TS112N
多功能电信交换机
负载电压
负载电流
最大
ON
TS112N
350
120
20
单位
V
mA
特点
小型8引脚SOIC窄封装
低驱动功率要求（ TTL / CMOS
兼容）
没有移动部件
高可靠性
电弧免费电路与没有冷落
1500V
RMS
输入/输出隔离
FCC兼容
VDE兼容
没有EMI / RFI代
机插入，波焊
磁带&卷轴版本可用
描述
该TS112多功能电信交换机结合了
350V A型继电器和光耦合器在一个单一封装
年龄。该继电器采用光耦合MOSFET技
GY提供输入的1500V输出隔离。该
高效MOSFET开关和光电利用死克莱尔的
专利OptoMOS架构。光耦合
输入采用高效GaAIAs红外LED 。 TS112N
允许电信电路设计，结合了两种独立
功能，如挂钩开关和振铃检测，在一个单一的
组件。该TS112的小包装使用更少的空间
比传统的分立元件解决方案。
认证
UL认证：文件编号待定
CSA认证：文件编号待定
BSI认证：待定
订购信息
应用
电信
电信交换
提示/振铃电路
调制解调器交换（笔记本电脑，笔记本电脑，掌上大小）
叉簧
拨号脉冲
接地启动
林格注射液
仪器仪表
多路复用器
数据采集
电子开关
I / O子系统
米（瓦特小时，水，气）
医疗设备，病人/设备隔离
安全
航天
工业控制
产品编号
TS112N
TS112NTR
描述
8引脚SOIC （ 50 /管）
8引脚SOIC带&卷（ 1000 /卷）
引脚配置
TS112引脚
+ LED - 继电器
- LED - 继电器
集热器 - 光电晶体管
发射器 - 光电晶体管
1
2
3
4
8
7
6
5
负载 - 继电器（ MOSFET输出）
负载 - 继电器（ MOSFET输出）
LED - 光电晶体管 - / +
LED - 光电晶体管+/-
DS-TS112N-R2
www.clare.com
1
TS112N
性能数据*
35
30
设备数量（N ）
TS112
典型的LED正向电压降
（N = 50环境温度= 25 ° C）
I
F
= 5mADC
35
30
设备数量（N ）
25
20
15
10
5
0
1.17
1.19
1.21
1.23
1.25
TS112
典型导通电阻分布
（N = 50环境温度= 25 ° C）
（负载电流= 120mADC ）
35
30
设备数量（N ）
8.75
9.25
9.75
10.25
10.75
25
20
15
10
5
0
TS112
典型的阻断电压分布
（N = 50环境温度= 25 ° C）
25
20
15
10
5
0
LED正向压降（ V）
365
375
385
395
405
415
425
导通电阻（ Ω ）
阻断电压（ V）
TS112
典型的我
F
对于开关操作
（N = 50环境温度= 25 ° C）
（负载电流= 120mADC ）
25
20
15
10
5
0
0.30
0.42
0.54
0.66
0.78
0.90
1.02
LED电流（mA ）
25
20
15
10
5
0
TS112
典型的我
F
用于开关降
（N = 50环境温度= 25 ° C）
（负载电流= 120mADC ）
25
20
15
10
5
0
0.18
0.30
0.42
0.54
0.66
0.78
0.90
TS112
典型导通时间
（N = 50环境温度= 25 ° C）
（负载电流= 120mADC ，我
F
= 2mADC ）
设备数量（N ）
设备数量（N ）
设备数量（N ）
0.88
1.23
1.58
1.93
2.28
2.63
2.98
LED电流（mA ）
开启（毫秒）
25
20
15
10
5
0
TS112
典型关断时间
（N = 50环境温度= 25 ° C）
（负载电流= 120mADC ，我
F
= 2mADC ）
最大的百分比
额定负载（典型值） （ ％ ）
100
75
50
25
0
0.06
0.10
0.14
0.18
0.22
0.26
0.30
TS112
负载电流与环境温度
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
-40
TS112
典型的泄漏与温度的关系
（在引脚15 & 16测得）
设备数量（N ）
漏电（ μA ）
I
F
= 5毫安
-40
0
25
50
85
-20
0
20
40
60
80
100
关断（毫秒）
环境温度（ ℃）
温度（℃）
TS112
典型的阻断电压
与温度的关系
415
阻断电压（V
RMS
)
410
开启（毫秒）
405
400
395
390
385
380
-40
-20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-40
TS112
典型导通与温度的关系
（负载电流= 120mADC ）
0.30
0.25
关断（毫秒）
5mA
0.20
0.15
0.10
0.05
