TS7001
微功耗,双通道, 187.5 - ksps的,串行输出的12位SAR ADC
特点
描述
引脚对引脚, 1.5倍更快的升级到AD7887
单电源供电: + 2.7V至+ 3.6V
INL : ± 1LSB
一个或两个单端模拟输入
内部高带宽跟踪和保持
集成+ 2.5 V参考
灵活的功耗/吞吐速率管理
0.85毫安在187.5ksps (内部VREF ON)
0.7毫安在187.5ksps (内部VREF OFF)
关断模式下电源电流: 1μA(最大值)
SPI / QSPI / MICROWIRE / DSP兼容
1
串行接口
工作温度范围: -40 ° C至+ 85°C
8引脚MSOP封装
该TS7001 - 引脚对引脚, 1.5倍更快的替代品
的AD7887 - 是一个自包含的,2通道,高
速度,微功耗, 12位模拟 - 数字转换器
(ADC ),采用单+ 2.7V至+ 3.6V
电源。在TS7001时能够产生187.5 - ksps的
通过速率与外部3MHz的串行时钟
并提请0.85毫安电源电流。
宽带输入采样和保持信号采集
在为500ns ,并配有单端采样
拓扑结构。输出数据编码为标准二进制和
该ADC能够将全功率信号
高达10 MHz 。该ADC还包含一个集成
2.5V基准或VREF引脚可以通过过驱动
外部参考。
该TS7001的提供一个或两个模拟输入
每个模拟输入范围为0至V
REF
。在
双信道操作中,模拟输入范围为0V
至VDD 。高效率的电路设计,确保低功耗
为2mW (典型值)的正常运行功耗
和3μW掉电操作。
该TS7001是从-40C至+ 85C
并采用8引脚MSOP封装。
应用
仪表和控制系统
高速调制解调器
电池供电的系统:
个人数字助理,医疗
仪器仪表,手机通讯
功能框图
1
SPI和QSPI是Motorola,Inc.的商标。
MICROWIRE是美国国家的商标。
半导体公司
试金石安森美半导体图标是注册商标
试金石半导体股份有限公司。
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2013试金石半导体, Inc.保留所有权利。
TS7001
绝对最大额定值
V
DD
到AGND ................................................ .............. -0.3V至+ 7V
模拟输入电压( AIN0 , AIN1 )至AGND .... -0.3V到V
DD
+ 0.3V
数字输入电压至AGND .......................... -0.3V到V
DD
+ 0.3V
数字输出电压至AGND ........................ -0.3V到V
DD
+ 0.3V
REFIN / REFOUT至AGND ................................ -0.3V到V
DD
+ 0.3V
输入电流到任何引脚除外用品
1
............................ ± 10毫安
工作温度范围............................. -40 ° C至+ 125°C
存储温度范围................................ -65 ° C至+ 150°C
结温................................................ .......... + 150°C
MSOP封装功耗为450mW ......................................
θ
JA
热阻抗............................................. 205.9 ℃, / W
θ
JC
热阻抗............................................. 43.74 ℃, / W
焊接温度,焊接
气相( 60秒) ............................................ ........... 215℃
红外( 15秒) ............................................. .................. 220℃
无铅温度,回流焊............................ 260 ( 0 ) ℃,
ESD ................................................. ..........................................为4kV
超出“绝对最大额定值”电应力和热应力可能会导致器件的永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的这些功能操作或超出任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露于任何绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性和
寿命。
封装/订购信息
订单号
TS7001IM8TP
最热
TADF
支架
管
磁带&卷轴
QUANTITY
50
2500
TS7001IM8T
无铅计划:
试金石安森美半导体提供唯一的无铅封装。
咨询试金石半导体与较宽的工作温度范围规定的产品。
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TS7001DS r1p0
RTDFS
TS7001
电气特性
V
DD
= + 2.7V至+ 3.6V ; V
REF
= 2.5V外部/内部参考,除非另有说明; F
SCLK
= 3 MHz的;
T
A
= T
民
给T
最大
中,除非另有说明。
参数
动态性能
信号噪声+失真比(SNR)的
2
总谐波失真( THD )
峰值谐波或杂散噪声
互调失真( IMD )
二阶项
三阶项
通道到通道隔离
全功率带宽
DC精度(任意通道)
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
偏移误差匹配
增益误差
增益误差匹配
模拟量输入
输入电压范围
漏电流
输入电容
参考输入/输出
REFIN输入电压范围
输入阻抗
REFOUT输出电压
REFOUT温度系数
逻辑输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
IN
输入电容,C
IN3
逻辑输出
输出高电压,V
OH
