TS321
低功耗单路运算放大器
www.ti.com
SLOS489A - 2005年12月 - 修订2007年3月
特点
宽电源电压范围
- 单电源... 3 V至30 V
- 双电源... ± 1.5 V至
±15
V
大的输出电压摆幅...
0 V至3.5 V （最小值） （V
CC
= 5 V)
低电源电流... 500
A
（典型值）
低输入偏置电流... 20 NA（典型值）
低输入失调电压... 2毫伏（最大）
稳定，高电容负载
D（ SOIC）封装
（ TOP VIEW ）
NC
1
IN-
2
IN +
3
V
CC–
4
8
NC
7
V
CC+
6
OUT
5
NC
NC - 无内部连接
DBV （ SOT- 23-5 ）封装
（ TOP VIEW ）
OUT
1
V
CC–
2
IN +
3
5
V
CC+
4
IN-
描述/订购信息
在TS321是双极运算放大器，用于在该空间的节省是重要的成本敏感的应用。
订购信息
T
A
SOIC - D
-40_C到125_C
SOT- 23-5 - DBV
(1)
(2)
包
(1)
75管
2500卷
3000卷
250的卷轴
订购型号
TS321ID
TS321IDR
TS321IDBVR
TS321IDBVT
顶部端标记
(2)
SR321I
9C1_
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2005-2007 ，德州仪器
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原理图
V
CC
IN-
IN +
OUT
2
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SLOS489A - 2005年12月 - 修订2007年3月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
ID
V
I
I
I
t
短
θ
JA
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
电源电压
(2)
差分输入电压
(3)
输入电压
范围
(2) (4)
–0.3
输入电流
(4)
输出短路持续时间与地
封装热阻，结到自由的空气
(5) (6)
工作结温
存储温度范围
–65
包
DBV包装
单身
双
最大
32
±16
32
32
50
无限
97
206
150
150
° C / W
°C
°C
单位
V
V
V
mA
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压值是相对于与V之间的中点
CC+
和V
CC–
.
差分电压为IN +相对于IN- 。
无论是输入必须永远比V更积极
CC+
或比V更负
CC–
.
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。选择150 ° C时的最大影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
V
CC
T
A
电源电压
工作自由空气的温度
单电源
双电源
3
±1.5
–40
最大
30
±15
125
单位
V
°C
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3
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低功耗单路运算放大器
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电气特性
V
CC+
= 5 V, V
CC–
= GND ，V
O
= 1.4 V（除非另有说明）
参数
V
IO
I
IO
I
IB
A
VD
V
ICR
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
(1)
大信号差分电压
放大器阳离子
共模输入电压
(2)
V
CC
= 15 V ，R
L
= 2 k,
V
O
= 1.4 V至11.4 V
V
CC
= 30 V
R
L
= 2 k
V
CC
= 30 V
V
OH
高电平输出电压
V
CC
= 5 V
V
OL
英镑
SR
φ
m
CMRR
低电平输出电压
增益带宽积
压摆率
相位裕度
共模抑制比
R
S
≤
10 k
V
CC
= 15 V, V
O
= 2 V, V
ID
= 1 V
V
CC
= 15 V, V
ID
= 1 V
V
CC
= 15 V
V
CC
= 5 V至30 V
V
CC
= 5 V
I
CC
总电源电流
空载
V
CC
= 30 V
V
CC
= 5 V
V
CC
= 30 V
THD
e
N
(1)
(2)
总谐波失真
等效输入噪声电压
V
CC
= 30 V, V
O
= 2 V
pp
, A
V
= 20分贝，
R
L
= 2 kΩ的， F = 1千赫，C
L
= 100 pF的
V
CC
= 30 V ， F = 1千赫，R
S
= 100
V
O
= 2 V
V
O
= 0.2 V
R
L
= 10 k
V
CC
= 30 V, V
I
= 10毫伏，R
L
= 2 k,
F = 100千赫，C
L
= 100 pF的
V
CC
= 15 V, V
I
= 0.5 V 3 V，
R
L
= 2 kΩ的，C
L
= 100 pF的，单位增益
R
L
= 10 k
R
L
= 2 k
测试条件
R
S
= 0 ， 5 V < V
CC+
< 30 V ，
0℃， V
IC
＆ LT ; （V
CC+
– 1.5 V)
T
A
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
全系列
25°C
25°C
65
65
20
10
12
0.8
0.4
60
85
40
20
50
40
110
500
600
600
800
900
900
1000
0.015
50
%
纳伏/赫兹÷
A
60
50
25
0
0
26
25.5
27
26.5
3.5
3
5
15
20
V
兆赫
V / μs的
°
dB
mA
mA
A
mA
dB
28
V
27
V
CC+
– 1.5
V
CC+
– 2
100
20
2
民
典型值
0.5
最大
4
5
30
50
150
200
单位
mV
nA
nA
V / MV
V
I
来源
输出源电流
I
SINK
I
O
SVR
输出灌电流
短路到GND
电源电压抑制比
输入电流的方向是从所述装置的。此电流基本上是恒定的，独立的输出的状态，所以没有
负荷变化存在于输入线。
任一输入信号的输入共模电压不应超过0.3 V的上端去负
共模电压范围为V
CC+
- 1.5伏，但其中一个或两个输入都可以去到32V而不损坏。
4
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封装选项附录
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28-Feb-2007
包装信息
订购设备
TS321ID
TS321IDBVR
TS321IDBVRE4
TS321IDBVT
TS321IDBVTE4
TS321IDE4
TS321IDR
TS321IDRE4
(1)
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
