TS12A4514 ， TS12A4515
,
低电压，低导通电阻
SPST CMOS模拟开关
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SCDS193B - 2006年8月 - 修订2007年3月
特点
2 V至12 V单电源供电
指定的导通电阻：
– 15
最多使用12 V电源
– 20
最多用5 V电源
– 50
最大3.3 V电源
规定的低关断漏电流：
- 1 nA的25℃
- 10 nA的在85℃下
指定的低导通漏电流：
- 1 nA的25℃
- 10 nA的在85℃下
低电荷注入： 11.5 PC（ 12 - V电源）
开关速度快：
t
ON
= 80纳秒，T
关闭
= 50纳秒（ 12 - V电源）
突破前先操作（T
ON
＆ GT ;吨
关闭
)
TTL / CMOS逻辑兼容采用5 V电源
描述/订购信息
该TS12A4514 / TS12A4515是单极/单掷（ SPST ） ，低电压，单电源CMOS模拟
开关，具有极低的开关导通电阻。该TS12A4514是常开（NO ） 。该TS12A4515是
常闭（ NC ） 。
这些CMOS开关，可连续使用单电源供电为2 V至12 V.每个可以切换操作
处理轨到轨模拟信号。关断泄漏电流最大仅为1 nA的在25℃或10 nA的在85℃ 。
所有数字输入具有0.8 V至2.4 V的逻辑阈值，从而确保TTL / CMOS逻辑兼容采用5 V时
供应量。
对于引脚兼容的部件采用双电源供电使用，请参阅TS12A4516 / TS12A4517 。
订购信息
T
A
PDIP = P
SOIC - D
-40 ° C至85°C
SOP （ SOT - 23 ） - DBV
PDIP = P
SOIC - D
SOP （ SOT - 23 ） - DBV
(1)
包
(1)
1000卷
1500卷
2500卷
3000卷
1000卷
1500卷
2500卷
3000卷
订购型号
TS12A4514P
TS12A4514D
TS12A4514DR
TS12A4514DBVR
TS12A4515P
TS12A4515D
TS12A4515DR
TS12A4515DBVR
顶部端标记
TS12A4514P
YD514
预览
TS12A4515P
YD515
预览
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2006-2007 ，德州仪器
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低电压，低导通电阻
SPST CMOS模拟开关
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销刀豆网络gurations
TS12A4514
D或P封装
（ TOP VIEW ）
COM 1
NC 2
NC 3
V
+
4
8 NO
7 GND
6年
5 NC
TS12A4515
D或P封装
（ TOP VIEW ）
COM 1
NC 2
NC 3
V
+
4
8 NC
7 GND
6年
5 NC
TS12A4514
SOT- 23封装
（ TOP VIEW ）
COM 1
5 V
+
TS12A4515
SOT- 23封装
（ TOP VIEW ）
COM 1
5 V
+
2号
NC 2
GND 3
4 IN
GND 3
4 IN
输入
低
高
北卡罗来纳州=没有内部连接
NO =常开
开关状态
TS12A4514 TS12A4515
关闭
ON
ON
关闭
MARKNG信息（只有SOTS ）
LOT特定代码
XX XX
AE = TS12A4514
AF = TS12A4515
绝对最低和最高等级
(1) (2)
电压参考GND
民
V
+
V
NC
V
NO
V
COM
电源电压范围
(3)
模拟电压范围
(4)
连续电流到任何终端
峰值电流，编号或COM （脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
每个方法3015.7 ESD
8引脚塑料DIP （减免9.09毫瓦/°C， 70°C以上）
连续功率耗散（T
A
= 70°C)
T
A
T
英镑
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
(2)
(3)
(4)
8引脚SOIC （减免5.88毫瓦/°C， 70°C以上）
5引脚SOT- 23 （降额7.1毫瓦/°C， 70°C以上）
–40
–65
–0.3
–0.3
最大
13
V
+
+ 0.3
or
±20
mA
±20
±30
>2000
727
471
571
85
150
300
°C
°C
°C
mW
单位
V
V
mA
mA
V
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
代数约定，从而最负的值是最小值和最积极的值是最大
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
电压超过V
+
或GND上的任何信号端子通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大电流
投资评级。
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电气特性，用于5 V电源
(1)
V
+
= 4.5 V至5.5 V ，V
INH
= 2.4 V, V
INL
= 0.8 V，T
A
= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通状态电阻
导通状态电阻
平整度
NO ， NC
断漏电流
(3)
