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TS27M2C,I,M
精密低功耗
CMOS双运算放大器
s
低功耗：
150A/op
s
输出电压摆幅
地
s
出色的相位保证金
容性负载
s
稳定的低失调电压
s
三个输入失调电压
SELECTIONS
描述
这些器件是低成本，低功耗的双能操作
设计成与单个操作憩放大器
或双电源供电。这些运算放大器使用
在ST的硅栅CMOS工艺允许的EX-
cellent消耗速度比。这些系列
非常适合于低功耗应用。
三功耗可允许
有永远是最好的消耗速度比：
N
DIP8
（塑料包装）
D
SO8
（塑料Micropackage ）
P
TSSOP8
（薄小外形封装）
u
I
CC
= 10μA /放大器： TS27L2 （非常低的功率）
u
I
CC
= 150μA /放大器： TS27M2 （低功耗）
u
I
CC
= 1毫安/ AMP ： TS272 （标准）
这些CMOS放大器具有非常高的输入im-
pedance和极低的输入电流。该
主要的优势与JFET器件是非常
低输入电流，温度漂移（参见图 -
茜2）。
订货编号
包
产品型号
温度范围
N
TS27M2C/AC/BC
0°C, +70°C
TS27M2I/AI/BI
-40°C, +125°C
TS27M2M/AM/BM
-55°C, +125°C
例如：
TS27M2ACN
D
P
1 - 输出1
2 - 反相输入1
3 - 非反相输入1
-
4-V
CC
引脚连接
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
-
+
-
+
8
7
6
5
N =
双列直插式封装（ DIP ）
D =
小外形封装（ SO ） - 也可在带&卷（ DT ）
P =
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） - 仅适用
在磁带&卷（ PT ）
5 - 非反相输入端2
6 - 反相输入2
7 - 输出2
+
8-V
CC
2001年11月
1/9
TS27M2C,I,M
框图
V
CC
当前
来源
xI
输入
迪FF erential
第二
舞台
产量
舞台
产量
V
CC
E
E
绝对最大额定值
符号
V
CC+
V
id
V
i
I
o
I
in
T
OPER
T
英镑
参数
电源电压
1)
差分输入电压
2)
输入电压
3)
输出电流为V
CC+
≥
15V
输入电流
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
0至+70
TS27M2C/AC/BC
TS27M2I / AI / BI TS27M2M / AM / BM
18
±18
-0.3至18
±30
±5
-40到+125
-65到+150
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
1.所有值，除了差分电压是相对于网络的接地端子。
2.差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。
3.在输入和输出电压的幅度绝不能超过正电源电压的幅度。
工作条件
符号
V
CC+
V
ICM
电源电压
共模输入电压范围
参数
价值
3至16
0到V
CC+
- 1.5
单位
V
V
2/9
V
CC
T
24
T
25
T
26
T
6
T
8
T
27
T
5
T
10
T
15
原理图
（ 1/2 TS27M2 ）
R
2
T
28
T
1
输入
T
18
T
2
输入
R1
C1
T
11
T
12
T
17
T
7
T
23
T
3
产量
T
19
T
4
T
16
T
9
T
13
T
14
T
20
T
22
T
21
T
29
V
CC
TS27M2C,I,M
3/9
TS27M2C,I,M
电气特性
V
CC
+
= +10V, V
CC
-
= 0V ，T
AMB
= + 25 ℃（除非另有规定）
TS27M2C/AC/BC
符号
参数
分钟。
输入失调电压
V
O
= 1.4V, V
ic
= 0V
V
io
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
TS27M2C/I/M
TS27M2AC/AI/AM
TS27M2B/C/I/M
TS27M2C/I/M
TS27M2AC/AI/AM
TS27M2B/C/I/M
典型值。
1.1
0.9
0.25
马克斯。
10
5
2
12
6.5
3
TS27M2I/AI/BI
TS27M2M/AM/BM
分钟。
典型值。
马克斯。
10
5
2
12
6.5
3.5
单位
1.1
0.9
0.25