输出低电压,V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
4
输出编码
转化率
生产时间
跟踪和保持捕获时间
转换时间
16
1.5
14.5
SCLK周期
SCLK周期
SCLK周期
转换时间采集时间为187.5ksps ,
与3 MHz的时钟
4.833微秒( 3 MHz时钟)
极限
1
71
80
80
80
80
80
10
12
±1
±1
±4
±6
0.5
±2
±1
±6
2
0至VREF
0至VDD
±5
10
2.5/VDD
10
2.488/2.513
30
2.1
0.8
±1
10
V
DD
0.5
0.4
±1
10
直
(天然)
二进制
单位
分贝(典型值)
分贝(典型值)
分贝(典型值)
分贝(典型值)
分贝(典型值)
分贝(典型值)
兆赫(典型值)
位
LSB (最大值)
LSB (最大值)
LSB (最大值)
LSB (典型值)
LSB (最大值)
LSB (典型值)
LSB (最大值)
LSB (典型值)
LSB (最大值)
V
V
μA(最大值)
PF(典型值)
V(最小/最大)
千欧(典型值)
V(最小/最大)
PPM / ° C(典型值)
V(分钟)
V(最大值)
μA(最大值)
pF的(最大)
V(分钟)
V(最大值)
μA(最大值)
pF的(最大)
测试条件/评论
f
IN
= 10 kHz正弦波,女
样品
= 187.5ksps
f
IN
= 10 kHz正弦波,女
样品
= 187.5ksps
f
IN
= 10 kHz正弦波,女
样品
= 187.5ksps
F1 = 9.983千赫, F2 = 10.05千赫,女
样品
= 187.5ksps
F1 = 9.983千赫, F2 = 10.05千赫,女
样品
= 187.5ksps
f
IN
= 25千赫
测量下降3dB
VDD = 3V
VDD = 3V ;保证无失码11位
VDD = 3V ,双通道模式
单通道模式
双通道模式
单通道模式下,外部参考
单通道模式下,内部参考
单通道运行
双通道操作
单通道/双通道;从1.2V功能
如果禁用内部基准阻抗非常高
初始精度为0.5 %
VDD = 2.7V至3.6V
VDD = 2.7V至3.6V
通常情况下10nA的,V
IN
= 0V或VDD
V
DD
= 2.7V至3.6V ,我
来源
= 200 μA
I
SINK
= 200 μA
TS7001DS r1p0
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RTFDS
TS7001
电气连接特定的阳离子(续)
V
DD
= + 2.7V至+ 3.6V ; V
REF
= 2.5V外部/内部参考,除非另有说明; F
SCLK
= 3 MHz的;
T
A
= T
民
给T
最大
中,除非另有说明。
参数
电源要求
VDD
国际直拨电话
普通模式
4
(PM模式2)
STATIC
运营(F
样品
= 187.5 ksps的)
使用待机模式( PM模式4 )
使用关断模式
(PM模式1和模式3)
待机模式
5
关断模式
5
正常模式功耗
关机功耗
待机功耗
极限
1
+2.7/+3.6
单位
V(最小/最大)
测试条件/评论
0.6
0.85
0.7
0.45
0.12
0.012
0.21
1
2.1
3
0.63
毫安(最大)
毫安(典型值)
毫安(典型值)
毫安(典型值)
毫安(典型值)
毫安(典型值)
毫安(最大)
μA(最大值)
毫瓦(最大)
微瓦(最大)
毫瓦(最大)
内部参考启用
内部参考禁用
f
样品
= 50 kSPS时
f
样品
= 10 kSPS时
f
样品
= 1 kSPS时
VDD = 2.7V至3.6V
VDD = 2.7V至3.6V
VDD = 3V
VDD = 3V
VDD = 3V
注1 :
该TS7001的温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
注2 :
SNR计算包含失真和噪声分量。
注3 :
样品在T测试
A
= 25°C ,以确保合规性。
注4 :
所有数字输入在GND除了CS在V
DD
。所有的数字输出被卸载。模拟输入连接到GND 。
注5 :
SCLK是在GND时SCLK为关闭。所有数字输入为GND ,除了CS ,在VDD 。所有的数字输出被卸载。模拟量输入
被连接到GND。
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TS7001DS r1p0
RTFDS
TS7001
时序特定网络阳离子
1
V
DD
= + 2.7V至+ 3.6V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中,除非另有说明。
参数
f
SCLK2
t
兑换
t
ACQ
t
1
t
23
t
33
t
4
t
5
t
6
t
7
t
84
t
9
极限
3
14.5 × t
SCLK
1.5 × t
SCLK
10
60
100
20
20
0.4 × t
SCLK
0.4 × t
SCLK
80
5
单位
兆赫(最大)
描述
外部串行时钟
转换时间
生产时间= T
兑换
+ t
ACQ
= 16 t
SCLK
NS (分钟)
NS (最大值)
NS (最大值)
NS (分钟)
NS (分钟)
NS (分钟)
NS (分钟)
NS (最大值)
微秒(典型值)
CS到SCLK建立时间
延迟从CS到DOUT三态禁用
数据访问时间后SCLK高到低边
数据建立时间之前SCLK低到高边缘
数据有效到SCLK保持时间
SCLK高脉冲宽度
SCLK低电平脉冲宽度
CS上升沿到DOUT高阻
从关机开机时间
注1 :
在25 ℃的时序规格的样品测试,以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5纳秒的10%指定的( 90 %的
VDD)和定时相对于1.6V的电压电平。
注2 :
的传号/空比为SCLK输入是40/60至40。有关其它详细信息,串行接口部分。
注3 :
测量与负载电路,如下所示,并定义为跨越0.8V或2.0V所需要的输出的时间。
注4 :
时序规范吨
8
从采取的数据输出改变0.5V所测量的时间推导的时装入所示的电路
下文。然后将测量结果外推到除去的充电或放电50pF的电容的影响。这
意味着该时间t
8
在时序特性引述是TS7001的真正的总线释放时间,并独立总线
装载。
负载电路用于TS7001的数字输出定时
特定连接的阳离子。
TS7001DS r1p0
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RTFDS