TS5N118
1 -OF- 8的FET用/解复用器
高带宽总线开关
www.ti.com
SCDS205 - 2005年8月
特点
低而平坦的导通电阻（R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 3
典型值）
0-至10 V开关上的数据I / O端口
双向数据流接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 20 pF的最大值，B口）
V
CC
经营范围从4.75 V至5.25 V
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
同时支持数字和模拟
应用
应用
PCI接口
差分信号接口
内存交错
总线隔离
低失真信号选通
DBQ或PW包装
（ TOP VIEW ）
B4
B3
B2
B1
A
NC
OE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
B5
B6
B7
B8
S0
S1
S2
NC - 无内部连接
描述/订购信息
该TS5N118是利用电荷泵提升通的栅极电压高带宽总线的FET开关
晶体管，提供了低而平坦的导通电阻（R
on
） 。低而平坦的导通电阻允许
最小的传播延迟和支持轨到轨开关上的数据输入/输出（I / O）端口。该设备还
特性低数据I / O电容，以减少电容性负载，并在数据总线上的信号失真。
专门为支持高带宽应用， TS5N118提供了一个优化的接口
解决方案非常适用于宽带通信，网络和数据密集型计算系统。
该TS5N118是1- - 8的多路复用器/多路分解器具有单独的输出使能（ OE）输入。选择（ S0 ， S1 ，
S2）的输入，控制多路复用器/多路分解器的数据路径。当OE为低时，多路复用器/多路分离器是
使能与A端口被连接到B端口，并允许端口之间的双向数据流。当OE
高时，多路复用器/多路分用器被禁用，并且A和B端口之间存在着一个高阻抗状态。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
TSSOP - PW
包
(1)
SSOP （ QSOP ） - DBQ
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购型号
TS5N118DBQR
TS5N118PWR
顶部端标记
YB118
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年，德州仪器
www.ti.com
TS5N118
1 -OF- 8的FET用/解复用器
高带宽总线开关
SCDS205 - 2005年8月
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
V
CC
B
收费
泵
EN
(1)
（1） EN为施加在开关内部的使能信号。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IN
V
I / O
I
I / O
电源电压范围
控制输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压
范围
(2) (3) (4)
ON状态的开关电流
(5)
连续电流通过V
CC
或GND
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
封装的热阻抗
(6)
存储温度范围
DBQ包装
PW包
–65
–0.5
–0.5
–0.5
最大
7
7
11
±100
±100
90
108
150
单位
V
V
V
mA
mA
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
V
I
和V
O
被用于表示为V的具体条件
I / O
.
I
I
我
O
被用于表示对我的具体条件
I / O
.
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I / O
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
4.75
2
0
0
–40
最大
5.25
5.25
0.8
10
85
单位
V
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
3
TS5N118
1 -OF- 8的FET用/解复用器
高带宽总线开关
SCDS205 - 2005年8月
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电气特性
(1)
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
I
IN
I
OZ
(3)
测试条件
V
CC
= 5.25 V,
V
CC
= 5.25 V,
V
CC
= 0 V,
V
IN
= 0至V
CC
V
O
= 0至10伏，
V
I
= 0,
V
O
=开，
I
I / O
= 0,
打开或关闭，
V
IN
= 10 V或0
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND ，
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND ，
开机，
V
IN
= V
CC
或GND ，
V
I
= 0,
V
I
= 8 V,
V
I
= 10 V,
V
I / O
= 10 V或0
V
I / O
= 10 V或0
V
I / O
= 10 V或0
I
O
= 50毫安
I
O
= -50毫安
I
O
= -50毫安
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND
V
I
= 0到10伏
V
IN
= V
CC
或GND
民
典型值
(2)
最大
10
10
单位
A
A
控制输入
10
10
10
120
20
160
3
7.5
7.5
12.5
pF
mA
pF
I
CC
C
in
控制输入
一个端口
C
io的（OFF）的
B端口
C
io的（上）
V
CC
= 5.25 V,
V
CC
= 5 V,