mV
DV
io
I
io
输入失调电压漂移
输入失调电流笔记
1)
V
ic
= 5V, V
O
= 5V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
输入偏置电流 - 见注1
V
ic
= 5V, V
O
= 5V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
高电平输出电压
V
id
= 100mV的，R
L
= 100l
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
低电平输出电压
V
id
= -100mV
大信号电压增益
V
iC
= 5V ，R
L
= 100kΩ的，V
o
= 1V至6V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
增益带宽积
A
v
= 40分贝，R
L
= 100kΩ的，C
L
= 100pF的，女
in
= 100kHz的
共模抑制比
V
iC
= 1V至7.4V ，V
o
= 1.4V
电源电压抑制比
V
CC+
= 5V至10V ，V
o
= 1.4V
电源电流（每个放大器）
A
v
= 1，无负载，V
o
= 5V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
输出短路电流
V
o
= 0V, V
id
= 100mV的
输出灌电流
V
o
= V
CC
, V
id
= -100mV
压摆率在单位增益
R
L
= 100kΩ的，C
L
= 100pF电容，V
i
= 3 7V
相位裕度为单位增益
A
v
= 40分贝，R
L
= 100kΩ的，C
L
= 100pF的
过冲因子
等效输入噪声电压
F = 1kHz时，R
s
= 100
声道分离
65
60
30
20
8.7
8.6
2
1
100
1
150
8.9
8.7
8.5
50
50
30
10
2
1
200
1
300
8.9
μV/°C
pA
I
ib
pA
V
OH
V
OL
A
vd
V
50
50
mV
V / MV
英镑
CMR
SVR
1
80
80
150
200
250
65
60
1
80
80
150
200
300
兆赫
dB
dB
I
CC
I
o
I
SINK
SR
φm
K
OV
e
n
V
o1
/V
o2
1.
A
60
45
0.6
45
30
38
120
60
45
0.6
45
30
38
120
mA
mA
V / μs的
度
%
nV
-----------
-
Hz
dB
最大值，包括工业性试验不可避免的误差。
4/9
TS27M2C,I,M
典型特征
图1：
电源电流（每个放大器）与
电源电压
200
输出电压V
OH
(V)
图3b：
高电平输出电压与
高电平输出电流
20
电源电流，我
CC
(
A)
150
T
AMB
= 25
C
A
V
= 1
V
O
= V / 2
CC
16
12
8
4
0
-50
T
AMB
= 25
C
V
ID
= 100mV的
V
CC
= 16V
100
V
CC
= 10V
50
0
4
8
12
16
-40
-30
-20
-10
0
电源电压，V
CC
(V)
输出电流，I
OH
（MA ）
图2 ：
输入偏置电流与自由空气
温度
100
输入偏置电流，我
IB
（ PA ）
图4a ：
低电平输出电压与低
水平输出电流
1.0
输出电压V
OL
(V)
V
CC
= 10V
V
i
= 5V
V
CC
= 3V
0.8
V
CC
= 5V
0.6
0.4
0.2
T
AMB
= 25
C
V
i
= 0.5V
V
ID
= -1V
10
1
25
50
75
100
125
温度T
AMB
(
C)
0
1
2
3
输出电流，I
OL
（MA ）
图3a ：
高电平输出电压与
高电平输出电流
5
4
3
2
1
0
V
CC
= 3V
图4b ：
低电平输出电压与低
水平输出电流
3
输出电压V
OL
(V)
输出电压V
OH
(V)
T
AMB
= 25
C
V
ID
= 100mV的
V
CC
= 5V
V
CC
= 10V
2
V
CC
= 16V
1
T
AMB
= 25
C
V
i
= 0.5V
V
ID
= -1V
-10
-8
-6
-4
-2
0
0
4
8
12
16
20
输出电流，I
OH
（MA ）
输出电流，I
OL
（MA ）
5/9
TS27M2C,I,M
精密低功耗
CMOS双运算放大器
s
低功耗：
150A/op
s
输出电压摆幅
地
s
出色的相位保证金
容性负载
s
稳定的低失调电压
s
三个输入失调电压
SELECTIONS
描述
这些器件是低成本，低功耗的双能操作
