www.ti.com
TS5A3359
1
W
SP3T模拟开关
5 V / 3.3 V单信道3 : 1复用器/解复用器
SCDS214 - 2005年10月
描述
该TS5A3359是一个单刀三掷( SP3T )
被设计为从1.65 V操作模拟开关
至5.5 V.该器件提供低导通电阻
和优秀的导通电阻匹配的
先开后合作的功能,以防止信号失真
在一个信号从一个信道传送到
另一种。该器件具有优异的总谐波
失真( THD)性能和功耗非常低
力。这些特性使该器件非常适合
便携式音频应用。
特点
D
隔离在掉电模式下,V
+
= 0
D
规定先开后合式开关
D
低导通电阻( 1
W)
D
控制输入5.5 -V容错
D
低电荷注入
D
出色的导通电阻匹配
D
低总谐波失真( THD )
D
1.65 V至5.5 V单电源供电
D
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
应用
D
手机
D
掌上电脑
D
便携式仪表
D
音频和视频信号路由
D
低电压数据采集系统
D
通信电路
D
调制解调器
D
硬盘驱动器
D
电脑外设
D
无线终端和外围设备
YEP或YZP包装
(底视图)
GND
NO2
NO1
NO0
4
3
2
1
逻辑
控制
5
6
7
8
D
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
( A114 -B , II级)
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
特点综述
V
+
= 5 V ,T
A
= 25°C
CON组fi guration
信道数
导通电阻( RON)
导通电阻匹配( Δron )
导通电阻平坦度(RON (平面))
导通/关断时间(吨/吨OFF )
先开后合腾出时间( TBBM )
电荷注入( QC )
带宽( BW )
三路3 : 1多路复用器/
多路解复用器
( 1 SP3T )
1
1.1
0.1
0.15
40纳秒/ 35纳秒
1纳秒
40电脑
100兆赫
-65分贝在1 MHz
-66分贝在1 MHz
0.01%
±20
nA
0.1
A
8针, DCT , DCU ,是的,
或YZP
DCT或DCU包装
( TOP VIEW )
NO0
1
NO1
2
NO2
3
GND
4
逻辑控制
8
V+
7
COM
6
IN1
5
IN2
IN2
IN1
COM
V+
功能表
IN2
L
L
H
H
IN1
L
H
L
H
COM为NO ,
NO对COM
关闭
COM = NO0
COM = NO1
COM = NO2
截止隔离(大矶)
串扰( XTALK )
总谐波失真( THD )
漏电流(ICOM (OFF) / INO (OFF) )
电源电流(I +)
封装选项
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2005年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
TS5A3359
1
W
SP3T模拟开关
5 V / 3.3 V单信道3 : 1复用器/解复用器
SCDS214 - 2005年10月
www.ti.com
订购信息
TA
PACKAGE(1)
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YEP
-40 ° C至85°C
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
SSOP - DCT
VSSOP - DCU
磁带和卷轴
TS5A3359YZPR
磁带和卷轴
磁带和卷轴
TS5A3359DCTR
TS5A3359DCUR
预览
JAL_
订购型号
TS5A3359YEPR
预览
顶部端标记( 2 )
( 1 )包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在www.ti.com/sc/package 。
( 2 ) DCT :实际的顶部端标记有一个指定的年,月,和封装/测试网站另外三个字符。
DCU :实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEP / YZP :实际的顶部端标记有三个前述的字符来表示年,月,和序列码,和一个下面的字符
指定的封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=无铅) 。
绝对最小和最大额定值( 1 ) ( 2 )
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
民
V+
VNO
VCOM
IK
INO
ICOM
VI
IIK
I+
IGND
θ
JA
电源电压范围(3)
模拟电压范围(3)( 4 )(5)
模拟端口二极管电流
ON状态的开关电流
通态峰值开关电流( 6 )
数字输入电压范围(3)( 4)
数字输入钳位电流
连续电流通过V +
连续电流通过GND
封装的热阻抗( 7 )
DCT / DCU包
YEP / YZP包
100
VNO , VCOM = 0 V +
VNO , VCOM < 0
0.5
0.5
50
200
400
0.5
VI < 0
50
100
100
227
140
mA
° C / W
200
400
6.5
mA
V
mA
最大
6.5
V+ + 0.5
单位
V
V
mA
TSTG
存储温度范围
65
150
°C
