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TS13003HV
高压NPN晶体管
引脚分配:
1.发射器
2.收集
3. BASE
BV
首席执行官
= 530V
BV
CBO
= 900V
IC = 1.5A
V
CE (SAT)
, = 0.5V @ IC / IB = 0.5A / 0.1A
特点
高压
.
高速开关
订购信息
产品型号
TS13003HVCT B0
TS13003HVCT A3
填料
散装
弹药包
TO-92
TO-92
结构
硅三重扩散型。
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作结温
工作结存储温度范围
注: 1,单脉冲, PW = 300US ,职务< = 2 %
DC
脉冲
P
D
T
J
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
极限
900V
530V
10
1.5
3
0.6
+150
- 55 + 150
单位
V
V
V
A
W
o
o
C
C
电气特性
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
STATIC
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
I
C
= 10毫安,我
E
= 0
I
E
= 1mA时,我
C
= 0
V
CB
= 800V ,我
E
= 0
V
EB
= 10V ,我
C
= 0
I
C
/ I
B
= 1.5A / 0.5A
I
C
/ I
B
= 0.5A / 0.1A
V
CE
= 10V ,我
C
=为10uA
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.4A
V
CE
= 10V ,我
C
= 1.0A
频率
输出电容
启动时间
贮存时间
下降时间
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.1A
V
CB
= 10V , F =为0.1MHz
V
CC
= 125V ,我
C
= 1A,
I
B1
= 0.2A ,我
B2
= - 0.2A,
R
L
= 125ohm
f
T
COB
t
ON
t
英镑
t
f
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(SAT)1
V
CE(SAT)2
h
FE
900
530
9
--
--
--
--
15
20
6
4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
21
1.1
--
--
--
--
--
10
0.5
2.5
0.8
40
40
40
--
--
--
4
0.7
兆赫
pF
uS
uS
uS
V
V
V
uA
uA
V
条件
符号
典型值
最大
单位
注:脉冲测试:脉冲宽度< = 300US ,占空比< = 2 %
TS13003HV
1-3
2004/09转。一
电气特性曲线
图1.静态Characteric
图2.直流电流增益
图3的Vce ( sat)的V.S. VBE (SAT)
图4.开关时间
图5.安全工作区
图6.功率降额
TS13003HV
2-3
2004/09转。一
TO- 92机械制图
A
TO-92维
MILLIMETERS
英寸
最大
最大
4.30
4.70
0.169
0.185
4.30
4.70
0.169
0.185
14.30(typ)
0.563(typ)
0.43
0.49
0.017
0.019
2.19
2.81
0.086
0.111
3.30
3.70
0.130
0.146
2.42
0.37
2.66
0.43
0.095
0.015
0.105
0.017
暗淡
B
A
B
C
D
E
F
C
E
F
G
H
H
D
G
TS13003HV
3-3
2004/09转。一
TS13003HV
高压NPN晶体管
TO-92
针脚定义:
1.发射器
2.收集
3. BASE
产品概述
BV
首席执行官
BV
CBO
I
C
V
CE ( SAT )
530V
900V
1.5A
0.5V @我
C
/ I
B
= 0.5A / 0.1A
特点
高压
高速开关
框图
结构
硅三重扩散型
NPN硅晶体管
订购信息
产品型号
TS13003HVCT B0
TS13003HVCT B0G
TS13003HVCT A3
TS13003HVCT A3G
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
填料
1Kpcs /散装
1Kpcs /散装
2Kpcs /弹药
2Kpcs /弹药
注: “G”表示为无卤产品
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
P
合计
T
J
T
英镑
极限
900V
530V
10
1.5
3
0.5
1.96
+150
- 55 + 150
单位
V
V
V
A
W
W
o
o
C
C
热性能
参数
结到外壳热阻
结到环境的热阻
符号
R
JC
RθJ
A
极限
64
248
单位
o
o
C / W
C / W
1/5
版本: D07
TS13003HV
高压NPN晶体管
电气规格
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
STATIC
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
C
= 10毫安,我
E
= 0
I
E
= 1mA时,我
C
= 0
V
CB
= 800V ,我
E
= 0
V
EB
= 10V ,我
C
= 0
I
C
/ I
B
= 0.5A / 0.1A
I
C
/ I
B
= 1.0A / 0.25A
I
C
/ I
B
= 1.5A / 0.5A
基射极饱和电压
I
C
/ I
B
= 0.5A / 0.1A
I
C
/ I
B
= 1.0A / 0.25A
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安
直流电流增益
动态特性
频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.1A
V
CB
= 10V , F =为0.1MHz
V
CC
= 125V ,我
C
= 1A,
I
B1
= I
B2
= 0.2A,
t
p
= 25US
占空比
≤1%
f
T
COB
t
d
t
r
t
英镑
t
f
4
--
--
--
--
--
--
21
0.05
1.1
2
0.4
--
--
0.2
--
4
0.7
兆赫
pF
uS
uS
uS
uS
V
CE
= 10V ,我
C
= 400毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 1A
h
FE
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(SAT)1
V
CE(SAT)2
V
CE(SAT)3
V
BE(SAT)1
V
BE(SAT)2
900
530
9
--
--
--
--
--
--
--
15
20
6
--
--
--
--
--
0.3
0.5
0.9
--
--
--
--
--
--
--
--
10
0.5
0.5
1
2
1
1.2
40
40
40
V
V
V
V
V
uA
uA
条件
符号
典型值
最大
单位
阻性负载开关时间(额定值)
注:脉冲测试:脉冲宽度
≤300uS,
占空比
≤2%
2/5
版本: D07
TS13003HV
高压NPN晶体管
电气特性曲线
( TA = 25
o
C,除非另有说明)
图1.静态特性
图2.直流电流增益
图3. V
CE ( SAT )
V.S. V
BE (坐
图4.功率降额
图5.反向偏置SOA
图6.安全工作区
3/5
版本: D07
TS13003HV
高压NPN晶体管
TO- 92机械制图
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
TO-92维
MILLIMETERS
英寸
最大
最大
4.30
4.70
0.169
0.185
4.30
4.70
0.169
0.185
13.53 (典型值)
0.532 (典型值)
0.39
0.49
0.015
0.019
1.18
1.28
0.046
0.050
3.30
3.70
0.130
0.146
1.27
1.31
0.050
0.051
0.33
0.43
0.013
0.017
标记图
Y
=年份代码
M
=月守则
( A =一月,
B =二月, C =月, D = APL, E =月, F =峻, G =七月, H =八月, I =九月,
J =月, K =月, L =月)
=月守则无卤产品
(O =月,
P =月, Q =月, R = APL, S =日, T =俊, U =月,V =月, W =月,
X =月, Y =月, Z =月)
L
- 批次编号
4/5
版本: D07
TS13003HV
高压NPN晶体管
通告
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5/5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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