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TS4990
1.2 W音频功率放大器和有源低待机模式
特点
TS4990IJT / TS4990EIJT - 倒装芯片凸点9
经营范围从V
CC
= 2.2 V至5.5 V
1.2 W输出功率@ V
CC
= 5V ,THD = 1% ,
F = 1 kHz时,有8Ω负载
在待机模式下的超低功耗( 10nA的)
62分贝PSRR在217Hz的在接地模式
近零咔嗒
超低失真( 0.1 % )
单位增益稳定
可在9焊球倒装芯片, miniSO -8和
DFN8包
TS4990IST - MiniSO - 8
VIN-
GND
绕行
VIN +
VCC
STBY
VOUT1
GND
VOUT2
应用
移动电话(蜂窝/无绳)
笔记本电脑/笔记本电脑
掌上电脑
便携式音频设备
TS4990IQT - DFN8
待机
绕行
V
IN +
V
IN-
描述
该TS4990是专为要求苛刻的音频
应用,例如移动电话,以减少
外部元件的数目。
这个音频功率放大器能够提供的
1.2 RMS连续输出功率W到8Ω
负载为5 V.
外部控制待机模式可降低
电源电流低于10 nA的。这也
包括一个内部热关断保护。
单位增益稳定的放大器可以配置
由外部增益设置电阻。
1
2
3
4
8
7
6
5
V
输出2
GND
VCC
V
出1
TS4990ID / TS4990IDT - SO- 8
STBY
绕行
1
8
VOUT2
GND
V
CC
VOUT1
2
7
VIN +
VIN-
3
6
4
5
2008年5月
转12
1/32
www.st.com
32
目录
TS4990
目录
1
2
3
4
绝对最大额定值和工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
典型应用电路图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
应用程序的信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
4.8
4.9
BTL配置的原则。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
获得在一个典型的应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
低频和高频响应。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
功耗和效率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
去耦电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
唤醒时间(t
WU
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
关机时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
流行音乐的表现。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
应用举例:差分输入, BTL功放。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
5
包装信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
5.1
5.2
5.3
5.4
倒装芯片封装的信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
MiniSO - 8封装的信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
DFN8封装信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
SO- 8封装的信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
6
7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
2/32
TS4990
绝对最大额定值和运行条件
1
表1中。
符号
V
CC
V
in
T
OPER
T
英镑
T
j
绝对最大额定值和运行条件
绝对最大额定值( AMR )
参数
电源电压
(1)
输入电压
(2)
工作自由空气的温度范围内
储存温度
最高结温
热阻结到环境
FL IP芯片
(3)
MiniSO-8
DFN8
功耗
HBM :人体模型
(4)
MM :机器型号
(5)
闭锁抗扰度
焊接温度(焊接, 10秒)
焊接温度(焊接, 10秒)的无铅版本
价值
6
GND到V
CC
-40+ 85
-65到+150
150
250
215
120
内部限制
2
200
200
250
260
kV
V
mA
°C
单位
V
V
°C
°C
°C
R
thJA
° C / W
P
DISS
ESD
1.所有电压值的测量相对于该接地引脚。
2.输入信号的幅度必须从不超过V
CC
+ 0.3 V / GND - 0.3 V.
3.设备进行保护,以防温度过高主动热关断,在150 ° C。
4.人体模型:一个100pF电容通过一个1.5 kΩ的电阻充电至额定电压,然后排出
之间的两个管脚的装置。这样做是为所有夫妇的连接引脚组合,而其他引脚悬空。
5.机器型号: A 200 pF的电容充电至额定电压,然后直接排出两个引脚之间
器件无需外部串联电阻(内部电阻< 5
Ω).
这是所有情侣的连接引脚进行组合
而另一管脚浮动。
表2中。
符号
V
CC
V
ICM
V
STBY
R
L
T
SD
工作条件
参数
电源电压
共模输入电压范围
待机电压输入:
设备上
设备关闭
负载电阻
热关断温度
热阻结到环境
倒装芯片
(1)
MiniSO-8
DFN8
(2)
价值
2.25.5
1.2V至V
CC
1.35
V
STBY
V
CC
GND
V
STBY
0.4
4
150
100
190
40
单位
V
V
V
Ω
°C
R
thJA
° C / W
1.达到与100毫米的这个热阻
2
铜散热片表面。
2.
当安装在4层PCB 。
3/32
典型应用原理图
TS4990
2
典型应用原理图
图1 。
典型应用原理图
Rfeed
Cfeed
VCC
+
Cs
VCC
AUDIO IN
CIN
VIN-
-
VOUT 1
VIN +
+
音箱
8欧姆
-
AV = -1
绕行
VOUT 2
+
待机
控制
Cb
待机
BIAS
GND
表3中。
组件说明
功能说明
反相输入端的电阻,用于设置闭环增益结合有R
饲料
。这
电阻也形成一个高通滤波器用C
in
(F
c
= 1 / (2×裨个R
in
乘C
in
)).
输入耦合电容,阻止在放大器输入端的直流电压。
反馈电阻,用于设置闭环增益结合有R
in
.
电源旁路电容,提供电源滤波。
旁路引脚电容,提供了一半的电源滤波。
低通滤波器的电容器允许切断高频(低通滤波器的截止
频率1 / (2×裨个R
饲料
乘C
饲料
)).
在BTL配置= 2×闭环增益(R
饲料
/ R
in
).
DFN8裸露焊盘电连接到引脚7见
DFN8包
第28页上的信息
了解更多信息。
部件
R
in
C
in
R
饲料
C
s
C
b
C
饲料
A
V
裸露焊盘
4/32
+
TS4990
TS4990
电气特性
3
电气特性
表4 。
符号
I
CC
I
STBY
V
oo
P
OUT
THD + N
电气特性在V
CC
= + 5V , GND = 0 V ,T
AMB
= 25°C
(除非另有规定编)
参数
电源电流
没有输入信号时,无负载
待机电流
(1)
没有输入信号V
STBY
= GND ,R
L
= 8Ω
输出失调电压
没有输入信号中,R
L
= 8Ω
输出功率
THD = 1 %最大, F = 1kHz时,R
L
= 8Ω
总谐波失真+噪声
P
OUT
= 1W
RMS
, A
V
= 2, 20Hz的
F
为20kHz ,R
L
= 8Ω
电源抑制比
(2)
R
L
= 8Ω, A
V
= 2, V
纹波
= 200mV的
pp
,输入接地
F = 217Hz时
F = 1kHz时
唤醒时间(C
b
= 1F)
待机时间(C
b
= 1F)
待机电压等级高
待机电压电平低
相位裕度为单位增益
R
L
= 8Ω C
L
= 500pF的
,
增益裕度
R
L
= 8Ω C
L
= 500pF的
,
增益带宽积
R
L
= 8Ω
输出电阻到GND (V
STBY
V
STBYL
)
V
out1
V
out2
65
15
1.5
0.9
分钟。
典型值。
3.7
10
1
1.2
0.2
马克斯。
6
1000
10
单位
mA
nA
mV
W
%
PSRR
55
55
62
64
90
10
1.3
0.4
130
dB
t
WU
t
STBY
V
STBYH
V
STBYL
Φ
M
GM
英镑
ms
s
V
V
dB
兆赫
R
OUT- GND
3
43
1.待机模式被激活时, V
STBY
被连接到GND 。
2.所有PSRR数据限制由生产抽测保证。
动态测量 - 20 *日志(有效值(V
OUT
) /有效值(V
纹波
)). V
纹波
当被正弦信号叠加
V
CC
.
5/32
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