( 1 )工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下长时间可能会降低
器件的可靠性。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或超出规定的其他条件
是不是暗示。
(2)的代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大
(3)所有电压都是相对于地面的,除非另有规定。
(4)如果在输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
( 5)该值被限制为5.5 V的最大值。
( 6)脉冲在1毫秒持续时间< 10 %的占空比。
( 7 )封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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SP3T模拟开关
5 V / 3.3 V单信道3 : 1复用器/解复用器
SCDS214 - 2005年10月
电气特性,用于5 V电源
(1)
V + = 4.5 V至5.5 V , TA = -40 ° C至85°C (除非另有说明)
参数
模拟开关
模拟信号
范围
山顶上
阻力
导通状态
阻力
导通状态
电阻匹配
通道之间
VCOM , VNO
Rpeak
罗恩
r
on
0
≤
( VNO )
≤
V+,
ICOM = -100毫安,
VNO = 2.5 V ,
ICOM = -100毫安,
VNO = 2.5 V ,
ICOM = -100毫安,
0
≤
( VNO )
≤
V+,
ICOM = -100毫安,
VNO = 1 V , 1.5 V, 2.5 V ,
ICOM = -100毫安,
VNO = 1 V , VCOM = 1 V至4.5 V ,
or
VNO = 4.5 V , VCOM = 1 V至4.5 V ,
开机,
见图13
开机,
见图13
开机,
见图13
开机,
见图13
开机,
见图13
关闭,
见图14
关闭,
见图14
开机,
参见图15
关闭,
见图14
关闭,
见图14
开机,
参见图15
25
°C
满
25°C
满
25°C
4.5 V
满
25°C
25°C
满
25°C
5.5 V
满
25°C
满
25°C
5.5 V
满
25°C
5.5 V
满
25°C
满
25°C
5.5 V
满
220
220
0V
250
8
50
30
5
0.1
250
8
50
30
nA
A
A
220
25
8
220
25
nA
0V
150
1
25
30
5
0.8
150
1
25
30
nA
A
A
20
5
4.5 V
0.15
0.1
0.25
0.25
20
nA
0.1
4.5 V
0.1
4.5 V
0.7
0
0.8
V+
1.1
1.5
0.9
1.1
0.1
V
符号
测试条件
TA
V+
民
典型值
最大
单位
导通状态
电阻平坦度
罗恩(平)
NO
关闭泄漏
当前
INO (OFF)的
VNO = 0 5.5 V ,
INO ( PWROFF )
VCOM = 5.5 V至0 ,
INO (ON)的
VNO = 1 V , VCOM =打开,
or
VNO = 4.5 V , VCOM =打开,
VNO = 4.5 V , VCOM = 1 V至4.5 V ,
or
VNO = 1 V , VCOM = 1 V至4.5 V ,
NO
渗漏
当前
COM
关闭泄漏
当前
ICOM (OFF)的
VCOM = 0 5.5 V ,
ICOM ( PWROFF )
VNO = 5.5 V至0 ,
ICOM ( ON)
VNO =打开, VCOM = 1 V ,
or
VNO =打开, VCOM = 4.5 V ,
COM
渗漏
当前
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏
当前
数字控制输入( IN1,IN2 )(2)
VIH
VIL
IIH , IIL
VI = 5.5 V或0
满
满
25°C
满
5.5 V
2.4
0
2
20
5.5
0.8
2
20
nA
V
V
(1)的代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大
( 2 )该设备的所有未使用的数字输入必须在V +或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
启示
慢或浮动CMOS输入的,
文献编号SCBA004 。
3
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W
SP3T模拟开关
5 V / 3.3 V单信道3 : 1复用器/解复用器
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电气特性,用于5 V电源
(1)
(续)
V + = 4.5 V至5.5 V , TA = -40 ° C至85°C (除非另有说明)
参数
动态
开启时间
打开-O FF时间
打破先接后
让时间
收费
注射
NO
关闭
电容
COM
关闭
电容
NO
ON
电容
COM
ON
电容
数字输入
电容
带宽
关断隔离
相声
总谐波
失真
供应
25°C
正电源
I+
VI = V +或GND ,
开启或关闭
5.5 V
当前
满
(1)的代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大
16
50
1200
nA
吨
花花公子
TBBM
QC
VCOM = V + ,