V
CC
= 5 V,
V
CC
= 5 V,
V
CC
= 5 V,
V
CC
= 4.75 V,
典型的V
CC
= 5 V
pF
r
on
(4)
(1)
(2)
(3)
(4)
V
IN
我
IN
见控制输入。 V
I
, V
O
, I
I
和我
O
参阅数据引脚
所有典型值是在V
CC
= 5V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
对于I / O端口，参数我
OZ
包括在I / O的漏电流。
测得的由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻
由两个（ A或B）端子的电压的降低来确定。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图3）
参数
t
PD （1）
t
概率pd （多个）
t
en
t
DIS
(1)
从
（输入）
A或B
S
S
OE
S
OE
TO
（输出）
B或A
A
B
A或B
B
A或B
V
CC
= 5 V
±
0.25 V
最小最大
0.1
200
200
200
200
200
ns
ns
ns
ns
单位
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
动态特性
在推荐工作的自由空气的温度范围，V
CC
= 5 V
±
5％ （除非另有说明）
参数
带宽（ BW ）
(2)
截止隔离（O
ISO
)
串扰（X
TALK
)
(1)
(2)
R
L
= 50
,
R
L
= 50
,
R
L
= 50
,
测试条件
V
I
= 0.632 V（ P- P） ，
V
I
= 0.632 V（ P- P） ，
V
I
= 0.632 V（ P- P） ，
SEE
图4
F = 25 MHz时，
F = 25 MHz时，
SEE
图5
SEE
图6
民
25
–50
–50
典型值
(1)
最大
单位
兆赫
dB
dB
所有典型值是在V
CC
= 5V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
带宽是指频率在增益为-3 dB以下的直流增益。
4
TS5N118
1 -OF- 8的FET用/解复用器
高带宽总线开关
www.ti.com
SCDS205 - 2005年8月
特点
低而平坦的导通电阻（R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 3
典型值）
0-至10 V开关上的数据I / O端口
双向数据流接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 20 pF的最大值，B口）
V
CC
经营范围从4.75 V至5.25 V
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
同时支持数字和模拟
应用
应用
PCI接口
差分信号接口
内存交错
总线隔离
低失真信号选通
DBQ或PW包装
（ TOP VIEW ）
B4
B3
B2
B1
A
NC
OE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
B5
B6
B7
B8
S0
S1
S2
NC - 无内部连接
描述/订购信息
该TS5N118是利用电荷泵提升通的栅极电压高带宽总线的FET开关
晶体管，提供了低而平坦的导通电阻（R
on
） 。低而平坦的导通电阻允许
最小的传播延迟和支持轨到轨开关上的数据输入/输出（I / O）端口。该设备还
特性低数据I / O电容，以减少电容性负载，并在数据总线上的信号失真。
专门为支持高带宽应用， TS5N118提供了一个优化的接口
解决方案非常适用于宽带通信，网络和数据密集型计算系统。
该TS5N118是1- - 8的多路复用器/多路分解器具有单独的输出使能（ OE）输入。选择（ S0 ， S1 ，
S2）的输入，控制多路复用器/多路分解器的数据路径。当OE为低时，多路复用器/多路分离器是
使能与A端口被连接到B端口，并允许端口之间的双向数据流。当OE
高时，多路复用器/多路分用器被禁用，并且A和B端口之间存在着一个高阻抗状态。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
TSSOP - PW
包
(1)
SSOP （ QSOP ） - DBQ
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购型号
TS5N118DBQR
TS5N118PWR
顶部端标记
YB118
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年，德州仪器
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TS5N118
1 -OF- 8的FET用/解复用器
高带宽总线开关
SCDS205 - 2005年8月
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
V
CC
B
收费
泵
EN
(1)
（1） EN为施加在开关内部的使能信号。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IN
V
I / O
I
I / O
电源电压范围
控制输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压
范围
(2) (3) (4)
ON状态的开关电流
(5)
连续电流通过V
CC
或GND
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
封装的热阻抗
(6)
存储温度范围
DBQ包装
PW包
–65
–0.5
–0.5
–0.5
最大
7
7
11
±100
±100
90
108
150
单位
V
V
V
mA
mA
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
V
I
和V
O
被用于表示为V的具体条件
I / O
.
I
I
我
O
被用于表示对我的具体条件
I / O
.
