T
T
AMB
T
最大
输入失调电流
1)
T
T
AMB
T
最大
共模抑制比( 0 < V
ICM
& LT ; 5V )
电源抑制比( 2.7 < V
CC
< 10V )
电压增益
2)
输入共模电压范围(上轨)
T
T
AMB
T
最大
输入共模电压范围(下轨)
T
T
AMB
T
最大
V
OH
V
OL
I
CC
高电平输出电压 - 我
来源
= 5毫安
T
T
AMB
T
最大
低电平输出电压 - 我
SINK
= 5毫安
T
T
AMB
T
最大
电源电流
无负载时,输出低
无负载时,输出高
T
PLH
响应时间从低到高(V
IC
= 2.5V ,C
L
= 50pF的)
过驱动= 10mV的
超速= 100mV的
响应时间从低到高(V
ic
= 2.5V ,C
L
= 50pF的)
过驱动= 10mV的
超速= 100mV的
下降时间(C
L
= 50pF的)
超速= 100mV的
上升时间(C
L
= 50pF的)
超速= 100mV的
6
8
2
0.5
2
0.4
20
20
12
14
s
A
5.3
5.0
-0.3
0.0
4.6
4.45
4.8
0.2
0.40
0.55
6
1
1
70
80
240
300
600
150
300
分钟。
典型值。
马克斯。
7
10
15
18
V/
o
C
pA
pA
dB
dB
dB
单位
mV
V
V
V
T
PHL
s
T
F
T
R
ns
ns
1 )最大的值包括工业试验不可避免inaccurates 。
2 )设计评估。
3 )限制在+ 25 ° C 100 %生产测试。极限超温是通过相关分析和设计保证。
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TS7211
电气特性
V
CC+
= 10V ,T
AMB
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
V
IO
参数
输入失调电压(全共模范围内)
TS7211A
T
T
AMB
T
最大
TS7211B
T
T
AMB
T
最大
V
IO
I
IB
I
IO
CMRR
PSRR
A
VD
V
ICM
输入失调电压温度漂移
输入偏置电流
1)
T
T
AMB
T
最大
输入失调电流
1)
T
T
AMB
T
最大
共模抑制比( 0 < V
ICM
< 10V )
电源抑制比( 2.7 < V
CC
< 10V )
电压增益
2)
输入共模电压范围(上轨)
T
T
AMB
T
最大
输入共模电压范围(下轨)
T
T
AMB
T
最大
V
OH
V
OL
I
CC
高电平输出电压 - 我
来源
= 5毫安
T
T
AMB
T
最大
低电平输出电压 - 我
SINK
= 5毫安
T
T
AMB
T
最大
电源电流
无负载时,输出低
无负载时,输出高
T
PLH
响应时间从低到高(V
ic
= 5V ,C
L
= 50pF的)
过驱动= 10mV的
超速= 100mV的
响应时间从低到高(V
ic
= 5V ,C
L
= 50pF的)
过驱动= 10mV的
超速= 100mV的
下降时间(C
L
= 50pF的)
超速= 100mV的
上升时间(C
L
= 50pF的)
超速= 100mV的
7
10
3
0.5
4
0.4
20
20
14
16
s
A
10.3
10.0
-0.3
0.0
9.6
9.45
9.8
0.2
0.40
0.55
6
1
1
75
80
240
300
600
150
300
分钟。
典型值。
马克斯。
7
10
15
18
V/
o
C
pA
pA
dB
dB
dB
单位
mV
V
V
V
T
PHL
s
T
F
T
R
ns
ns
1 )最大的值包括工业试验不可避免inaccurates 。
2 )设计评估。
3 )限制在+ 25 ° C 100 %生产测试。极限超温是通过相关分析和设计保证。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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