TS3V3704
3V
微功耗QUAD CMOS电压比较器
s
献给
3.3V
OR
电池供电
（指定在3V和5V ）
s
PUSH - PULL CMOS输出（ NO克斯特
NAL上拉电阻必填）
s
极低的电源电流：
7μA典型值/比较器
s
宽单电源范围
2.7V至16V
N
DIP14
（塑料包装）
s
极低的输入失调
潮流：
1pA的TYP
s
输入共模电压范围
INCLUDES GND
s
快速响应时间： 2μs的典型的为5mV
OVERDRIVE
D
SO14
（塑料Micropackage ）
s
引脚对引脚和功能
兼容双极LM339
描述
该TS3V3704是一个微四路CMOS电压
年龄比较器具有极低的功耗
7μA典型值/比较器（ 20倍小于双极
LM339 ） 。推挽CMOS输出级，可
功率和节省空间通过消除克斯特
通过通常的开放式collec-需要纳尔上拉电阻
器输出的比较器。
因此，响应时间保持类似LM339 。
输出2
1
14
13
12
-
+
-
+
+
-
+
-
11
10
9
8
输出3
输出4
V
CC
-
非invertingInput 4
InvertingInput 4
非invertingInput 3
InvertingInput 3
P
TSSOP14
（薄小外形封装）
引脚连接
（ TOP VIEW ）
订货编号
产品型号
TS3V3704I
温度
范围
-40°C, +125°C
包
N
D
P
输出1 2
V
CC
+
3
反相输入1 4
非invertingInput 1 5
反相输入2 6
N =
双列直插式封装（ DIP ）
D =
小外形封装（ SO ） - 也可在带&卷（ DT ）
P =
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） - 仅适用
在磁带&卷（ PT ）
非invertinginput 2
7
2002年1月
1/7
TS3V3704
原理图
（ 1/4 TS3V3704 ）
V
CC
+
T
10
T
1
T
2
T
9
T
17
R
1
输入 -
T
3
T
4
T
11
T
12
输入+
T
18
T
21
产量
T
13
T
8
T
19
T
20
T
5
T
6
T
7
T
14
T
15
T
16
V
CC
-
绝对最大额定值
符号
V
CC
+
V
id
V
i
V
o
I
o
I
F
p
d
T
英镑
1.
2.
3.
5.
参数
电源电压
1)
差分输入电压
2)
输入电压
3)
输出电压
输出电流
正向电流的ESD保护二极管的输入
4)
功耗
5)
DIP14
SO14
TSSOP14
价值
18
±18
18
18
20
50
1500
830
710
-65到+150
单位
V
V
V
V
mA
mA
存储温度范围
°C
所有电压值，除了差分电压，是相对于网络的接地端子。
差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。
的输入和输出电压的幅值不得超过朊电源电压的幅度。
钯计算和T
AMB
= + 25 ° C，T
j
= + 150°C和R
thJA
=为DIP14封装80 ° C / W
对于SO14封装= 150 ° C / W
=为TSSOP14封装175 ° C / W
4.通过设计保证。
工作条件
符号
V
CC
+
V
ICM
T
OPER
电源电压
共模输入电压范围
工作自由空气的温度范围内
TS3V3704I
参数
价值
2.7 16
0到V
CC
+
-1.5
-40到+125
单位
V
V
°C
2/7
TS3V3704
电气特性
V
CC+
= 3V, V
CC-
= 0V ，T
AMB
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
io
参数
输入失调电压
V
ic
= 1.5V - 注意
1)
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入失调电压 - 记
2)
V
ic
= 1.5V
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入偏置电流（见注2 ）
V
ic
= 1.5V
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入共模电压范围
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
最大
共模抑制比
V
ic
= V
ICM分钟。
电源电压抑制比
V
CC+
= 3V至5V
高电平输出电压
V
id
= 1V ，我
OH
= -4mA
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
低电平输出电压
V
id
= -1V ，我
OL
= 4毫安
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
电源电流（每个比较器）
无负载 - 输出低
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
响应时间从低到高
V
ic
= 0V ， F = 10kHz时，C
L
= 50pF的，
响应时间高至低
V
ic
= 0V ， F = 10kHz时，C
L
= 50pF的，
过载=为5mV
TTL输入
过载=为5mV
TTL输入
2
1.8
0
0
80
75
2.4
1
300
1
600
V
CC+
-1.2
V
CC+
-1.5
V
dB
dB
pA
分钟。
典型值。
马克斯。
5
6.5
单位
mV
I
io
pA
I
ib
V
ICM
CMR
SVR
V
OH
V
V
OL
300
400
450
20
25
mV
I
CC
7
A
t
PLH
1.2
0.7
2
0.15
s
t
PHL
1.
2.
s
指定的偏移电压驱动输出可达4.5V或者降低到0.3V所需的最高可值。
最大值，包括工业性试验不可避免的误差。
3/7
TS3V3704
电气特性
V
CC+
= 5V, V
CC-
= 0V ，T
AMB
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
io
参数
输入失调电压
V
ic
= 2.5V - 注意
1)
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入失调电压 - 记
2)
V
ic
= 2.5V
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入偏置电流（见注2 ）
V
ic
= 2.5V
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入共模电压范围
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
最大
共模抑制比
V
ic
= V
ICM分钟。
电源电压抑制比
V
CC+
= + 5V至+ 10V
高电平输出电压
V
id
= 1V ，我
OH
= -4mA
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
低电平输出电压
V
id
= -1V ，我
OL
= 4毫安
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
电源电流（每个比较器）
无负载 - 输出低
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
响应时间从低到高
V
ic
= 0V ， F = 10kHz时，C
L
= 50pF的，
t
PLH
OVERDRIVE
OVERDRIVE
OVERDRIVE
OVERDRIVE
TTL输入
OVERDRIVE
OVERDRIVE
OVERDRIVE
OVERDRIVE
TTL输入
=为5mV
= 10mV的
= 20mV的
= 40mV以内
4.5
4.3
0
0
80
92
4.7
分钟。
典型值。
1.2
马克斯。
5
6.5
单位
mV
I
io
1
300
1
600
V
CC+
-1.2
V
CC+
-1.5
pA
I
ib
pA
V
ICM
CMR
SVR
V
dB
dB
V
OH
V
V
OL
200
300
375
20
25
mV
I
CC
9
A
1.2
1
0.9
0.8
0.7
2
1.5
0.9
0.7
0.15
30
s
响应时间高至低
V
ic
= 0V ， F = 10kHz时，C
L
= 50pF的，
t
PHL
=为5mV
= 10mV的
= 20mV的
= 40mV以内
s
t
f
1.
2.
下降时间
F = 10kHz时，C
L
= 50pF的， 50mV的过载
ns
指定的偏移电压驱动输出可达4.5V或者降低到0.3V所需的最高可值。
最大值，包括工业性试验不可避免的误差。
4/7
QQ：2881677436 复制