COM
断漏电流
(3)
COM
泄漏电流
(3)
数字控制输入（ IN）
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏电流
动态
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
(4)
NO ， NC
关断电容
COM
关断电容
COM
在电容
数字输入电容
带宽
关断隔离
总谐波失真
供应
V
+
电源电流
(1)
(2)
(3)
(4)
I
+
V
IN
= 0 V或V
+
25°C
满
0.05
0.1
A
t
ON
t
关闭
Q
C
C
否（关）
,
C
NC （关闭）
C
COM （关闭）
C
COM（上）
C
I
BW
O
ISO
THD
SEE
图2
SEE
图2
C
L
= 1 nF的，V
NO
= 0 V,
R
S
= 0
,
SEE
图1
F = 1MHz时，看
图4
F = 1MHz时，看
图4
F = 1MHz时，看
图4
V
IN
= V
+
, 0 V
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的，
V
NO
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的，
V
NO
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的，
V
NO
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
25°C
满
25°C
满
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
–3
7.5
7.5
19
1.5
475
–94
0.08
25
32
100
125
50
60
ns
ns
pC
pF
pF
pF
pF
兆赫
dB
%
V
IH
V
IL
I
IH
, I
IL
V
IN
= V
+
, 0 V
满
满
满
2.4
0
V
+
0.8
0.01
V
V
A
V
COM
, V
NO
, V
NC
r
on
r
对（平）
I
否（关）
,
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
V
+
= 4.5 V, V
COM
= 3.5 V,
I
COM
= 1毫安
V
COM
= 1 V, 2 V, 3 V,
I
COM
= 1毫安
V
+
= 5.5 V, V
COM
= 1 V,
V
NO
或V
NC
= 4.5 V
V
+
= 5.5 V, V
COM
= 1 V,
V
NO
或V
NC
= 4.5 V
V
+
= 5.5 V, V
COM
= 4.5 V,
V
NO
或V
NC
= 4.5 V
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
1
0
9.5
V
+
15
20
3
4
1
10
1
10
1
10
V
nA
nA
nA
符号
测试条件
T
A
最小值典型值
(2)
最大
单位
代数约定，从而最负的值是最小值和最积极的值是最大值。
典型值是在T
A
= 25°C.
泄漏参数是在最大额定热运行温度100％测试，并且由相关性确保在25℃ 。
按设计规定，未经生产测试
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3
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低电压，低导通电阻
SPST CMOS模拟开关
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12 V电源电气特性
(1)
V
+
= 11.4 V至12.6 V ，V
INH
= 5 V, V
INL
= 0.8 V，T
A
= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通状态电阻
导通状态电阻
平整度
NO ， NC
断漏电流
(3)
COM
断漏电流
(3)
COM
泄漏电流
(3)
数字控制输入（ IN）
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏电流
动态
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
(4)
NO ， NC
关断电容
COM
关断电容
COM
在电容
数字输入电容
带宽
关断隔离
总谐波失真
供应
V
+
电源电流
(1)
(2)
(3)
(4)
I
+
V
IN
= 0 V或V
+
25°C
满
0.05
0.2
A
t
ON
t
关闭
Q
C
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
COM （关闭）
C
COM（上）
C
I
BW
O
ISO
THD
SEE
图2
SEE
图2
C
L
= 1 nF的，V
NO
= 0 V,
R
S
= 0
,
SEE
图1
F = 1MHz时，看
图4
F = 1MHz时，看
图4
F = 1MHz时，看
图4
V
IN
= V
+
, 0 V
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的，
V
NO
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的，
V
NO
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的，
V
NO
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
