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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第137页 > TS372C
TS372C,I,M
低功率双路CMOS电压比较器
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
宽单电源量程或双
耗材3V至16V或
±1.5V
to
±8V
供应
当前
:
供应的0.1毫安/ COMP独立
电压
极低的输入偏置电流:
1pA的TYP
极低的输入失调
当前位置: 1pA的TYP
低输入偏移电压
输入共模电压范围
INCLUDES GND
低输出饱和电压
150mV的典型
输出兼容TTL , MOS和
CMOS
高输入阻抗10
12
典型值
快速响应时间: 200ns的典型FOR
TTL电平输入步骤
N
DIP8
(塑料包装)
D
SO8
(塑料Micropackage )
订购代码
产品型号
TS372C
TS372I
TS372M
例如:
TS372CN
温度
范围
0 C, +70 C
-40
o
C, +125
o
C
-55 C, +125 C
o
o
o
o
N
q
q
q
D
q
q
q
引脚连接
( TOP VIEW )
1
2
3
4
-
+
-
+
8
7
6
5
描述
这些设备包括两个独立的精密度
锡永的电压比较器, designedto与操作
单电源或双电源。
这些差分比较器使用SGS-
THOMSON林硅MOS工艺给他们一个
优良消耗速度比。
这些器件非常适用于低消费
化的应用程序。
1997年10月
1 - 输出1
2 - 反相输入1
3 - 非反相输入1
4 - V
CC
-
5 - 非反相输入端2
6 - 反相输入2
7 - 输出2
8 - V
CC
+
1/5
TS372C,I,M
原理图
( 1/2 TS372 )
V
CC
+
T
1
T
2
T
7
T
8
T
12
T
16
T
13
T
15
T
22
T
23
T
26
T
18
T
21
T
24
T
28
T
30
T
32
产量
R
1
T
3
T
4
T
9
T
17
T
14
T
10
T
11
T
20
T
29
T
5
T
6
T
19
T
25
T
27
T
31
T
33
T
34
V
CC
-
输入 -
输入+
最大额定值
符号
V
CC
V
id
V
i
V
O
I
O
T
OPER
+
参数
电源电压 - (注1 )
差分输入电压 - (注2 )
输入电压 - (注3)
输出电压
输出电流
输出短路到GND的时间 - (注4 )
工作自由空气的温度范围内
TS372C
TS372I
TS372M
价值
18
±18
18
18
20
无限
单位
V
V
V
V
mA
o
C
0至+70
-40到+125
-55到+125
-65到+150
o
T
英镑
注意事项:
1.
2.
3.
4.
存储温度范围
C
所有电压值,除了差分电压,是相对于网络的接地端子。
差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。
输入的幅度和
+
输出电压不得超过正电源电压的大小。
从输出到V短路
CC
可能导致过度加热并最终破坏。
工作条件
符号
+
V
CC
参数
电源电压
共模输入电压范围
价值
3至16
0到V
CC
-1.5
+
单位
V
V
V
ICM
2/5
TS372C,I,M
电气特性
V
CC+
= 5V, V
CC-
= 0V ,T
AMB
= 25
o
C(除非另有说明)
符号
V
io
参数
输入失调电压(V
ic
= V
ICM分钟。
) - (注1)
o
T
AMB
= 25 C
T
分钟。
T
AMB
T
最大
.
输入失调电流 - (注2 )
T
AMB
= 25
o
C
T
分钟。
T
AMB
T
最大
.
输入偏置电流 - (注2 )
T
AMB
= 25
o
C
T
分钟。
T
AMB
T
最大
.
输入共模电压范围
o
T
AMB
= 25 C
T
分钟。
T
AMB
T
最大
.
高电平输出电流(V
id
= 1V)
T
AMB
= 25
o
C
T
分钟。
T
AMB
T
最大
.
分钟。
典型值。
2
马克斯。
10
12
pA
1
TS372C
TS372I/TS372M
1
TS372C
TS372I/TS372M
0到V
CC
-2
+
0到V
CC
-2.25
+
0到V
CC
-2.5
0.1
1
100
6
45
0.3
0.75
400
700
mA
mA
nA
A
mV
+
单位
mV
I
io
100
200
pA
150
300
V
I
ib
V
ICM
TS372C
TS372I/TS372M
V
OH
= 5V
V
OH
= 15V
I
OH
V
OL
低电平输出电压(V
id
= -1V ,我
OL =
4mA)
o
T
AMB
= 25 C
T
分钟。
T
AMB
T
最大
.
低电平输出电流(V
id
= -1V, V
OL
= 1.5V)
电源电流( 2比较) (V
id
= + 1V ,空载)
I
OL
I
CC
开关特性
(V
CC+
= 5V ,T
AMB
= 25
o
C)
符号
t
re
参数
响应时间(R
L
= 5.1kΩ的级连到5V ,C
L
= 15pF的 - (注3 )
同为5mV过驱动100mV的输入步骤
TTL电平输入步骤
分钟。
典型值。
600
200
马克斯。
单位
ns
注:1.指定的偏移电压是降低驱动输出为400mV或达要求的最大值
为4V为R
L
= 100kΩ的到V
CC+
.