RL = 50
,
VCOM = V + ,
RL = 50
,
VNO = V + ,
RL = 50
,
VGEN = 0,
RGEN = 0,
VNO = V +或GND ,
关闭,
VCOM = V +或GND ,
关闭,
VNO = V +或GND ,
开机,
VCOM = V +或GND ,
开机,
VI = V +或GND ,
RL = 50
,
开机,
RL = 50
,
F = 1MHz时,
RL = 50
,
F = 1MHz时,
RL = 600
,
CL = 50 pF的,
CL = 35 pF的,
见图17
CL = 35 pF的,
见图17
CL = 35 pF的,
见图18
CL = 1 nF的,
见图22
见图16
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
5V
4.5 V至5.5 V
5V
4.5 V至5.5 V
5V
4.5 V至5.5 V
5V
1
1
1
1
0.5
0.5
20
8.5
6
2.5
21
23.5
10.5
12
18
23
ns
pC
ns
ns
符号
测试条件
TA
V+
民
典型值
最大
单位
CNO (OFF)的
25°C
5V
18
pF
CCOM (关闭)
见图16
25°C
2.5 V
54
pF
CNO (ON)的
见图16
25°C
5V
78
pF
CCOM (上)
见图16
25°C
5V
78
pF
CI
BW
大矶
XTALK
THD
见图16
见图19
关闭,
见图20
开机,
见图21
F = 20赫兹到20千赫兹,
见图23
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
5V
5V
5V
5V
5V
2.5
75
64
64
0.005
pF
兆赫
dB
dB
%
4
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1
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SP3T模拟开关
5 V / 3.3 V单信道3 : 1复用器/解复用器
SCDS214 - 2005年10月
电气特性的3.3 V电源
(1)
V + = 3 V至3.6 V , TA = -40 ° C至85°C (除非另有说明)
参数
模拟开关
模拟信号
范围
山顶上
阻力
导通状态
阻力
导通状态
电阻匹配
通道之间
VCOM , VNO ,
VNC
Rpeak
罗恩
r
on
0
≤
( VNO )
≤
V+,
ICOM = -100毫安,
VNO = 2 V ,
ICOM = -100毫安,
VNO = 2 V , 0.8 V,
ICOM = -100毫安,
0
≤
( VNO )
≤
V+,
ICOM = -100毫安,
VNO = 2 V , 0.8 V,
ICOM = -100毫安,
VNO = 1 V , VCOM = 1 V 3 V,
or
VNO = 3 V , VCOM = 1 V 3 V,
开机,
见图13
开机,
见图13
开机,
见图13
开机,
见图13
开机,
见图13
关闭,
见图14
关闭,
见图14
开机,
参见图15
关闭,
见图14
关闭,
见图14
开机,
参见图15
25
°C
满
25°C
满
25°C
3V
满
25°C
25°C
满
25°C
3.6 V
满
25°C
满
25°C
3.6 V
满
25°C
3.6 V
满
25°C
满
25°C
3.6 V
满
40
40
0V
75
1
20
15
4
0.2
75
1
20
15
nA
A
A
40
15
3
40
15
nA
0V
30
1
10
15
3
0.2
30
1
10
15
nA
A
A
15
3
3V
0.2
0.2
0.35
0.35
15
nA
0.15
3V
0.1
3V
1.2
0
1.3
V+
1.6
2
1.6
1.8
0.15
V
符号
测试条件
TA
V+
民
典型值
最大
单位
导通状态
电阻平坦度
罗恩(平)
NO
关闭泄漏
当前
INO (OFF)的
VNO = 0 3.6 V ,
INO ( PWROFF )
VCOM = 3.6 V至0 ,
INO (ON)的
VNO = 1 V , VCOM =打开,
or
VNO = 3 V , VCOM =打开,
VNO = 0 V至3.6 V , VCOM = 1 V ,
or
VNO = 3.6 V至0 V , VCOM = 3 V ,
NO
渗漏
当前
COM
关闭泄漏
当前
ICOM (OFF)的
VCOM = 0 3.6 V ,
ICOM ( PWROFF )
VNO = 3.6 V至0 ,
ICOM ( ON)
VNO =打开, VCOM = 1 V ,
or
VNO =打开, VCOM = 3 V ,
COM
渗漏
当前
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏
当前
数字控制输入( IN1,IN2 )(2)
VIH
VIL
IIH , IIL
VI = 5.5 V或0
满
满
25°C
满
3.6 V
2
0
2
20
5.5
0.8
2
20
nA
V
V
(1)的代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大
( 2 )该设备的所有未使用的数字输入必须在V +或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
启示
慢或浮动CMOS输入的,
文献编号SCBA004 。
5
