TS3A5017
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..........................................................................................................................................
SCDS188D - 2005年1月 - 修订2008年12月
双SP4T模拟开关
3.3 V / 2.5 V双4 ： 1模拟复用器/解复用器
1
特点
隔离在掉电模式下，V
+
= 0
低通态电阻
低电荷注入
出色的导通电阻匹配
低总谐波失真（ THD ）
2.3 V至3.6 V单电源供电
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
描述
该TS3A5017是一款双单刀四重掷
（4： 1） ，其被设计来从操作模拟开关
2.3 V至3.6 V.该器件可处理的数字
和模拟信号，并且信号至V
+
可以
在任一方向传送。
功能表
EN
L
L
L
L
H
IN2
L
L
H
H
X
IN1
L
H
L
H
X
D TO S，
S到
= S
1
= S
2
= S
3
= S
4
关闭
应用
采样保持电路
电池供电设备
音频和视频信号路由
通信电路
D， DBQ ， DGV ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
1EN
IN2
1S
4
1S
3
1S
2
1
2
3
4
5
逻辑
控制
逻辑
控制
16
V
+
15
2EN
14
IN1
13
2S
4
12
2S
3
11
2S
2
10
2S
1
9
RGY包装
（ TOP VIEW ）
1EN
1
RSV包
（ TOP VIEW ）
16
15
14
IN2
V
+
16
15
14
13
12
11
10
9
IN2
1S
4
1S
3
1S
2
1S
1
1D
2
3
4
5
6
7
8
9
2EN
IN1
2S
4
1S
4
1S
3
1S
2
1S
1
2EN
IN1
2S
4
2S
3
2S
2
8
1
2
3
4
5
6
7
裸露
中心
PAD
13
12
11
10
2S
3
2S
2
2S
1
1S
1 6
1D
GND
7
8
2D
GND
2D
如果裸露中心垫的情况下，它必须是
连接成一个次级地面
或左电气开路。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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GND
2D
2S
1
1D
1EN
V
+
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订购信息
T
A
μQFN
- RSV
QFN - RGY
SOIC - D
-40 ° C至85°C
SSOP （ QSOP ） - DBQ
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
(1)
(2)
包
(1) (2)
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购型号
TS3A5017RSVR
TS3A5017RGYR
TS3A5017D
TS3A5017DR
TS3A5017DBQR
TS3A5017PW
TS3A5017PWR
TS3A5017DGVR
ZVL
YA017
TS3A5017
YA017
YA017
YA017
顶部端标记
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
特点综述
V
+
= 3.3 V ，T
A
= 25°C
CON组fi guration
信道数
导通电阻（R
on
)
导通电阻匹配（ ΔR
on
)
导通电阻平坦度（R
对（平）
)
导通/关断时间（t
ON
/t
关闭
)
电荷注入（Q
C
)
带宽（ BW ）
截止隔离（O
ISO
)
串扰（X
TALK
)
总谐波失真（ THD ）
漏电流（I
D（关闭）
/I
S（ OFF）
)
电源电流（I
+
)
封装选项
双模拟
复用器/解复用器
（ 4 ： 1复用器/解复用器）
2
11
1
7
5纳秒/ 1.5纳秒
5件
165兆赫
-48分贝在10 MHz
-49分贝在10 MHz
0.21%
±0.1
A
2.5
A
16引脚QFN封装，
μQFN ，
SOIC ，
SSOP ， TSSOP ，或TVSOP
2
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绝对最低和最高等级
(1) (2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
+
I
SK
,
I
DK
I
S
, I
D
V
I
I
IK
I
+
I
GND
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
电源电压
(3)
最大
4.6
4.6
单位
V
V
mA
–0.5
–0.5
V
S
, V
D
＆ LT ; 0
V
S
, V
D
= 0到7V的
(3) (4)
V
S
, V
D
模拟电压
(3) (4)
模拟端口钳位电流
ON状态的开关电流
数字输入电压
数字输入钳位电流
V
I
＆ LT ; 0
连续电流通过V
+
连续电流通过GND
储存温度
–50
–128
–0.5
–50
100
–100
–65
150
128
4.6
mA
V
mA
mA
mA
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
代数约定，从而最负的值是最小值和最积极的值是最大值。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗
单位
包
DB包装
θ
JA
封装的热阻抗
(1)
DGV包
DW包装
