TS555
低功耗，单CMOS计时器
s
极低的功耗：
s
s
s
s
s
s
s
在V 110 μA （典型值）
CC
= 5V
90 μA （典型值）在V
CC
= 3V
高的最大稳态频率
2.7MHz
引脚对引脚和功能
兼容双极NE555
宽电压范围： + 2V至+ 16V
高输出电流能力
电源电流尖峰减量
输出转换期间
高输入阻抗： 10
12
输出兼容TTL ， CMOS
和MOS逻辑
N
DIP8
（塑料包装）
描述
该TS555是一个单一的CMOS定时器，提供
极低的功耗（I
CC （典型值）
TS555 = 110μA ，在
V
CC
= + 5V与我
CC （典型值）
NE555 = 3毫安）和高
频率f
F（ MAX 。 ）
TS555 = 2.7MHz与F
（最大
)
NE555 = 0.1兆赫）
因此，无论是在单稳态或非稳态模式，时序
ING仍非常准确。
该TS555提供了降低电源电流
输出转换期间尖峰，使
使用较低的去耦电容相比
于那些由双极NE555必需的。
定时电容器也可以是由于最小化
高输入阻抗（ 10
12
).
订购代码
包
产品型号
TS555C
TS555I
TS555M
温度范围
N
0°C, +70°C
-40°C, +125°C
-55°C, +125°C
D
P
D
SO8
（塑料Micropackage ）
P
TSSOP8
（薄小外形封装）
引脚连接
（ TOP VIEW ）
GND
TRIGGER
产量
RESET
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
放电
门槛
控制
电压
N =
双列直插式封装（ DIP ）
D =
小外形封装（ SO ） - 也可在带&卷（ DT ）
P =
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） - 仅适用
在磁带&卷（ PT ）
2003年2月
1/12
TS555
电气特性
V
CC
= + 3V ，T
AMB
= + 25 ° C，复位到V
CC
（除非另有规定编）
符号
I
CC
V
CL
V
DIS
I
DIS
V
OL
V
OH
V
TRIG
I
TRIG
I
TH
V
RESET
I
RESET
参数
电源电流（无负载，高和低状态）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
控制电压电平
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
放电饱和电压（I
DIS
= 1毫安）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
放电端子泄漏电流
低电平输出电压（I
SINK
= 1毫安）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
高电平输出电压（I
来源
= -0.3mA ）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
触发电压
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
触发电流
阈值电流
复位电压
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
复位电流
0.4
0.3
2.5
2.5
0.9
0.8
1.8
1.7
分钟。
典型值。
90
2
0.05
1
0.1
2.9
1
10
10
1.1
10
1.5
2.0
1.1
1.2
马克斯。
230
230
2.2
2.3
0.2
0.25
100
0.3
0.35
单位
A
V
V
nA
V
V
V
pA
pA
V
pA
动态电气特性
V
CC
= + 3V ，T
AMB
= + 25 ° C，复位到V
CC
（除非另有规定编）
符号
参数
授时精度（单稳态）
1)
R = 10kΩ的，C = 0.1μF
分钟。
典型值。
1
1
0.5
75
2
5
0.5
25
20
100
350
-
马克斯。
单位
V
CC
=+2V
V
CC
=+3V
%
与电源电压变化的时移（单稳态）
R = 10kΩ的，C = 0.1μF ，V
CC
= +3V ±0.3V
1)
定时位移随温度
1)
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
最大
.5
f
最大
最大的非稳态频率
2)
R
A
= 470, R
B
= 200Ω ，C = 200pF的
非稳态频率精度
2)
R
A
=R
B
= 1kΩ的到100kΩ的，C = 0.1μF
定时偏移与电源电压变化（非稳态模式）
2)
R
A
=R
B
= 1kΩ的到100kΩ的，C = 0.1μF ，V
CC
= 3到+ 5V
t
R
t
F
t
PD
t
乡郊小工程
1.
2.
%/V
PPM /°C的
兆赫
%
%/V
ns
ns
ns
ns
输出上升时间（C
负载
= 10pF的）
输出下降时间（C
负载
= 10pF的）
触发传播延迟
最小复位脉冲宽度（V
TRIG
= +3V)
见图2
参见图4
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