2.最大价值,包括工业性试验的不可避免的误差。
3.指定该响应时间是指内部的输入信号和当输出信号越过1.4V的时刻之间。
3/5
TS372C,I,M
包装机械数据
8引脚 - 塑料DIP
尺寸
A
a1
B
b
b1
D
E
e
e3
e4
F
i
L
Z
分钟。
0.51
1.15
0.356
0.204
7.95
MILLIMETERS
典型值。
3.32
马克斯。
分钟。
0.020
0.045
0.014
0.008
0.313
英寸
典型值。
0.131
马克斯。
1.65
0.55
0.304
10.92
9.75
2.54
7.62
7.62
6.6
5.08
3.81
1.52
0.065
0.022
0.012
0.430
0.384
0.100
0.300
0.300
0260
0.200
0.150
0.060
3.18
0.125
4/5
DIP8.TBL
PMDIP8.EPS
TS372C,I,M
包装机械数据
8引脚 - 塑料Micropackage ( SO )
尺寸
A
a1
a2
a3
b
b1
C
c1
D
E
e
e3
F
L
M
S
分钟。
0.1
0.65
0.35
0.19
0.25
4.8
5.8
MILLIMETERS
典型值。
马克斯。
1.75
0.25
1.65
0.85
0.48
0.25
0.5
45 (典型值)。
5.0
6.2
o
分钟。
0.004
0.026
0.014
0.007
0.010
0.189
0.228
英寸
典型值。
马克斯。
0.069
0.010
0.065
0.033
0.019
0.010
0.020
0.197
0.244
1.27
3.81
3.8
0.4
4.0
1.27
0.6
图8(最大)
o
0.050
0.150
0.150
0.016
0.157
0.050
0.024
提供的资料被认为是准确和可靠。不过, SGS - THOMSON微电子不承担任何责任
使用这些信息,也不造成的后果对于任何侵犯第三方专利或可能造成的其他权利
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。
本出版物中提到的规格如有变更,恕不另行通知。本出版物取代并替换所有
以前提供的信息。 SGS - THOMSON微电子产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统不SGS - THOMSON微电子明确的书面批准。
订货编号:
1997 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
公司SGS - THOM SON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥
荷兰 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
5/5
SO8.TBL
PM-SO8.EPS
TS372
低功率双路CMOS电压比较器
s
宽单电源量程或双
耗材
3V至16V
或± 1.5V ± 8V
s
极低的电源电流:
供应的0.1毫安/ COMP独立
电压
s
极低的输入偏置电流:
1pA的TYP
s
极低的输入失调
潮流:
1pA的TYP
s
低输入偏移电压
s
输入共模电压范围
INCLUDES GND
N
DIP8
(塑料包装)
s
低输出饱和电压
150mV的典型
s
输出兼容TTL , MOS
和CMOS
s
高输入阻抗: 10
12
典型值
s
快速响应时间: 200ns的典型FOR
TTL电平输入步骤
描述
D
SO8
(塑料Micropackage )
引脚连接
( TOP VIEW )
这些设备包括两个独立的精密度
锡永的电压比较器,设计工作
单电源或双电源。
这些差分比较器使用STMicro-
电子硅霖MOS工艺给他们一个
优良消耗速度比。
这些器件非常适用于低消费
化的应用程序。
订货编号
产品型号
TS372C
TS372I
TS372M
温度
范围
0°C, +70°C
-40°C, +125°C
-55°C, +125°C
N
D
1 - 输出1
2 - 反相输入1
3 - 非反相输入1
-
4-V
CC
1
2
3
4
-
+
-
+
8
7
6
5
N =
双列直插式封装( DIP )
D =
小外形封装( SO ) - 也可在带&卷( DT )
5 - 非反相输入端2
6 - 反相输入2
7 - 输出2
8 - V
CC
+
2002年2月
1/5
TS372
原理图
( 1/2 TS372 )
V
CC
+
T
1
T
2
T
7
T
8
T
12
T
16
T
22
T
23
T
26
T
28
T
30
T
32
产量
R
1
T
13
T
3
T
4
T
9
T
17
T
20
T
15
T
18
T
21
T
24
T
29
T
5
T
6
T
14
T
10
T
11
T
19
T
25
T
27
T
31
T
33
T
34
V
CC
-
输入 -
输入+
绝对最大额定值
符号
V
CC
+
V
id
V
i
V
o
I
o
I
F
电源电压
1)
差分输入电压
2)
输入电压
3)
输出电压
输出电流
正向电流的ESD保护二极管的输入
4)
输出电路内的时间到GND
5)
p
d
T
英镑
T
j
1.
2.
3.
5.
6.
