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TS271C,I,M
CMOS可编程
低功耗单路运算放大器
s
NULL OFFSET能力（由外部
s
s
补偿）
动态特性
我可调
SET
消耗电流及动态
参数比较稳定有关
的高压电源
变化
输出电压摆幅
地
非常大的I
SET
范围
稳定的低失调电压
三个输入失调电压
SELECTIONS
s
s
s
s
N
DIP8
（塑料包装）
描述
该TS271是一款低成本，低功耗，单能操作
tional放大器，可用于单操作或
双电源供电。该运算放大器使用
意法半导体硅栅CMOS工艺给它一个excel-
借给消耗速度比。该放大器是理想情况
盟友适合低功耗应用。
该电源与外部编程
连接销8和4. AL-之间的电阻器
低点选择最佳消费速比
和电源电流可根据被最小化
所要求的速度。此设备被指定为
下面我
SET
当前值： 1.5μA ， 25μA ，
130A.
此CMOS放大器具有很高的输入阻抗
ANCE和极低的输入电流。主要
优势与JFET器件是非常低的IN-
放电流的漂移随温度（参见图3） 。
订货编号
包
产品型号
温度范围
N
TS271C/AC/BC
0°C, +70°C
TS271I/AI/BI
-40°C, +125°C
TS271M/AM/BM
-55°C, +125°C
例如：
TS271ACN
D
1 - 偏移空1
2 - 反相输入1
3 - 非反相输入1
4 - V
CC
-
5 - 偏移空2
6 - 输出
7 - V
CC
+
8 - I
SET
D
SO8
（塑料Micropackage ）
引脚连接
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
-
+
8
7
6
5
N =
双列直插式封装（ DIP ）
D =
小外形封装（ SO ） - 也可在带&卷（ DT ）
2001年11月
1/15
TS271C,I,M
框图
V
CC
当前
来源
xI
输入
迪FF erential
第二
舞台
产量
舞台
产量
V
CC
E
E
绝对最大额定值
符号
V
CC+
V
id
V
i
I
o
I
in
T
OPER
T
英镑
参数
电源电压
1)
差分输入电压
2)
输入电压
3)
输出电流为V
CC+
≥
15V
输入电流
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
0至+70
TS271C/AC/BC
TS271I/AI/BI
18
±18
-0.3至18
±30
±5
-40到+125
-65到+150
-55到+125
TS271M/AM/BM
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
1.所有值，除了差分电压是相对于网络的接地端子。
2.差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。
3.在输入和输出电压的幅度绝不能超过正电源电压的幅度。
工作条件
符号
V
CC+
V
ICM
电源电压
共模输入电压范围
参数
价值
3至16
0到V
CC+
- 1.5
单位
V
V
2/15
原理图
V
CC
T
24
T
25
T
26
T
6
T
8
T
27
T
5
T
10
T
15
R
2
T
28
T
1
输入
T
18
T
2
输入
R1
C1
T
11
T
12
T
17
T
7
T
23
T
3
产量
T
19
T
4
T
16
T
9
T
13
T
14
T
20
T
22
T
21
T
29
V
CC
TS271C,I,M
3/15
TS271C,I,M
失调电压零电路
偏置电阻
-
V
CC+
V
CC+
5
+
1
8
25k
V
CC
-
+
-
V
O
-
V
O
+
R
SET
V
CC
-
R
SET
R
SET
V
CC
-
R
SET
接地
R
SET
连接到V
CC
- (R
SET
值：请参阅图。 1 ）
偏移补偿保证
TS271BCX （我
SET
＆ GT ; 25
A） ， TS271ACX （我
SET
＆ GT ; 90
A)
图1：
R
SET
连接到V
CC-
V
CC
= +3V
V
CC
= +5V
RSET
V
CC
= +16V
V
CC
= +10V
10M
1M
100k
10k
0.1
A
1
A
10
A
100
A
I
SET
4/15
TS271C,I,M
因为我电气特性
SET
= 1.5A
V
CC
+
= +10V, V
CC
-
= 0V ，T
AMB
= + 25 ℃（除非另有规定）
TS271C/AC/BC
符号
参数
分钟。
输入失调电压
V
O
= 1.4V, V
ic
= 0V
V
io
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
TS271C/I/M
TS271AC/AI/AM
TS271B/C/I/M
TS271C/I/M
TS271AC/AI/AM
TS271B/C/I/M
典型值。
1.1
0.9
0.25
马克斯。
10
5
2
12
6.5
3
TS271I/AI/BI
TS271M/AM/BM
分钟。
典型值。
马克斯。
10
5
2
12
6.5
3.5
单位
1.1
0.9
0.25
mV
DV
io
I
io
输入失调电压漂移
输入失调电流笔记
1)
V
ic
= 5V, V
O
= 5V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
输入偏置电流 - 见注1
V
ic
= 5V, V
O
= 5V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
高电平输出电压
V
id
= 100mV的，R
L
= 1M
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
低电平输出电压
V
id
= -100mV
大信号电压增益
V
iC
= 5V ，R
L
= 1MΩ ，V
o
= 1V至6V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
增益带宽积
A
v
= 40分贝，R
L
= 1MΩ ，C
L
= 100pF的，女
in
= 100kHz的
共模抑制比
V
iC
= 1V至7.4V ，V
o
= 1.4V
电源电压抑制比
V
CC+
= 5V至10V ，V
o
= 1.4V
电源电流（每个放大器）
A
v
= 1，无负载，V
o
= 5V
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
输出短路电流
V
o
= 0V, V
id
= 100mV的
输出灌电流
V
o
= V
CC
, V
id
= -100mV
压摆率在单位增益
R
L
= 1MΩ ，C
L
= 100pF电容，V
i
= 3 7V
相位裕度为单位增益
A
v
= 40分贝，R
L
= 1MΩ
L
= 10pF的
C
L
= 100pF的
过冲因子
A
v
= 40分贝，R
L
= 1MΩ
L
= 10pF的
C
L
= 100pF的
等效输入噪声电压
F = 1kHz时，R
s
= 100
60
60
30
20
8.8
8.7
2
1
100
1
150
9
8.8
8.6
50
100
30
20
2
1
200
1
300
9
μV/°C
pA
I
ib
pA
V
OH
V
OL
A
vd
英镑
CMR
SVR
V
50
100
mV
V / MV
0.1
80
80
10
15
17
60
60
0.1
80
80
10
15
18
兆赫
dB
dB
I
CC
I
o
I
SINK
SR
φm
A
60
45
0.04
35
10
40
70
30
60
45
0.04
35
10
40
70
30
mA
mA
V / μs的
度
K
OV
%
nV
-----------
-
Hz
e
n
1.
最大值，包括工业性试验不可避免的误差。
5/15
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