设计成与单个操作憩放大器
或双电源供电。这些运算放大器使用
在ST的硅栅CMOS工艺允许的EX-
cellent消耗速度比。这些系列
非常适合于低功耗应用。
三功耗可允许
有永远是最好的消耗速度比：
N
DIP8
（塑料包装）
D
SO8
（塑料Micropackage ）
P
TSSOP8
（薄小外形封装）
u
I
CC
= 10μA /放大器： TS27L2 （非常低的功率）
u
I
CC
= 150μA /放大器： TS27M2 （低功耗）
u
I
CC
= 1毫安/ AMP ： TS272 （标准）
这些CMOS放大器具有非常高的输入im-
pedance和极低的输入电流。该
主要的优势与JFET器件是非常
低输入电流，温度漂移（参见图 -
茜2）。
订货编号
包
产品型号
温度范围
N
TS27M2C/AC/BC
0°C, +70°C
TS27M2I/AI/BI
-40°C, +125°C
TS27M2M/AM/BM
-55°C, +125°C
例如：
TS27M2ACN
D
P
1 - 输出1
2 - 反相输入1
3 - 非反相输入1
-
4-V
CC
引脚连接
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
-
+
-
+
8
7
6
5
N =
双列直插式封装（ DIP ）
D =
小外形封装（ SO ） - 也可在带&卷（ DT ）
P =
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） - 仅适用
在磁带&卷（ PT ）
5 - 非反相输入端2
6 - 反相输入2
7 - 输出2
+
8-V
CC
2001年11月
1/9
TS27M2C,I,M
框图
V
CC
当前
来源
xI
输入
迪FF erential
第二
舞台
产量
舞台
产量
V
CC
E
E
绝对最大额定值
符号
V
CC+
V
id
V
i
I
o
I
in
T
OPER
T
英镑
参数
电源电压
1)
差分输入电压
2)
输入电压
3)
输出电流为V
CC+
≥
15V
输入电流
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
0至+70
TS27M2C/AC/BC
TS27M2I / AI / BI TS27M2M / AM / BM
18
±18
-0.3至18
±30
±5
-40到+125
-65到+150
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
1.所有值，除了差分电压是相对于网络的接地端子。
2.差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。
3.在输入和输出电压的幅度绝不能超过正电源电压的幅度。
工作条件
符号
V
CC+
V
ICM
电源电压
共模输入电压范围
参数
价值
3至16
0到V
CC+
- 1.5
单位
V
V
2/9
V
CC
T
24
T
25
T
26
T
6
T
8
T
27
T
5
T
10
T
15
原理图
（ 1/2 TS27M2 ）
R
2
T
28
T
1
输入
T
18
T
2
输入
R1
C1
T
11
T
12
T
17
T
7
T
23
T
3
产量
T
19
T
4
T
16
T
9
T
13
T
14
T
20
T
22
T
21
T
29
V
CC
TS27M2C,I,M
3/9
TS27M2C,I,M
电气特性
V
CC
+
= +10V, V
CC
-
= 0V ，T
AMB
= + 25 ℃（除非另有规定）
TS27M2C/AC/BC
符号
参数
分钟。
输入失调电压
V
O
= 1.4V, V
ic
= 0V
V
io
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
TS27M2C/I/M
TS27M2AC/AI/AM
TS27M2B/C/I/M
TS27M2C/I/M
TS27M2AC/AI/AM
TS27M2B/C/I/M
典型值。
1.1
0.9
0.25
马克斯。
10
5
2
12
6.5
3
TS27M2I/AI/BI
TS27M2M/AM/BM
分钟。
典型值。
马克斯。
10
5
2
12
6.5
3.5
单位
1.1
0.9
0.25
mV
DV
io
I
io
输入失调电压漂移
输入失调电流笔记
1)
V
ic
= 5V, V
O
= 5V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
输入偏置电流 - 见注1
V
ic
= 5V, V
O
= 5V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
