TS339
微功耗QUAD CMOS电压比较器
■
■
■
■
■
极低的电源电流:
9μA (典型值) /补偿。
宽单电源范围
2.7V至16V
或双
耗材( ± 1.35V至± 8V )
极低的输入偏置电流:
1pA的典型。
极低的输入偏置电流:
1pA的典型。
输入共模电压范围包括
GND
高输入阻抗: 10
12
典型值
响应时间快:为1.5μs (典型值) 。对于为5mV
OVERDRIVE
引脚至引脚和功能兼容
双极LM339
P
TSSOP14
(薄小外形封装)
D
SO14
(塑料Micropackage )
N
DIP14
(塑料包装)
■
■
■
描述
该TS339是一款微CMOS四路电压
比较器具有极低的功耗
9μA (典型值) /比较器(比双极小于20倍
LM339 ) 。类似的性能由所提供
四微功率比较TS3704带
推挽式CMOS输出。
因此,响应时间保持类似LM339 。
引脚连接(顶视图)
输出2
1
14
13
12
-
+
-
+
+
-
+
-
11
10
9
8
输出3
输出4
V
CC
-
非反相输入4
反相输入4
非反相输入3
同相输入3
输出1 2
V
CC
+
3
反相输入1 4
非反相输入端1 5
反相输入2
非反相输入端2
6
7
订购代码
产品型号
TS339CN
TS339CD/CDT
TS339IN
TS339ID/IDT
TS339IPT
TS339IYD/IYDT
-40°C, +125°C
温度
范围
0°C, +70°C
包
DIP14
SO-14
DIP14
SO-14
TSSOP14
(薄型缩小外形封装)
SO- 14 (汽车级水平)
包装
管
管或磁带&卷轴
管
管或磁带&卷轴
磁带&卷轴
管或磁带&卷轴
记号
TS339CN
S339C
TS339IN
S339I
S339I
S339IY
2005年8月
REV 2
1/9
www.st.com
9
绝对最大额定值
TS339
1
绝对最大额定值
表1中。
符号
V
CC +
V
id
V
i
V
o
I
o
I
F
p
d
T
英镑
电源电压
(1)
差分输入电压
(2)
输入电压
(3)
输出电压
输出电流
正向电流的ESD保护二极管的输入
(4)
功耗
(5)
DIP14
SO14
TSSOP14
存储温度范围
HBM :人体模型
(6)
ESD
MM :机器型号
(7)
CDM :带电器件模型
关键参数和它们的绝对最大额定值
参数
价值
18
±18
18
18
20
50
1500
830
710
-65到+150
50
40
800
单位
V
V
V
V
mA
mA
mW
°C
V
V
V
1.所有电压值,除了差分电压,是相对于网络的接地端子。
2.差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。
3.游览输入电压可能会超过电源电平。只要共模电压
[V
ICM
=(V
IN +
+ V
IN-
)/ 2]仍然是在指定的范围内时,比较器将提供稳定的输出状态。
然而,最大的电流通过输入级的ESD二极管(IF),必须严格遵守。
4.通过设计保证。
5.钯计算和T
AMB
= + 25 ° C,T
j
= + 150 ° C和
R
thJA
=为DIP14封装80 ° C / W
R
thJA
对于SO14封装= 150 ° C / W
R
thJA
=为TSSOP14封装175 ° C / W
6.人体模型, 100pF电容通过1.5kΩ电阻放电到器件引脚。
7.机器模型ESD,一个200pF的盖被充电至额定电压,然后直接排入IC与
没有外部串联电阻(内部电阻< 5Ω ) ,成销到器件引脚。
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电气特性
TS339
3
电气特性
表2中。
符号
输入失调电压
(1)
V
ic
= 1.5V
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入失调电流
(2)
V
ic
= 1.5V
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入偏置电流
2)
V
ic
= 1.5V
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入共模电压范围
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
最大
共模抑制比
V
ic
= V
ICM分钟。
电源电压抑制比
V
CC+
= 3V至5V
高电平输出电流
V
id
= +1V, V
OH
= 3V
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
低电平输出电压
V
id
= -1V ,我
OL
= + 6毫安
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
电源电流(每个比较器)
无负载 - 输出低
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
响应时间从低到高
V
ic
= 0V , F = 10kHz时,T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
最大
C
L
= 50pF的,高速模式
=为5mV
TTL输入
响应时间高至低
V
ic
= 0V , F = 10kHz时,R
L
=一个5.1kΩ ,C
L
= 50pF的,高速=为5mV
TTL输入
70
0
0
V
CC+
= 3V, V
CC-
= 0V ,T
AMB
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
io
5
6.5
mV
I
io
1
300
pA
I
ib
1
600
V
CC+
-1.2
V
CC+
-1.5
70
pA
V
ICM
V
CMR
dB
SVR
dB
I
OH
2
40
1000
nA
V
OL
400
550
800
mV
I
CC
9
20
25
A
t
PLH
1.5
0.7
s
t
PHL
2.5
0.08
s
1.指定的偏移电压驱动输出可达2.5V或下降到0.3V所需的最大价值。
2.最大价值,包括工业性试验的不可避免的误差。
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TS339
表3中。
符号
电气特性
V
CC+
= 5V, V
CC-
= 0V ,T
AMB
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
输入失调电压
(1)
V
io
V
ic
= 2.5V, V
cc+
= 5V至10V
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入失调电流
(2)
V
ic
= 2.5V
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入偏置电流
2)
V
ic
= 2.5V
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入共模电压范围
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
最大
共模抑制比
V
ic
= 0V
电源电压抑制比
V
CC+
= + 5V至+ 10V
高电平输出电压
V
id
= 1V, V
OH
= +5V
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
低电平输出电压
V
id
= -1V ,我
OL
= 6毫安
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
电源电流(每个比较器)
无负载 - 输出低
T
民
.
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
响应时间从低到高
V
ic
= 0V , F = 10kHz时,R
L
=一个5.1kΩ ,C
L
= 15pF的,
过载=为5mV
过驱动= 10mV的
过驱动= 20mV的
过驱动= 40mV以内
TTL输入
响应时间高至低
V
ic
= 0V , F = 10kHz时,R
L
=一个5.1kΩ ,C
L
= 15pF的,
过载=为5mV
过驱动= 10mV的
过驱动= 20mV的
过驱动= 40mV以内
TTL输入
下降时间
F = 10kHz时,C
L
= 50pF的,R
L
=一个5.1kΩ , 50mV的过载
0
0
1.4
5
6.5
mV
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
io
1
300
pA
I
ib
1
600
V
CC+
-1.2
V
CC+
-1.5
75
pA
V
ICM
V
CMR
dB
SVR
85
dB
I
OH
27
40
1000
nA
V
OL
260
400
650
20
25
mV
I
CC
10
A
t
PLH
1.5
1.2
1.1
0.9
0.8
s
t
PHL
2.5
1.9
1.2
0.8
0.08
s
t
f
30
ns
1.指定的偏移电压驱动输出可达4.5V或者降低到0.3V所需的最大价值。
2.最大价值,包括工业性试验的不可避免的误差。
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