RGY包装
RSV包
(1)
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
73
82
120
108
91.6
184
° C / W
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电气特性的3.3 V电源
(1)
V
+
= 2.7 V至3.6 V ，T
A
= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）
参数
模拟开关
模拟信号
范围
导通状态
阻力
导通状态
阻力
MATCH
间
频道
导通状态
阻力
平整度
S
关闭泄漏
当前
V
D
, V
S
r
on
0
≤
V
S
≤
V
+
,
I
D
= -32毫安，
开机，
SEE
图13
25°C
满
25°C
Δr
on
V
S
= 2.1 V,
I
D
= -32毫安，
开机，
SEE
图13
满
25°C
满
25°C
关闭，
SEE
图14
满
25°C
满
25°C
关闭，
SEE
图14
满
25°C
满
开机，
SEE
图15
开机，
SEE
图15
25°C
满
25°C
满
3.6 V
3.6 V
3.6 V
3.6 V
3V
–0.1
–0.2
–1
–5
–0.1
–0.2
–1
–5
–0.1
–0.2
–0.1
–0.2
0.05
0.05
0.5
0.05
0.5
0.05
3V
3V
0
11
1
V
+
12
14
2
3
7
9
10
0.1
0.2
1
5
0.1
0.2
1
5
0.1
0.2
0.1
0.2
A
A
A
V
符号
测试条件
T
A
V
+
民
TYP MAX
单位
r
对（平）
0
≤
V
S
≤
V
+
,
I
D
= -32毫安，
V
S
= 1 V, V
D
= 3 V,
or
V
S
= 3 V, V
D
= 1 V,
V
S
= 0 3.6 V ，
V
D
= 3.6 V至0 ，
V
S
= 1 V, V
D
= 3 V,
or
V
S
= 3 V, V
D
= 1 V,
V
D
= 0 3.6 V ，
V
S
= 3.6 V至0 ，
V
S
= 1 V, V
D
=开，
or
V
S
= 3 V, V
D
=开，
V
D
= 1 V, V
S
=开，
or
V
D
= 3 V, V
S
=开，
开机，
SEE
图13
I
S（ OFF）
I
SPWR （OFF）的
0V
D
关闭泄漏
当前
S
渗漏
当前
D
渗漏
当前
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏
当前
(1)
(2)
I
D（关闭）
I
DPWR （OFF）的
0V
I
秒（上）
I
D（上）
A
数字控制输入（ IN1 ， IN2 ， EN ）
(2)
V
IH
V
IL
I
IH
, I
IL
V
I
= V
+
或0
满
满
25°C
满
3.6 V
2
0
–1
–1
0.05
V
+
0.8
1
1
V
V
A
代数约定，从而最负的值是最小值和最积极的值是最大
该设备的所有未使用的数字输入必须在V举行
+
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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3.3 V电源电气特性（续）
V
+
= 2.7 V至3.6 V ，T
A
= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）
参数
动态
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
S
关闭
电容
D
关闭
电容
S
在电容
D
在电容
数字输入
电容
带宽
关断隔离
相声
相声
邻
总谐波
失真
供应
正电源
当前
I
+
V
I
= V
+
或GND ，
开启或关闭
25°C
满
3.6 V
2.5
7
10
A
t
ON
t
关闭
Q
C
C
S（ OFF）
V
D
= 2 V,
R
L
= 300
,
V
D
= 2 V,
R
L
= 300
,
V
根
= 0, R
根
= 0,
C
L
= 0.1 nF的，
V
S
= V
+
或GND ，
关闭，
V
D
= V
+
或GND ，
关闭，
V
S
= V
+
或GND ，
开机，
V
D
= V
+
或GND ，
开机，
V
I
= V
+
或GND ，
R
L
= 50
,
开机，
R
L
= 50
,
F = 1MHz时，
R
L
= 50
,
F = 1MHz时，
R
L
= 50
,
F = 1MHz时，
R
L
= 600
,
C
L
= 50 pF的，
C
L
= 35 pF的，
SEE
图17
C
L
= 35 pF的，
SEE
图17
SEE
图22
SEE
图16
25°C
满
25°C
满
25°C
25°C
3.3 V
3 V至3.6 V
3.3 V
3 V至3.6 V
3.3 V
3.3 V
1
1
0.5
0.5
5
4.5
1.5
5
9.5
10.5
3.5
4.5
ns
ns
pC
pF
符号
测试条件
T
A
V
+
民
TYP MAX
单位
C
D（关闭）
C
秒（上）
C
D（上）
C
I
BW
O
ISO
X
TALK
X
TALK （ ADJ ）
THD
SEE
图16
SEE
图16
SEE
图16
SEE
图16
SEE
图18
SEE
图19
SEE
图20
SEE
图21
F = 20赫兹到20千赫兹，
SEE
图23
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
3.3 V
3.3 V
3.3 V
3.3 V
3.3 V
3.3 V
3.3 V
3.3 V
3.3 V
19
25
25
2
165
–48
–49
–74
0.21
pF
pF
pF
pF
兆赫
dB
dB
dB
%
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5
QQ：2880707522 复制
