TS3USB221E

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SCDS263 - 2009年9月

高速USB 2.0 （ 480 Mbps）的1 ： 2多路复用器/多路解复用器开关

与单启用和IEC 3级ESD保护

1

特点

V

CC

2.5 V工作电压为3.3 V

交换机的I / O信号接受高达5.5 V

1.8 -V兼容控制输入引脚

低功耗模式当OE被禁止（ 1

A)

r

ON

= 6

最大

r

ON

= 0.2

典型

C

io的（上）

= 7 pF最大

低功耗（ 30

A

最大）

ESD性能测试每JESD 22

- 7000 -V人体模型

（ A114 -B ， II级）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

ESD性能的I / O端口到GND

- 12 kV的人体模型（ A114 -B ， II级）

- ± 7 kV接触放电（ IEC 61000-4-2 ）

高带宽（ 1 GHz的典型）

刚果（金）包装

（ TOP VIEW ）

1D–

2D+

2D–

GND

EV

IE

W

RSE套餐

（ TOP VIEW ）

1D+

1

2

3

4

5

10

9

8

7

6

V

CC

S

D+

D–

OE

PR

V

CC

10

1D+

1D–

2D+

2D–

1

9

S

D+

D–

OE

应用

用于USB 1.0，1.1和2.0的信号路由

2

8

3

7

描述/

订购信息

该TS3USB221E是一种高带宽开关

专门设计用于高速开关

USB 2.0信号在手机和消费类

应用中，例如蜂窝电话，数码相机，

和笔记本电脑与HUB或控制器与限制

USB I / O操作。此开关的高带宽（ 1千兆赫）

允许信号通过以最小的边缘和相位

失真。该设备复用差分输出

从相应的USB主机设备的两个一

输出。所述开关是双向的，并且提供很少或

没有衰减在高速信号的

输出。它是专为低比特到比特偏移和高

通道与通道之间的噪声隔离，并且是兼容

与各种标准，如高速USB 2.0的

（ 480 Mbps）的。

该TS3USB221E集成了ESD保护细胞上

所有引脚，可在SON封装（ 3毫米×

3毫米），以及在一个微小的

μQFN

包（为2mm×

1.5 mm）的和，其特征在于在所述自由空气

温度范围从-40 ° C到85°C 。

1

4

5

6

GND

RSE套餐

（底视图）

V

CC

S

D+

D–

OE

9

10

1

1D+

1D–

2D+

2D–

8

2

7

3

6

5

4

GND

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

除非另有说明这个文件包含

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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订购信息

T

A

-40 ° C至85°C

(1)

(2)

(3)

SON - 刚果（金）

(3)

包

(1) (2)

3000卷

3000卷

QFN （ μQFN ） - RSE

订购型号

TS3USB221EDRCR

TS3USB221ERSER

顶部端标记

ZVM

LGR

包装图纸，热数据和符号可在

www.ti.com/packaging 。

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

包预览

引脚说明

名字

OE

S

D

nD

描述

总线开关启用

选择输入

总线

BUS B

真值表

S

X

L

H

OE

H

L

L

功能

断开

D = 1D

D = 2D

框图

D+

D

1D+

1D

2D+

2D

S

OE

简化原理图，各FET开关（ SW）的

A

V

CC

B

收费

泵

EN （见注一）

A.

EN为施加在开关内部的使能信号。

2

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绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

V

CC

V

IN

V

I / O

I

IK

I

I / OK

I

I / O

电源电压范围

控制输入电压范围

(2) (3)

开关I / O电压范围

I / O端口钳位电流

ON状态的开关电流

(5)

(2) (3) (4)

最大

4.6

7

7

–50

–50

±120

±100

单位

V

V

V

mA

mA

mA

mA

° C / W

°C

–0.5

–0.5

–0.5

V

IN

＆ LT ; 0

V

I / O

＆ LT ; 0

控制输入钳位电流

连续电流通过V

CC

或GND

刚果（金）包装

θ

JA

T

英镑

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

封装的热阻抗

(6)

存储温度范围

RSE套餐

ZXU包

–65

(7)

48.7

243

128

150

超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作

conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有电压都是相对于地，除非另有规定。

如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

V

I

和V

O

被用于表示为V的具体条件

I / O

.

I

I

我

O

被用于表示对我的具体条件

I / O

.

封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

包预览

推荐工作条件

(1)

民

V

CC

V

IH

V

IL

V

I / O

T

A

(1)

电源电压

高层次的控制输入电压

低级别的控制输入电压

数据输入/输出电压

工作自由空气的温度

V

CC

= 2.3 V至2.7 V

V

CC

= 2.7 V至3.6 V

V

CC

= 2.3 V至2.7 V

V

CC

= 2.7 V至3.6 V

0

–40

2.3

0.46 × V

CC

0.46 × V

CC

0.25 × V

CC

0.25 × V

CC

5.5

85

最大

3.6

单位

V

V

V

V

°C

该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行

CC

或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

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3

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电气特性

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

参数

V

IK

I

IN

I

OZ （3）

控制

输入

V

CC

= 3.6 V, 2.7 V,

V

CC

= 3.6 V, 2.7 V, 0 V,

V

CC

= 3.6 V, 2.7 V,

V

O

= 0 V至5.25 V ，V

I

= 0 V,

V

CC

= 0 V

V

CC

= 3.6 V, 2.7 V,

V

IN

= V

CC

或GND ，

V

CC

= 3.6 V, 2.7 V,

V

IN

= V

CC

或GND

一个输入在1.8 V ，

其他输入在V

CC

或GND

V

CC

= 3.3 V, 2.5 V,

V

CC

= 3.3 V, 2.5 V,

V

CC

= 3.3 V, 2.5 V,

V

CC

= 3 V, 2.3 V

V

CC

= 3 V, 2.3 V

V

CC

= 3 V, 2.3 V

测试条件

I

I

= -18毫安

V

IN

= 0 V至3.6 V

V

IN

= V

CC

或GND ，

关闭

V

I / O

= 0 V至5.25 V

I

（关闭）

V

I / O

= 0 V至3.6 V

V

I / O

= 0 V至2.7 V

I

CC

I

CC

（低功耗

模式）

I

CC (4)