包
TYPE
SOIC
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOIC
SOIC
SOIC
包
制图
D
的dBV
的dBV
的dBV
的dBV
D
D
D
引脚封装环保计划
(2)
数量
8
5
5
5
5
8
8
8
75
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
铅/焊球涂层
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
250
250
75
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2500绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2500绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
营销状态值的定义如下：
ACTIVE ：
建议用于新设计产品的设备。
LIFEBUY ：
德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。
NRND ：
不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分
新的设计。
预览：
设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。
已过时：
TI已经停止生产该设备的。
(2)
环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（符合RoHS ） ，无铅（ RoHS豁免）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查
http://www.ti.com/productcontent
获得最新供货信息和附加产品目录明细。
TBD ：
无铅/绿色转换计划尚未确定。
无铅（ RoHS指令） ：
TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品
对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接
在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。
无铅（ RoHS豁免） ：
该组件符合RoHS豁免要么1 ）铅基模之间采用倒装芯片焊料凸点
包，或2）基于铅的管芯和引线框架之间使用裸片粘合剂。该组件，否则视为无铅（ RoHS指令
尺寸）的定义同上。
绿色环保（RoHS &无锑/溴） ：
TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准） ，无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰
阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％ ）
(3)
MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接
温度。
重要信息及免责声明：
本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期
提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的
这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取
合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析
传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限
信息可能不提供用于释放。
在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中
为客户在年度基础上。
附录1页
TS321
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SLOS489B - 2005年12月 - 修订2008年9月
低功耗单路运算放大器
1
特点
宽电源电压范围
- 单电源... 3 V至30 V
- 双电源... ± 1.5 V至± 15 V
大的输出电压摆幅...
0 V至3.5 V （最小值） （V
CC
= 5 V)
低电源电流... 500
A
（典型值）
低输入偏置电流... 20 NA（典型值）
稳定，高电容负载
D（ SOIC）封装
（ TOP VIEW ）
NC
1
IN-
2
IN +
3
V
CC–
4
8
NC
7
V
CC+
6
OUT
5
NC
NC - 无内部连接
DBV （ SOT- 23-5 ）封装
（ TOP VIEW ）
OUT
1
V
CC–
2
IN +
3
5
V
CC+
4
IN-
描述/订购信息
在TS321是双极运算放大器，用于在该空间的节省是重要的成本敏感的应用。
订购信息
T
A
SOIC - D
-40_C到125_C
SOT- 23-5 - DBV
(1)
(2)
包
(1)
75管
2500卷
3000卷
250的卷轴
订购型号
TS321ID
TS321IDR
TS321IDBVR
TS321IDBVT
顶部端标记
(2)
SR321I
9C1_
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
DBV ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2005-2008 ，德州仪器
TS321
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原理图
V
CC
IN-
IN +
OUT
2
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产品文件夹链接（ S） ：
TS321
版权所有2005-2008 ，德州仪器
TS321
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SLOS489B - 2005年12月 - 修订2008年9月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
ID
V
I
I
I
t
短
θ
JA
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
电源电压
(2)
差分输入电压
(3)
输入电压范围
输入电流
(4)
输出短路持续时间与地
封装热阻，结到自由的空气
(5) (6)
工作结温
存储温度范围
–65
包
DBV包装
(2) (4)
最大
32
±16
32
单位
V
V
V
mA
单身
双
–0.3
32
50
无限
97
206
150
150
° C / W
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压值是相对于与V之间的中点
CC+
和V
CC–
.
差分电压为IN +相对于IN- 。
无论是输入必须永远比V更积极
CC+
或比V更负
CC–
.