参数
价值
18
±18
18
18
20
50
无限
1250
710
-65到+150
+150
单位
V
V
V
V
mA
mA
功耗
6)
存储温度范围
结温
DIP8
SO8
mW
°C
°C
所有电压值,除了差分电压,是相对于网络的接地端子。
差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。
的输入和输出电压的幅值不得超过朊电源电压的幅度。
从输出到Vcc +短路可能导致过热和最终销毁。
钯计算和T
AMB
= + 25 ° C,T
j
= + 150°C和R
thJA
=为DIP8封装100 ° C / W
=为SO8封装175 ° C / W
4.通过设计保证。
工作条件
符号
V
CC
+
V
ICM
T
OPER
电源电压
共模输入电压范围
工作自由空气的温度范围内
TS372C
TS372I
TS372M
参数
价值
3至16
0到V
CC
+
-1.5
0至+70
-40到+125
-55到+125
单位
V
V
°C
2/5
TS372
电气特性
V
CC+
= 5V, V
CC-
= 0V ,T
AMB
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
V
io
参数
输入失调电压(V
ic
= V
ICM分钟。
)
1)
T
AMB
= 25°C
T
.
T
AMB
T
马克斯。
输入失调电流
2)
T
AMB
= 25°C
T
.
T
AMB
T
马克斯。
输入失调电流 - 见注2
T
AMB
= 25°C
T
.
T
AMB
T
马克斯。
分钟。
典型值。
2
马克斯。
10
12
单位
mV
I
io
1
TS372C
TS372I/TS372M
1
TS372C
TS372I/TS372M
0
0
0
0.1
1
100
6
45
150
375
+
100
200
pA
I
ib
150
300
V
CC
+
-2
V
CC
+
-2.25
pA
V
ICM
输入共模电压范围
T
AMB
= 25°C
TS372C
T
.
T
AMB
T
马克斯。
TS372I/TS372M
高电平输出电流(V
id
= 1V)
T
AMB
= 25°C
V
OH
= 5V
V
OH
= 15V
T
.
T
AMB
T
马克斯。
低电平输出电压(V
id
= -1, I
OL
= 4毫安)
T
AMB
= 25°C
T
.
T
AMB
T
马克斯。
低电平输出电流(V
id
= -1, V
OL
= 1.5V)
电源电流(每个比较器) (V
id
= 1V ,空载)
V
V
CC
+
-2.5
nA
A
mV
mA
A
I
OH
V
OL
I
OL
I
CC
1.
2.
400
700
指定的偏移电压是降低驱动输出至400mV的IR哟TI 4V为R所要求的最高可值
L
= 100kΩ的到V
cc
最大值,包括工业性试验不可避免的误差。
开关特性
(V
CC+
= 5V ,T
AMB
= 25°C)
符号
t
re
1.
参数
响应时间(R
L
= 5.1kΩ的级连到5V ,C
L
= 15pF的
1)
同为5mV过驱动100mV的输入步骤
TTL电平输入步骤
分钟。
典型值。
600
200
马克斯。
单位
ns
指定该响应时间是内部输入信号和当输出信号越过1.4V的时刻之间。
3/5
TS372
包装机械数据
8引脚 - 塑料DIP
MILLIMETERS
尺寸
分钟。
A
a1
B
b
b1
D
E
e
e3
e4
F
i
L
Z
0.51
1.15
0.356
0.204
7.95
2.54
7.62
7.62
6.6
5.08
3.81
1.52
典型值。
3.32
1.65
0.55
0.304
10.92
9.75
0.020
0.045
0.014
0.008
0.313
马克斯。
分钟。
英寸
典型值。
0.131
0.065
0.022
0.012
0.430
0.384
0.100
0.300
0.300
0260
0.200
0.150
0.060
马克斯。
3.18
0.125
4/5
TS372
包装机械数据
8引脚 - 塑料Micropackage ( SO )
L
C
a3
c1
a2
A
s
e3
E
D
M
8
5
F
1
4
MILLIMETERS
尺寸
分钟。
A
a1
a2
a3
b
b1
C
c1
D
E
e
e3
F
L
M
S
0.1
0.65
0.35
0.19
0.25
4.8
5.8
1.27
3.81
3.8
0.4
4.0
1.27
0.6
8° (最大)
0.150
0.016
典型值。
马克斯。
1.75
0.25
1.65
0.85
0.48
0.25
0.5
45 (典型值)。
5.0
6.2
0.189
0.228
分钟。
0.004
0.026
0.014
0.007
0.010
a1
b
英寸
典型值。
马克斯。
0.069
0.010
0.065
0.033
0.019
0.010
0.020
0.197
0.244
0.050
0.150
0.157
0.050
0.024
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的任何责任
利用这些信息,也没有对后果的任何侵犯第三方专利或可能导致的其他权利
它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。产品规格
本出版物中提到如有变更,恕不另行通知。本出版物取代并替换所有信息
以前供应。意法半导体的产品不得用于生命支持设备或使用的关键部件
系统没有意法半导体的明确书面批准。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2002意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚
马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
http://www.st.com
b1
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TS372C
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
TS372C
ST
25+23+
21500
SO-8
绝对全新原装现货!原装原标原包渠道优势!
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
TS372C
ST
24+
9850
SOP-8
官方授权代理商入驻
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ:2355507165 复制

电话:755-83616256 // 83210909
联系人:王小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室(亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
TS372C
ST
22+
12000
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