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1
W
SP3T模拟开关
5 V / 3.3 V单信道3 : 1复用器/解复用器
SCDS214 - 2005年10月
描述
该TS5A3359是一个单刀三掷( SP3T )
被设计为从1.65 V操作模拟开关
至5.5 V.该器件提供低导通电阻
和优秀的导通电阻匹配的
先开后合作的功能,以防止信号失真
在一个信号从一个信道传送到
另一种。该器件具有优异的总谐波
失真( THD)性能和功耗非常低
力。这些特性使该器件非常适合
便携式音频应用。
特点
D
隔离在掉电模式下,V
+
= 0
D
规定先开后合式开关
D
低导通电阻( 1
W)
D
控制输入5.5 -V容错
D
低电荷注入
D
出色的导通电阻匹配
D
低总谐波失真( THD )
D
1.65 V至5.5 V单电源供电
D
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
应用
D
手机
D
掌上电脑
D
便携式仪表
D
音频和视频信号路由
D
低电压数据采集系统
D
通信电路
D
调制解调器
D
硬盘驱动器
D
电脑外设
D
无线终端和外围设备
YEP或YZP包装
(底视图)
GND
NO2
NO1
NO0
4
3
2
1
逻辑
控制
5
6
7
8
D
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
( A114 -B , II级)
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
特点综述
V
+
= 5 V ,T
A
= 25°C
CON组fi guration
信道数
导通电阻( RON)
导通电阻匹配( Δron )
导通电阻平坦度(RON (平面))
导通/关断时间(吨/吨OFF )
先开后合腾出时间( TBBM )
电荷注入( QC )
带宽( BW )
三路3 : 1多路复用器/
多路解复用器
( 1 SP3T )
1
1.1
0.1
0.15
40纳秒/ 35纳秒
1纳秒
40电脑
100兆赫
-65分贝在1 MHz
-66分贝在1 MHz
0.01%
±20
nA
0.1
A
8针, DCT , DCU ,是的,
或YZP
DCT或DCU包装
( TOP VIEW )
NO0
1
NO1
2
NO2
3
GND
4
逻辑控制
8
V+
7
COM
6
IN1
5
IN2
IN2
IN1
COM
V+
功能表
IN2
L
L
H
H
IN1
L
H
L
H
COM为NO ,
NO对COM
关闭
COM = NO0
COM = NO1
COM = NO2
截止隔离(大矶)
串扰( XTALK )
总谐波失真( THD )
漏电流(ICOM (OFF) / INO (OFF) )
电源电流(I +)
封装选项
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2005年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
TS5A3359
1
W
SP3T模拟开关
5 V / 3.3 V单信道3 : 1复用器/解复用器
SCDS214 - 2005年10月
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订购信息
TA
PACKAGE(1)
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YEP
-40 ° C至85°C
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
SSOP - DCT
VSSOP - DCU
磁带和卷轴
TS5A3359YZPR
磁带和卷轴
磁带和卷轴
TS5A3359DCTR
TS5A3359DCUR
预览
JAL_
订购型号
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顶部端标记( 2 )
( 1 )包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在www.ti.com/sc/package 。
( 2 ) DCT :实际的顶部端标记有一个指定的年,月,和封装/测试网站另外三个字符。
DCU :实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEP / YZP :实际的顶部端标记有三个前述的字符来表示年,月,和序列码,和一个下面的字符
指定的封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=无铅) 。
绝对最小和最大额定值( 1 ) ( 2 )
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
民
V+
VNO
VCOM
IK
INO
ICOM
VI
IIK
I+
IGND
θ
JA
电源电压范围(3)
模拟电压范围(3)( 4 )(5)
模拟端口二极管电流
ON状态的开关电流
通态峰值开关电流( 6 )
数字输入电压范围(3)( 4)
数字输入钳位电流
连续电流通过V +
连续电流通过GND
封装的热阻抗( 7 )
DCT / DCU包
YEP / YZP包
100
VNO , VCOM = 0 V +
VNO , VCOM < 0
0.5
0.5
50
200
400
0.5
VI < 0
50
100
100
227
140
mA
° C / W