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。选择150 ° C时的最大影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
V
CC
T
A
电源电压
工作自由空气的温度
单电源
双电源
3
±1.5
–40
最大
30
±15
125
单位
V
°C
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TS321
3
TS321
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电气特性
V
CC+
= 5 V, V
CC–
= GND ，V
O
= 1.4 V（除非另有说明）
参数
V
IO
I
IO
I
IB
A
VD
V
ICR
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
(1)
大信号差分电压
放大器阳离子
共模输入电压
(2)
V
CC
= 15 V ，R
L
= 2 k,
V
O
= 1.4 V至11.4 V
V
CC
= 30 V
R
L
= 2 k
V
CC
= 30 V
V
OH
高电平输出电压
V
CC
= 5 V
V
OL
英镑
SR
φ
m
CMRR
低电平输出电压
增益带宽积
压摆率
相位裕度
共模抑制比
R
S
≤
10 k
V
CC
= 15 V, V
O
= 2 V, V
ID
= 1 V
V
CC
= 15 V, V
ID
= 1 V
V
CC
= 15 V
V
CC
= 5 V至30 V
V
CC
= 5 V
I
CC
总电源电流
空载
V
CC
= 30 V
V
CC
= 5 V
V
CC
= 30 V
THD
e
N
(1)
(2)
总谐波失真
等效输入噪声电压
V
CC
= 30 V, V
O
= 2 V
pp
, A
V
= 20分贝，
R
L
= 2 kΩ的， F = 1千赫，C
L
= 100 pF的
V
CC
= 30 V ， F = 1千赫，R
S
= 100
V
O
= 2 V
V
O
= 0.2 V
R
L
= 10 k
V
CC
= 30 V, V
I
= 10毫伏，R
L
= 2 k,
F = 100千赫，C
L
= 100 pF的
V
CC
= 15 V, V
I
= 0.5 V 3 V，
R
L
= 2 kΩ的，C
L
= 100 pF的，单位增益
R
L
= 10 k
R
L
= 2 k
测试条件
R
S
= 0 ， 5 V < V
CC+
< 30 V ，
0℃， V
IC
＆ LT ; （V
CC+
– 1.5 V)
T
A
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
全系列
25°C
25°C
65
65
20
10
12
0.8
0.4
60
85
40
20
50
40
110
500
600
600
800
900
900
1000
0.015
50
%
纳伏/赫兹÷
A
60
50
25
0
0
26
25.5
27
26.5
3.5
3
5
15
20
V
兆赫
V / μs的
°
dB
mA
mA
A
mA
dB
28
V
27
V
CC+
– 1.5
V
CC+
– 2
100
20
2
民
典型值
0.5
最大
4
5
30
50
150
200
单位
mV
nA
nA
V / MV
V
I
来源
输出源电流
I
SINK
I
O
SVR
输出灌电流
短路到GND
电源电压抑制比
输入电流的方向是从所述装置的。此电流基本上是恒定的，独立的输出的状态，所以没有
负荷变化存在于输入线。
任一输入信号的输入共模电压不应超过0.3 V的上端去负
共模电压范围为V
CC+
- 1.5伏，但其中一个或两个输入都可以去到32V而不损坏。
4
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TS321
版权所有2005-2008 ，德州仪器
封装选项附录
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18-May-2009
包装信息
订购设备
TS321ID
TS321IDBVR
TS321IDBVRE4
TS321IDBVRG4
TS321IDBVT
TS321IDBVTE4
TS321IDBVTG4
TS321IDE4
TS321IDG4
TS321IDR
TS321IDRE4
TS321IDRG4
(1)
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
包
TYPE
SOIC
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
包
制图
D
的dBV
的dBV
的dBV
的dBV
的dBV
的dBV
D
D
D
D
D
引脚封装环保计划
(2)
数量
8
5
5
5
5
5
5
8
8
8
8
8
75
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
铅/焊球涂层
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
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3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
250
250
250
75
75
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2500绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2500绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2500绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
营销状态值的定义如下：
ACTIVE ：
建议用于新设计产品的设备。
LIFEBUY ：
德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。
NRND ：
不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分
新的设计。
预览：
设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。
已过时：
TI已经停止生产该设备的。
(2)
环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（符合RoHS ） ，无铅（ RoHS豁免）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查
http://www.ti.com/productcontent
获得最新供货信息和附加产品目录明细。
TBD ：
无铅/绿色转换计划尚未确定。
无铅（ RoHS指令） ：
TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品
对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接
在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。
无铅（ RoHS豁免） ：
该组件符合RoHS豁免要么1 ）铅基模之间采用倒装芯片焊料凸点
包，或2）基于铅的管芯和引线框架之间使用裸片粘合剂。该组件，否则视为无铅（ RoHS指令
尺寸）的定义同上。
绿色环保（RoHS &无锑/溴） ：
TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准） ，无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰
阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％ ）
(3)
MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接
温度。
重要信息及免责声明：
本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期
提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的
这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取
合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析
传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限
信息可能不提供用于释放。
附录1页
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