25°C
满
25°C
满
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
–11.5
7.5
7.5
21.5
1.5
520
–95
0.07
20
22
75
80
45
50
ns
ns
pC
pF
pF
pF
pF
兆赫
dB
%
V
IH
V
IL
I
IH
, I
IL
V
IN
= V
+
, 0 V
满
满
满
5
0
V
+
0.8
0.001
V
V
A
V
COM
, V
NO
, V
NC
r
on
V
+
= 11.4 V, V
COM
= 10 V,
I
COM
= 1毫安
V
+
= 11.4 V,
V
COM
= 2 V, 5 V, 10 V,
I
COM
= 1毫安
V
+
= 12.6 V, V
COM
= 1 V,
V
NO
或V
NC
= 10 V
V
+
= 12.6 V, V
COM
= 1 V,
V
NO
或V
NC
= 10 V
V
+
= 12.6 V, V
COM
= 10 V,
V
NO
或V
NC
= 10 V
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
1.5
0
6.5
V
+
10
15
3
4
1
10
1
10
1
10
V
符号
测试条件
T
A
最小值典型值
(2)
最大
单位
r
对（平）
I
否（关）
,
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
nA
nA
nA
代数约定，从而最负的值是最小值和最积极的值是最大值。
典型值是在T
A
= 25°C.
泄漏参数是在最大额定热运行温度100％测试，并且由相关性确保在25℃ 。
按设计规定，未经生产测试
4
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低电压，低导通电阻
SPST CMOS模拟开关
SCDS193B - 2006年8月 - 修订2007年3月
电气特性的3 - V电源
(1)
V
+
= 3 V至3.6 V ，T
A
= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通状态电阻
导通状态电阻
平整度
NO ， NC
断漏电流
(3)
COM
断漏电流
(3)
COM
泄漏电流
(3)
数字控制输入（ IN）
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏电流
动态
开启时间
(4)
打开-O FF时间
(4)
电荷注入
(4)
NO ， NC
关断电容
COM
关断电容
COM
在电容
数字输入电容
带宽
关断隔离
总谐波失真
供应
V
+
电源电流
I
+
V
IN
= 0 V或V
+
25°C
满
0.03
0.05
A
t
ON
t
关闭
Q
C
C
否（关）
,
C
NC （关闭）
C
COM （关闭）
C
COM（上）
C
I
BW
O
ISO
THD
SEE
图2
SEE
图2
C
L
= 1 nF的，看
图1
F = 1MHz时，看
图4
F = 1MHz时，看
图4
F = 1MHz时，看
图4
V
IN
= V
+
, 0 V
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的，
V
NO
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的，
V
NO
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的，
V
NO
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
25°C
满
25°C
满
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
–1.5
7.5
7.5
17
1.5
460
–94
0.15
33
63
120
175
80
120
ns
ns
pC
pF
pF
pF
pF
兆赫
dB
%
V
IH
V
IL
I
IH
, I
IL
V
IN
= V
+
, 0 V
满
满
满
2.4
0
V
+
0.8
0.01
V
V
A
V
COM
, V
NO
, V
NC
r
on
V
+
= 3 V, V
COM
= 1.5 V,
I
NO
= 1毫安，
V
+
= 3 V,
V
COM
= 1 V, 1.5 V, 2 V,
I
COM
= 1毫安
V
+
= 3.6 V, V
COM
= 1 V,
V
NO
或V
NC
= 3 V
V
+
= 3.6 V, V
COM
= 1 V,
V
NO
或V
NC
= 3 V
V
+
= 3.6 V, V
COM
= 3 V,
V
NO
或V
NC
= 3 V
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
1
0
18.5
V
+
40
50
3
4
1
10
1
10
1
10
V
符号
测试条件
T
A
最小值典型值
(2)
最大
单位
r
对（平）
I
否（关）
,
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
nA
nA
nA
(1)
(2)
(3)
(4)
代数约定，从而最负的值是最小值和最积极的值是最大值。
典型值是在T
A
= 25°C.
泄漏参数是在最大额定热运行温度100％测试，并且由相关性确保在25℃ 。
按设计规定，未经生产测试
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