200
400
6.5
mA
V
mA
最大
6.5
V+ + 0.5
单位
V
V
mA
TSTG
存储温度范围
65
150
°C
( 1 )工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下长时间可能会降低
器件的可靠性。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或超出规定的其他条件
是不是暗示。
(2)的代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大
(3)所有电压都是相对于地面的,除非另有规定。
(4)如果在输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
( 5)该值被限制为5.5 V的最大值。
( 6)脉冲在1毫秒持续时间< 10 %的占空比。
( 7 )封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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SP3T模拟开关
5 V / 3.3 V单信道3 : 1复用器/解复用器
SCDS214 - 2005年10月
电气特性,用于5 V电源
(1)
V + = 4.5 V至5.5 V , TA = -40 ° C至85°C (除非另有说明)
参数
模拟开关
模拟信号
范围
山顶上
阻力
导通状态
阻力
导通状态
电阻匹配
通道之间
VCOM , VNO
Rpeak
罗恩
r
on
0
≤
( VNO )
≤
V+,
ICOM = -100毫安,
VNO = 2.5 V ,
ICOM = -100毫安,
VNO = 2.5 V ,
ICOM = -100毫安,
0
≤
( VNO )
≤
V+,
ICOM = -100毫安,
VNO = 1 V , 1.5 V, 2.5 V ,
ICOM = -100毫安,
VNO = 1 V , VCOM = 1 V至4.5 V ,
or
VNO = 4.5 V , VCOM = 1 V至4.5 V ,
开机,
见图13
开机,
见图13
开机,
见图13
开机,
见图13
开机,
见图13
关闭,
见图14
关闭,
见图14
开机,
参见图15
关闭,
见图14
关闭,
见图14
开机,
参见图15
25
°C
满
25°C
满
25°C
4.5 V
满
25°C
25°C
满
25°C
5.5 V
满
25°C
满
25°C
5.5 V
满
25°C
5.5 V
满
25°C
满
25°C
5.5 V
满
220
220
0V
250
8
50
30
5
0.1
250
8
50
30
nA
A
A
220
25
8
220
25
nA
0V
150
1
25
30
5
0.8
150
1
25
30
nA
A
A
20
5
4.5 V
0.15
0.1
0.25
0.25
20
nA
0.1
4.5 V
0.1
4.5 V
0.7
0
0.8
V+
1.1
1.5
0.9
1.1
0.1
V
符号
测试条件
TA
V+
民
典型值
最大
单位
导通状态
电阻平坦度
罗恩(平)
NO
关闭泄漏
当前
INO (OFF)的
VNO = 0 5.5 V ,
INO ( PWROFF )
VCOM = 5.5 V至0 ,
INO (ON)的
VNO = 1 V , VCOM =打开,
or
VNO = 4.5 V , VCOM =打开,
VNO = 4.5 V , VCOM = 1 V至4.5 V ,
or
VNO = 1 V , VCOM = 1 V至4.5 V ,
NO
渗漏
当前
COM
关闭泄漏
当前
ICOM (OFF)的
VCOM = 0 5.5 V ,
ICOM ( PWROFF )
VNO = 5.5 V至0 ,
ICOM ( ON)
VNO =打开, VCOM = 1 V ,
or
VNO =打开, VCOM = 4.5 V ,
COM
渗漏
当前
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏
当前
数字控制输入( IN1,IN2 )(2)
VIH
VIL
IIH , IIL
VI = 5.5 V或0
满
满
25°C
满
5.5 V
2.4
0
2
20
5.5
0.8
2
20
nA
V
V
(1)的代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大
( 2 )该设备的所有未使用的数字输入必须在V +或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
启示
慢或浮动CMOS输入的,
文献编号SCBA004 。
3
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SP3T模拟开关
5 V / 3.3 V单信道3 : 1复用器/解复用器
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电气特性,用于5 V电源
(1)
(续)
V + = 4.5 V至5.5 V , TA = -40 ° C至85°C (除非另有说明)
参数
动态
开启时间
打开-O FF时间
打破先接后
让时间
收费
注射
NO
关闭
电容
COM
关闭
电容
NO
ON
电容
COM
ON
电容
数字输入
电容
带宽
关断隔离
相声
总谐波
失真
供应
25°C
正电源
I+
VI = V +或GND ,
开启或关闭
5.5 V
当前
满