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I / O
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
4.75
2
0
0
–40
最大
5.25
5.25
0.8
10
85
单位
V
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
3
TS5N118
1 -OF- 8的FET用/解复用器
高带宽总线开关
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电气特性
(1)
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
I
IN
I
OZ
(3)
测试条件
V
CC
= 5.25 V,
V
CC
= 5.25 V,
V
CC
= 0 V,
V
IN
= 0至V
CC
V
O
= 0至10伏，
V
I
= 0,
V
O
=开，
I
I / O
= 0,
打开或关闭，
V
IN
= 10 V或0
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND ，
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND ，
开机，
V
IN
= V
CC
或GND ，
V
I
= 0,
V
I
= 8 V,
V
I
= 10 V,
V
I / O
= 10 V或0
V
I / O
= 10 V或0
V
I / O
= 10 V或0
I
O
= 50毫安
I
O
= -50毫安
I
O
= -50毫安
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND
V
I
= 0到10伏
V
IN
= V
CC
或GND
民
典型值
(2)
最大
10
10
单位
A
A
控制输入
10
10
10
120
20
160
3
7.5
7.5
12.5
pF
mA
pF
I
CC
C
in
控制输入
一个端口
C
io的（OFF）的
B端口
C
io的（上）
V
CC
= 5.25 V,
V
CC
= 5 V,
V
CC
= 5 V,
V
CC
= 5 V,
V
CC
= 5 V,
V
CC
= 4.75 V,
典型的V
CC
= 5 V
pF
r
on
(4)
(1)
(2)
(3)
(4)
V
IN
我
IN
见控制输入。 V
I
, V
O
, I
I
和我
O
参阅数据引脚
所有典型值是在V
CC
= 5V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
对于I / O端口，参数我
OZ
包括在I / O的漏电流。
测得的由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻
由两个（ A或B）端子的电压的降低来确定。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图3）
参数
t
PD （1）
t
概率pd （多个）
t
en
t
DIS
(1)
从
（输入）
A或B
S
S
OE
S
OE
TO
（输出）
B或A
A
B
A或B
B
A或B
V
CC
= 5 V
±
0.25 V
最小最大
0.1
200
200
200
200
200
ns
ns
ns
ns
单位
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
动态特性
在推荐工作的自由空气的温度范围，V
CC
= 5 V
±
5％ （除非另有说明）
参数
带宽（ BW ）
(2)
截止隔离（O
ISO
)
串扰（X
TALK
)
(1)
(2)
R
L
= 50
,
R
L
= 50
,
R
L
= 50
,
测试条件
V
I
= 0.632 V（ P- P） ，
V
I
= 0.632 V（ P- P） ，
V
I
= 0.632 V（ P- P） ，
SEE
图4
F = 25 MHz时，
F = 25 MHz时，
SEE
图5
SEE
图6
民
25
–50
–50
典型值
(1)
最大
单位
兆赫
dB
dB
所有典型值是在V
CC
= 5V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
带宽是指频率在增益为-3 dB以下的直流增益。
4
TS5N118
1 -OF- 8的FET用/解复用器
高带宽总线开关
www.ti.com
SCDS205 - 2005年8月
特点
低而平坦的导通电阻（R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 3
典型值）
0-至10 V开关上的数据I / O端口
双向数据流接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 20 pF的最大值，B口）
V
CC
经营范围从4.75 V至5.25 V
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
同时支持数字和模拟
应用
应用
PCI接口
差分信号接口
内存交错
总线隔离
低失真信号选通
DBQ或PW包装
（ TOP VIEW ）
B4
B3
B2
B1
A
NC
OE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
B5
B6
B7
B8
S0
S1
S2
NC - 无内部连接
描述/订购信息
该TS5N118是利用电荷泵提升通的栅极电压高带宽总线的FET开关
晶体管，提供了低而平坦的导通电阻（R
on
） 。低而平坦的导通电阻允许
最小的传播延迟和支持轨到轨开关上的数据输入/输出（I / O）端口。该设备还
特性低数据I / O电容，以减少电容性负载，并在数据总线上的信号失真。
专门为支持高带宽应用， TS5N118提供了一个优化的接口
解决方案非常适用于宽带通信，网络和数据密集型计算系统。
该TS5N118是1- - 8的多路复用器/多路分解器具有单独的输出使能（ OE）输入。选择（ S0 ， S1 ，
S2）的输入，控制多路复用器/多路分解器的数据路径。当OE为低时，多路复用器/多路分离器是
使能与A端口被连接到B端口，并允许端口之间的双向数据流。当OE
高时，多路复用器/多路分用器被禁用，并且A和B端口之间存在着一个高阻抗状态。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
TSSOP - PW
包
(1)
SSOP （ QSOP ） - DBQ
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购型号
TS5N118DBQR
TS5N118PWR
顶部端标记
YB118
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年，德州仪器
www.ti.com
TS5N118
1 -OF- 8的FET用/解复用器
高带宽总线开关
SCDS205 - 2005年8月
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
V
CC
B
收费
泵
EN
(1)
（1） EN为施加在开关内部的使能信号。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IN
V
I / O
I
I / O
电源电压范围
控制输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压
范围
(2) (3) (4)
ON状态的开关电流
(5)
连续电流通过V
CC
或GND
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
封装的热阻抗
(6)
存储温度范围
DBQ包装
PW包
–65
–0.5
–0.5
–0.5
最大
7
7
11
±100
±100
90
108
150
单位
V
V
V
mA
mA
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
V
I
和V
O
被用于表示为V的具体条件
I / O
.
