TS2DDR2811
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SCDS294 - 2009年12月
1 - GHz带宽， 8通道SPST开关
检查样品：
TS2DDR2811
1
特点
宽带宽（BW = 1100 MHz的典型值）
低串扰（X
TALK
= -37 dB的典型值）
低比特到比特偏移（T
SK （ O）
= 100 PS最大）
低而平坦的导通电阻
(r
ON
= 4
（典型值） ，R
对（平）
= 0.5
典型值）
低输入/输出电容
(C
ON
= 8 pF的典型值）
轨到轨开关上的数据I / O端口
（ 0 V至5 V ）
V
CC
经营范围为3 V至3.6 V
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
ZXY包
（底视图）
D
C
B
A
1
2
3
4
5
端子分配
D
C
B
A
B
6
B
7
GND
A
7
1
B
5
B
4
A
5
A
6
2
B
3
B
2
A
3
A
4
3
SEL
B
1
A
1
A
2
4
B
0
北卡罗来纳州
V
CC
A
0
5
应用
DDR2信号开关
千兆网卡信号开关
集线器和路由器信号开关
音频/视频开关
描述/订购信息
该TS2DDR2811是一个8通道单刀单掷（SPST ）开关信号能够与开关信号
带宽超过1千兆赫。该装置包括一个选择引脚（SEL） ，用于选择任何1 8的
通道输入。这种选择引脚控制SPST开关的数据路径。该装置提供了一个低平
导通电阻（R
ON
）和良好的导通电阻匹配。低输入/输出电容，高
带宽，低偏移和通道之间的低串扰，使该器件适用于各种高带宽
的应用，如DDR2， 10/100/1000 BASE-T ，音频和视频。
表1.订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
BGA - ZXY
包
(1)
(2)
订购型号
TS2DDR2811ZXYR
顶部端标记
SJ811
磁带和卷轴
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2009年，德州仪器
TS2DDR2811
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SCDS294 - 2009年12月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IN
V
I / O
I
IK
I
I / OK
I
I / O
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
电源电压范围
控制输入电压范围
开关I / O电压范围
I / O端口钳位电流
ON状态的开关电流
(5)
连续电流通过V
DD
或GND
封装的热阻抗
(6)
存储温度范围
–65
控制输入钳位电流
(2) (3)
(2) (3) (4)
最大
4.6
7
7
–50
–50
±128
±100
31.8
150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
° C / W
°C
–0.5
–0.5
–0.5
V
IN
＆ LT ; 0或V
IN
＆ GT ; V
CC
V
I / O
＆ LT ; 0或V
I / O
＆ GT ; V
CC
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
V
I
和V
O
被用于表示为V的具体条件
I / O
.
I
I
我
O
被用于表示对我的具体条件
I / O
.
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I
V
I / O
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
输入电压
输入/输出电压
工作自由空气的温度
SEL
SEL
SEL
3
2
0
0
0
–40
最大
3.6
5.5
0.8
5.5
V
CC
85
单位
V
V
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
DD
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
电气特性
1000 Base-T以太网切换推荐工作的自由空气的温度范围内，V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V
（除非另有说明）
参数
V
IK
I
IH
I
IL
I
CC
C
IN
C
关闭
C
ON
r
ON
r
对（平）
Δr
ON
(1)
(2)
(3)
(4)
(3)
(4)
测试条件
(1)
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
F = 1M的赫兹，
V
I
= 0,
V
I
= 0,
V
CC
= 3 V,
V
CC
= 3 V,
V
CC
= 3 V,
I
IN
= -18毫安
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
I
I / O
= 0,
V
IN
= 0
F = 1MHz时，
F = 1MHz时，
1.5 V
≤
V
I
≤
V
CC
,
V
I
= 1.5 V和V
CC
,
1.5 V
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出打开，
输出打开，
I
O
= -40毫安
I
O
= -40毫安
I
O
= -40毫安
关闭
开关ON
开启或关闭
民
典型值
(2)
最大
–0.7
–1.2
±1
±1
250
2
2.5
8
4
0.5
0.4
1
500
2.5
4
待定
6
单位
V
μA
μA
μA
pF
pF
pF
SEL
SEL
SEL
SEL
B端口
V
I
, V
O
, I
I
和我
O
参考I / O引脚。 V
IN
指的是控制输入。
所有典型值是在V
CC
= 3.3V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
r
对（平）
是r的差
ON
在一个给定的信道在指定的电压。
Δr
ON
是r的差
ON
从中心（A
4
, A
5
的）端口的任何其他端口。
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3
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电气特性
10/100 Base-T以太网切换推荐工作的自由空气的温度范围内，V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V
（除非另有说明）
参数
V
IK
I
IH
I
IL
I
CC
C
IN
C
关闭
C
ON
r
ON
r
对（平）
Δr
ON
(1)
(2)
(3)
(4)
(3)
(4)
测试条件
(1)
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
F = 1MHz时，
V
I
= 0,
V
I
= 0,
V
CC
= 3 V,
V
CC
= 3 V,
V
CC
= 3 V,
I
IN
= -18毫安
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
I
I / O
= 0,
V
IN
= 0
F = 1MHz时，
F = 1MHz时，
1.25 V
≤
V
I
≤
V
CC
,
V
I
= 1.25 V和V
CC
,
1.25 V
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出打开，
输出打开，
I
O
= -10 mA至-30毫安
I
O
= -10 mA至-30毫安
I
O
= -10 mA至-30毫安
关闭
开关ON
开启或关闭
民
典型值
(2)
–0.7
最大
–1.2
±1
±1
单位
V
μA
μA
μA
pF
pF
pF
SEL
SEL
SEL
SEL
B端口
250
2
2.5
8
4
0.5
0.4
500
2.5
4
6
1
V
I
, V
O
, I
I
和我
O
参考I / O引脚。 V
IN
指的是控制输入。
所有典型值是在V
CC
= 3.3V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
r
对（平）
是r的差
ON
在一个给定的信道在指定的电压。
Δr
ON
是r的差
ON
从中心（A
4
, A
5
的）端口的任何其他端口。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围，V
CC
= 3.3 V± 0.3 V ，R
L
= 200
,
C
L
= 10 pF的
（除非另有说明）（见
图5
和
图6）
参数
t
pd
(2)
从
（输入）
A或B
SEL
SEL
A或B
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
B或A
民
典型值
(1)
40
最大
单位
ps
t
PZH
, t
PZL
t
PHZ
, t
PLZ
t
SK （ O）
t
SK （p）的
(1)
(2)
(3)
(4)
(3)
(4)
0.5
0.9
50
50
15
9
100
150
ns
ns
ps
ps
所有典型值是在V
CC
= 3.3V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
当由一个理想电压源（零输出阻抗）来驱动电容。
中心港口之间的输出偏移（A
4
到A
5
）任何其他端口
在给定的设备相同的输出相对转换之间歪斜|吨
PHL
– t
PLH
|
动态特性
在推荐工作的自由空气的温度范围，V
CC
= 3.3V ± 0.3V（除非另有说明）
参数
X
TALK
O
IRR
BW
(1)
R
L
= 100
,
R
L
= 100
,
R
L
= 50
,
测试条件
F = 250 MHz时，
F = 250 MHz时，
SEE
图7
SEE
图8
SEE
图9
典型值
(1)
–37
–37
1100
单位
dB
dB
兆赫
所有典型值是在V
CC
= 3.3V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
4
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