高电平输出电压
V
id
= 100mV的，R
L
= 100l
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
低电平输出电压
V
id
= -100mV
大信号电压增益
V
iC
= 5V ，R
L
= 100kΩ的，V
o
= 1V至6V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
增益带宽积
A
v
= 40分贝，R
L
= 100kΩ的，C
L
= 100pF的，女
in
= 100kHz的
共模抑制比
V
iC
= 1V至7.4V ，V
o
= 1.4V
电源电压抑制比
V
CC+
= 5V至10V ，V
o
= 1.4V
电源电流（每个放大器）
A
v
= 1，无负载，V
o
= 5V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
输出短路电流
V
o
= 0V, V
id
= 100mV的
输出灌电流
V
o
= V
CC
, V
id
= -100mV
压摆率在单位增益
R
L
= 100kΩ的，C
L
= 100pF电容，V
i
= 3 7V
相位裕度为单位增益
A
v
= 40分贝，R
L
= 100kΩ的，C
L
= 100pF的
过冲因子
等效输入噪声电压
F = 1kHz时，R
s
= 100
声道分离
65
60
30
20
8.7
8.6
2
1
100
1
150
8.9
8.7
8.5
50
50
30
10
2
1
200
1
300
8.9
μV/°C
pA
I
ib
pA
V
OH
V
OL
A
vd
V
50
50
mV
V / MV
英镑
CMR
SVR
1
80
80
150
200
250
65
60
1
80
80
150
200
300
兆赫
dB
dB
I
CC
I
o
I
SINK
SR
φm
K
OV
e
n
V
o1
/V
o2
1.
A
60
45
0.6
45
30
38
120
60
45
0.6
45
30
38
120
mA
mA
V / μs的
度
%
nV
-----------
-
Hz
dB
最大值，包括工业性试验不可避免的误差。
4/9
TS27M2C,I,M
典型特征
图1：
电源电流（每个放大器）与
电源电压
200
输出电压V
OH
(V)
图3b：
高电平输出电压与
高电平输出电流
20
电源电流，我
CC
(
A)
150
T
AMB
= 25
C
A
V
= 1
V
O
= V / 2
CC
16
12
8
4
0
-50
T
AMB
= 25
C
V
ID
= 100mV的
V
CC
= 16V
100
V
CC
= 10V
50
0
4
8
12
16
-40
-30
-20
-10
0
电源电压，V
CC
(V)
输出电流，I
OH
（MA ）
图2 ：
输入偏置电流与自由空气
温度
100
输入偏置电流，我
IB
（ PA ）
图4a ：
低电平输出电压与低
水平输出电流
1.0
输出电压V
OL
(V)
V
CC
= 10V
V
i
= 5V
V
CC
= 3V
0.8
V
CC
= 5V
0.6
0.4
0.2
T
AMB
= 25
C
V
i
= 0.5V
V
ID
= -1V
10
1
25
50
75
100
125
温度T
AMB
(
C)
0
1
2
3
输出电流，I
OL
（MA ）
图3a ：
高电平输出电压与
高电平输出电流
5
4
3
2
1
0
V
CC
= 3V
图4b ：
低电平输出电压与低
水平输出电流
3
输出电压V
OL
(V)
输出电压V
OH
(V)
T
AMB
= 25
C
V
ID
= 100mV的
V
CC
= 5V
V
CC
= 10V
2
V
CC
= 16V
1
T
AMB
= 25
C
V
i
= 0.5V
V
ID
= -1V
-10
-8
-6
-4
-2
0
0
4
8
12
16
20
输出电流，I
OH
（MA ）
输出电流，I
OL
（MA ）
5/9
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TC07-11SRWA
TLV2783
TPD2005F_07
TSC80C31-L16MWD/883
TLV2453CDGSR
T26213NH
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TPS2100DBVT
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TA76431
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