I
I
我
O
被用于表示对我的具体条件
I / O
.
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I / O
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
4.75
2
0
0
–40
最大
5.25
5.25
0.8
10
85
单位
V
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
3
TS5N118
1 -OF- 8的FET用/解复用器
高带宽总线开关
SCDS205 - 2005年8月
www.ti.com
电气特性
(1)
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
I
IN
I
OZ
(3)
测试条件
V
CC
= 5.25 V,
V
CC
= 5.25 V,
V
CC
= 0 V,
V
IN
= 0至V
CC
V
O
= 0至10伏，
V
I
= 0,
V
O
=开，
I
I / O
= 0,
打开或关闭，
V
IN
= 10 V或0
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND ，
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND ，
开机，
V
IN
= V
CC
或GND ，
V
I
= 0,
V
I
= 8 V,
V
I
= 10 V,
V
I / O
= 10 V或0
V
I / O
= 10 V或0
V
I / O
= 10 V或0
I
O
= 50毫安
I
O
= -50毫安
I
O
= -50毫安
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND
V
I
= 0到10伏
V
IN
= V
CC
或GND
民
典型值
(2)
最大
10
10
单位
A
A
控制输入
10
10
10
120
20
160
3
7.5
7.5
12.5
pF
mA
pF
I
CC
C
in
控制输入
一个端口
C
io的（OFF）的
B端口
C
io的（上）
V
CC
= 5.25 V,
V
CC
= 5 V,
V
CC
= 5 V,
V
CC
= 5 V,
V
CC
= 5 V,
V
CC
= 4.75 V,
典型的V
CC
= 5 V
pF
r
on
(4)
(1)
(2)
(3)
(4)
V
IN
我
IN
见控制输入。 V
I
, V
O
, I
I
和我
O
参阅数据引脚
所有典型值是在V
CC
= 5V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
对于I / O端口，参数我
OZ
包括在I / O的漏电流。
测得的由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻
由两个（ A或B）端子的电压的降低来确定。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图3）
参数
t
PD （1）
t
概率pd （多个）
t
en
t
DIS
(1)
从
（输入）
A或B
S
S
OE
S
OE
TO
（输出）
B或A
A
B
A或B
B
A或B
V
CC
= 5 V
±
0.25 V
最小最大
0.1
200
200
200
200
200
ns
ns
ns
ns
单位
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
动态特性
在推荐工作的自由空气的温度范围，V
CC
= 5 V
±
5％ （除非另有说明）
参数
带宽（ BW ）
(2)
截止隔离（O
ISO
)
串扰（X
TALK
)
(1)
(2)
R
L
= 50
,
R
L
= 50
,
R
L
= 50
,
测试条件
V
I
= 0.632 V（ P- P） ，
V
I
= 0.632 V（ P- P） ，
V
I
= 0.632 V（ P- P） ，
SEE
图4
F = 25 MHz时，
F = 25 MHz时，
SEE
图5
SEE
图6
民
25
–50
–50
典型值
(1)
最大
单位
兆赫
dB
dB
所有典型值是在V
CC
= 5V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
带宽是指频率在增益为-3 dB以下的直流增益。
4
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