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TS372
低功率双路CMOS电压比较器
s
宽单电源量程或双
耗材
3V至16V
OR
±1.5V
TO
±8V
s
极低的电源电流:
供应的0.1毫安/ COMP独立
电压
s
极低的输入偏置电流:
1pA的TYP
s
极低的输入失调
潮流:
1pA的TYP
s
低输入偏移电压
s
输入共模电压范围
INCLUDES GND
N
DIP8
(塑料包装)
s
低输出饱和电压
150mV的典型
s
输出兼容TTL , MOS
和CMOS
s
高输入阻抗: 10
12
典型值
s
快速响应时间: 200ns的典型FOR
TTL电平输入步骤
描述
D
SO8
(塑料Micropackage )
引脚连接
( TOP VIEW )
这些设备包括两个独立的精密度
锡永的电压比较器,设计工作
单电源或双电源。
这些差分比较器使用STMicro-
电子硅霖MOS工艺给他们一个
优良消耗速度比。
这些器件非常适用于低消费
化的应用程序。
订货编号
产品型号
TS372C
TS372I
TS372M
温度
范围
0°C, +70°C
-40°C, +125°C
-55°C, +125°C
N
D
1 - 输出1
2 - 反相输入1
3 - 非反相输入1
4 - V
CC
-
5 - 非反相输入端2
6 - 反相输入2
7 - 输出2
8 - V
CC
+
1
2
3
4
-
+
-
+
8
7
6
5
N =
双列直插式封装( DIP )
D =
小外形封装( SO ) - 也可在带&卷( DT )
2002年2月
1/5
TS372
原理图
( 1/2 TS372 )
V
CC
+
T
1
T
2
T
7
T
8
T
12
T
16
T
22
T
23
T
26
T
28
T
30
T
32
产量
R
1
T
13
T
3
T
4
T
9
T
17
T
20
T
15
T
18
T
21
T
24
T
29
T
5
T
6
T
14
T
10
T
11
T
19
T
25
T
27
T
31
T
33
T
34
V
CC
-
输入 -
输入+
绝对最大额定值
符号
V
CC
+
V
id
V
i
V
o
I
o
I
F
电源电压
1)
差分输入电压
2)
输入电压
3)
输出电压
输出电流
正向电流的ESD保护二极管的输入
4)
输出电路内的时间到GND
5)
p
d
T
英镑
T
j
1.
2.
3.
5.
6.
参数
价值
18
±18
18
18
20
50
无限
单位
V
V
V
V
mA
mA
功耗
6)
存储温度范围
结温
DIP8
SO8
1250
710
-65到+150
+150
mW
°C
°C
所有电压值,除了差分电压,是相对于网络的接地端子。
差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。
的输入和输出电压的幅值不得超过朊电源电压的幅度。
从输出到Vcc +短路可能导致过热和最终销毁。
钯计算和T
AMB
= + 25 ° C,T
j
= + 150°C和R
thJA
=为DIP8封装100 ° C / W
=为SO8封装175 ° C / W
4.通过设计保证。
工作条件
符号
V
CC
+
V
ICM
T
OPER
电源电压
共模输入电压范围
工作自由空气的温度范围内
TS372C
TS372I
TS372M
参数
价值
3至16
0到V
CC
+
-1.5
0至+70
-40到+125
-55到+125
单位
V
V
°C
2/5
TS372
电气特性
V
CC+
= 5V, V
CC-
= 0V ,T
AMB
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
V
io
参数
输入失调电压(V
ic
= V
ICM分钟。
)
1)
T
AMB
= 25°C
T
.
T
AMB
T
马克斯。
输入失调电流
2)
T
AMB
= 25°C
T
.
T
AMB
T
马克斯。
输入失调电流 - 见注2
T
AMB
= 25°C
T
.
T
AMB
T
马克斯。
分钟。
典型值。
2
马克斯。
10
12
单位
mV
I
io
1
TS372C
TS372I/TS372M
1
TS372C
TS372I/TS372M
0
0
0
0.1
1
100
6
45
150
375
400
700
150
300
V
CC
+
-2
V
CC
-2.25
V
CC
+
-2.5
nA
A
mV
mA
A
+
100
200
pA
I
ib
pA
V
ICM
输入共模电压范围
T
AMB
= 25°C
TS372C
T
.
T
AMB
T
马克斯。
TS372I/TS372M
高电平输出电流(V
id
= 1V)
V
OH
= 5V
T
AMB
= 25°C
V
OH
= 15V
T
.
T
AMB
T
马克斯。
低电平输出电压(V
id
= -1, I
OL
= 4毫安)
T
AMB
= 25°C
T
.
T
AMB
T
马克斯。
低电平输出电流(V
id
= -1, V
OL
= 1.5V)
电源电流(每个比较器) (V
id
= 1V ,空载)
V
I
OH
V
OL
I
OL
I
CC
1.
2.
指定的偏移电压是降低驱动输出至400mV的IR哟TI 4V为R所要求的最高可值
L
= 100kΩ的到V
cc
+
最大值,包括工业性试验不可避免的误差。
开关特性
(V
CC+
= 5V ,T
AMB
= 25°C)
符号
t
re
1.
参数
响应时间(R
L
= 5.1kΩ的级连到5V ,C
L
= 15pF的
1)
同为5mV过驱动100mV的输入步骤
TTL电平输入步骤
分钟。
典型值。
600
200
马克斯。
单位
ns
指定该响应时间是内部输入信号和当输出信号越过1.4V的时刻之间。
3/5
TS372
包装机械数据
8引脚 - 塑料DIP
MILLIMETERS
尺寸
分钟。
A
a1
B
b
b1
D
E
e
e3
e4
F
i
L
Z
0.51
1.15
0.356
0.204
7.95
2.54
7.62
7.62
6.6
5.08
3.81
1.52
典型值。
3.32
1.65
0.55
0.304
10.92
9.75
0.020
0.045
0.014
0.008
0.313
马克斯。
分钟。
英寸
典型值。
0.131
0.065
0.022
0.012
0.430
0.384
0.100
0.300
0.300
0260
0.200
0.150
0.060
马克斯。
3.18
0.125
4/5
TS372
包装机械数据
8引脚 - 塑料Micropackage ( SO )
L
C
a3
c1
a2
A
s
e3
E
D
M
8
5
F
1
4
MILLIMETERS
尺寸
分钟。
A
a1
a2
a3
b
b1
C
c1
D
E
e
e3
F
L
M
S
0.1
0.65
0.35
0.19
0.25
4.8
5.8
1.27
3.81
3.8
0.4
4.0
1.27
0.6
8° (最大)
0.150
0.016
典型值。
马克斯。
1.75
0.25
1.65
0.85
0.48
0.25
0.5
45 (典型值)。
5.0
6.2
0.189
0.228
分钟。
0.004
0.026
0.014
0.007
0.010
a1
b
英寸
典型值。
马克斯。
0.069
0.010
0.065
0.033
0.019
0.010
0.020
0.197
0.244
0.050
0.150
0.157
0.050
0.024
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利用这些信息,也不为第三方专利或可能导致的其他右击TS任何infring键相的后果
它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。产品规格
本出版物中提到如有变更, witho UT通知。这种公共区域ication取代并替换所有信息
以前供应。意法半导体的产品不得用于生命suppo RT设备或使用的关键部件
withou T系统明确的书面意法半导体的批准。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
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公司意法半导体集团
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SOP
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ST
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地址:深圳福田区红荔西路上步工业区201栋西座4A88室
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TS372ID
ST
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