C

in

C

io的（OFF）的

C

io的（上）

r

（5）上

r

on

r

对（平）

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

控制

输入

控制

输入

I

I / O

= 0 V,

开启或关闭

开关禁用

（ OE为高电平状态）

V

CC

= 3.6 V

V

CC

= 2.7 V

V

IN

= 3.3 V或0 V

V

I / O

= 3.3 V或0 V ，

V

I / O

= 3.3 V或0 V ，

V

I

= 0 V,

V

I

= 2.4 V,

V

I

= 0 V,

V

I

= 1.7,

V

I

= 0 V,

V

I

= 1.7,

关闭

开关ON

I

O

= 30毫安

I

O

= -15毫安

I

O

= 30毫安

I

O

= -15毫安

I

O

= 30毫安

I

O

= -15毫安

1.5

3.5

6

3

3.4

0.2

0.2

1

1

民

典型值

(2)

最大

–1.8

±1

±1

±2

±2

±1

30

1

20

0.5

2.5

5

7.5

6

6

A

A

A

pF

pF

pF

A

单位

V

A

A

V

IN

我

IN

见控制输入。 V

I

, V

O

, I

I

和我

O

参阅数据引脚。

所有典型值是在V

CC

= 3.3V （除非另有说明）中，T

A

= 25C.

对于I / O端口，参数我

OZ

包括输入漏电流。

这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是V

CC

或GND 。

测得的由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻

由两个（ A或B）端子的电压的降低来确定。

动态电气特性

在工作范围内，T

A

= -40°C至85°C ，V

CC

= 3.3V ±10％ ，GND = 0V

参数

X

TALK

O

IRR

BW

(1)

相声

关断隔离

带宽（-3 dB）的

R

L

= 50中，f = 250MHz的

R

L

= 50中，f = 250MHz的

R

L

= 50

测试条件

典型值

(1)

–40

–40

1

单位

dB

dB

GHz的

对于最大或最小的条件下，使用下的电气特性适用的设备类型指定适当的值。

4

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动态电气特性

在工作范围内，T

A

= -40°C至85°C ，V

CC

= 2.5伏±10％ ，GND = 0V

参数

X

TALK

O

IRR

BW

(1)

相声

关断隔离

带宽（3 dB为单位）

R

L

= 50中，f = 250MHz的

R

L

= 50中，f = 250MHz的

R

L

= 50

测试条件

典型值

(1)

-39

-40

1

单位

dB

dB

GHz的

对于最大或最小的条件下，使用下的电气特性适用的设备类型指定适当的值。

开关特性

在工作范围内，T

A

= -40°C至85°C ，V

CC

= 3.3V ±10％ ，GND = 0V

参数

t

pd

t

ON

t

关闭

t

SK （ O）

t

SK （p）的

(1)

(2)

(3)

传播延迟

(2) (3)

线启用时间

线禁止时间

输出偏移中心的端口之间的任何其他端口

(2)

相同的输出相反的转换（T之间的偏移

PHL

– t

PLH

)

(2)

民

S到D， ND

OE到D ， ND

S到D， ND

OE到D ， ND

典型值

(1)

0.25

最大

30

17

12

10

单位

ns

ns

ns

ns

ns

0.1

0.1

0.2

0.2

对于最大或最小的条件下，使用下的电气特性适用的设备类型指定适当的值。

按设计规定

根据总线开关有助于无传输时延比的上开关和负载电容的电阻RC延迟等。

时间常数为单独的开关是0.25纳秒为10 pF负载的量级。由于该时间常数比上升/下降要小得多

典型的驱动信号时，它增加了非常小的传输时延的系统。总线开关，在使用时的传输时延

的系统中，是通过在开关及其与从动侧的负载相互作用的驱动侧的驱动电路来确定。

开关特性

在工作范围内，T

A

= -40°C至85°C ，V

CC

= 2.5伏±10％ ，GND = 0V

参数

t

pd

t

ON

t

关闭

t

SK （ O）

t

SK （p）的

(1)

(2)

(3)

传播延迟

线启用时间

线禁止时间

(2) (3)

民

S到D， ND

OE到D ， ND

S到D， ND

OE到D ， ND

典型值

(1)

0.25

最大

50

32

23

12

单位

ns

ns

ns

ns

ns

输出偏移中心的端口之间的任何其他端口

(2)

相同的输出相反的转换（T之间的偏移

PHL

– t

PLH

)

(2)

0.1

0.1

0.2

0.2

对于最大或最小的条件下，使用下的电气特性适用的设备类型指定适当的值。

按设计规定

根据总线开关有助于无传输时延比的上开关和负载电容的电阻RC延迟等。

时间常数为单独的开关是0.25纳秒为10 pF负载的量级。由于该时间常数比上升/下降要小得多

典型的驱动信号时，它增加了非常小的传输时延的系统。总线开关，在使用时的传输时延

的系统中，是通过在开关及其与从动侧的负载相互作用的驱动侧的驱动电路来确定。

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