(1)的代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大
16
50
1200
nA
吨
花花公子
TBBM
QC
VCOM = V + ,
RL = 50
,
VCOM = V + ,
RL = 50
,
VNO = V + ,
RL = 50
,
VGEN = 0,
RGEN = 0,
VNO = V +或GND ,
关闭,
VCOM = V +或GND ,
关闭,
VNO = V +或GND ,
开机,
VCOM = V +或GND ,
开机,
VI = V +或GND ,
RL = 50
,
开机,
RL = 50
,
F = 1MHz时,
RL = 50
,
F = 1MHz时,
RL = 600
,
CL = 50 pF的,
CL = 35 pF的,
见图17
CL = 35 pF的,
见图17
CL = 35 pF的,
见图18
CL = 1 nF的,
见图22
见图16
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
5V
4.5 V至5.5 V
5V
4.5 V至5.5 V
5V
4.5 V至5.5 V
5V
1
1
1
1
0.5
0.5
20
8.5
6
2.5
21
23.5
10.5
12
18
23
ns
pC
ns
ns
符号
测试条件
TA
V+
民
典型值
最大
单位
CNO (OFF)的
25°C
5V
18
pF
CCOM (关闭)
见图16
25°C
2.5 V
54
pF
CNO (ON)的
见图16
25°C
5V
78
pF
CCOM (上)
见图16
25°C
5V
78
pF
CI
BW
大矶
XTALK
THD
见图16
见图19
关闭,
见图20
开机,
见图21
F = 20赫兹到20千赫兹,
见图23
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
5V
5V
5V
5V
5V
2.5
75
64
64
0.005
pF
兆赫
dB
dB
%
4
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SP3T模拟开关
5 V / 3.3 V单信道3 : 1复用器/解复用器
SCDS214 - 2005年10月
电气特性的3.3 V电源
(1)
V + = 3 V至3.6 V , TA = -40 ° C至85°C (除非另有说明)
参数
模拟开关
模拟信号
范围
山顶上
阻力
导通状态
阻力
导通状态
电阻匹配
通道之间
VCOM , VNO ,
VNC
Rpeak
罗恩
r
on
0
≤
( VNO )
≤
V+,
ICOM = -100毫安,
VNO = 2 V ,
ICOM = -100毫安,
VNO = 2 V , 0.8 V,
ICOM = -100毫安,
0
≤
( VNO )
≤
V+,
ICOM = -100毫安,
VNO = 2 V , 0.8 V,
ICOM = -100毫安,
VNO = 1 V , VCOM = 1 V 3 V,
or
VNO = 3 V , VCOM = 1 V 3 V,
开机,
见图13
开机,
见图13
开机,
见图13
开机,
见图13
开机,
见图13
关闭,
见图14
关闭,
见图14
开机,
参见图15
关闭,
见图14
关闭,
见图14
开机,
参见图15
25
°C
满
25°C
满
25°C
3V
满
25°C
25°C
满
25°C
3.6 V
满
25°C
满
25°C
3.6 V
满
25°C
3.6 V
满
25°C
满
25°C
3.6 V
满
40
40
0V
75
1
20
15
4
0.2
75
1
20
15
nA
A
A
40
15
3
40
15
nA
0V
30
1
10
15
3
0.2
30
1
10
15
nA
A
A
15
3
3V
0.2
0.2
0.35
0.35
15
nA
0.15
3V
0.1
3V
1.2
0
1.3
V+
1.6
2
1.6
1.8
0.15
V
符号
测试条件
TA
V+
民
典型值
最大
单位
导通状态
电阻平坦度
罗恩(平)
NO
关闭泄漏
当前
INO (OFF)的
VNO = 0 3.6 V ,
INO ( PWROFF )
VCOM = 3.6 V至0 ,
INO (ON)的
VNO = 1 V , VCOM =打开,
or
VNO = 3 V , VCOM =打开,
VNO = 0 V至3.6 V , VCOM = 1 V ,
or
VNO = 3.6 V至0 V , VCOM = 3 V ,
NO
渗漏
当前
COM
关闭泄漏
当前
ICOM (OFF)的
VCOM = 0 3.6 V ,
ICOM ( PWROFF )
VNO = 3.6 V至0 ,
ICOM ( ON)
VNO =打开, VCOM = 1 V ,
or
VNO =打开, VCOM = 3 V ,
COM
渗漏
当前
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏
当前
数字控制输入( IN1,IN2 )(2)
VIH
VIL
IIH , IIL
VI = 5.5 V或0
满
满
25°C
满
3.6 V
2
0
2
20
5.5
0.8
2
20
nA
V
V
(1)的代数约定,从而最负的值是最小值和最积极的值是最大
( 2 )该设备的所有未使用的数字输入必须在V +或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
启示
慢或浮动CMOS输入的,
文献编号SCBA004 。
5