TS112
典型关闭与温度的关系
（负载电流= 120毫安）
10mA
20mA
5mA
0
-20
0
20
40
60
80
100
-40
-20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
温度（℃）
在上面的图中所示的性能数据是典型的器件性能。为保证参数没有文字说明指出，请联系
我们的应用部门。
4
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第2版
TS112N
性能数据*
TS112
典型的LED正向电压降
与温度的关系
LED正向压降（ V）
1.8
1.6
开启（毫秒）
1.4
1.2
1.0
0.8
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
温度（℃）
TS112
典型导通与
LED正向电流
（负载电流= 120mADC ）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
正向电流（mA ）
TS112
典型关闭与LED正向电流
（负载电流= 120mADC ）
0.18
0.16
关断（毫秒）
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
正向电流（mA ）
50mA
30mA
20mA
10mA
5mA
60
导通电阻（ Ω ）
50
40
30
20
10
0
TS112
典型导通电阻与温度的关系
（负载电流= 120mADC ，我
F
= 2mADC ）
TS112
典型的我
F
对于开关操作
与温度的关系
（负载电流= 120mADC ）
1.8
1.6
LED电流（mA ）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
LED电流（mA ）
1.4
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0
-40
TS112
典型的我
F
用于开关降
与温度的关系
（负载电流= 120mADC ）
-40
-20
0
20
40
60
80
100
-20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
温度（℃）
温度（℃）
200
150
负载电流（mA ）
100
50
0
-50
-100
-150
TS112
典型负载电流与负载电压
（环境温度= 25 ° C）
I
F
= 5mADC
TS112
能耗等级曲线
1.2
归CTR （ ％ ）
TS112
典型的归CTR与正向电流
(V
CE
= 0.5V)
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.0
负载电流（A ）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
为10μs 100μs的10毫秒1毫秒100毫秒
时间
1s
10s 100s
-200
-2.0 -1.5
-1.0 -0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
负载电压（V）的
I
F
（MA ）
TS112
典型的归CTR与温度的关系
(V
CE
= 0.5V)
8
归CTR （ ％ ）
7
6
I
C
（MA ）
5
4
3
2
1
0
-40
-20
0
20
40
60
TS112
典型的集电极电流与正向电流
(V
CE
= 0.5V)
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1mA
2mA
5mA
10mA
15mA
20mA
80 100 120
温度（℃）
I
F
（MA ）
*上面的图表显示的性能数据是典型的器件性能。为保证参数没有文字说明指出，请联系
我们的应用部门。
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TS112N
多功能电信交换机
负载电压
负载电流
最大
ON
TS112N
350
120
20
单位
V
mA
特点
小型8引脚SOIC窄封装
低驱动功率要求（ TTL / CMOS
兼容）
没有移动部件
高可靠性
电弧免费电路与没有冷落
1500V
RMS
输入/输出隔离
FCC兼容
VDE兼容
没有EMI / RFI代
机插入，波焊
磁带&卷轴版本可用
描述
该TS112多功能电信交换机结合了
350V A型继电器和光耦合器在一个单一封装
年龄。该继电器采用光耦合MOSFET技
GY提供输入的1500V输出隔离。该
高效MOSFET开关和光电利用死克莱尔的
专利OptoMOS架构。光耦合
输入采用高效GaAIAs红外LED 。 TS112N
允许电信电路设计，结合了两种独立
功能，如挂钩开关和振铃检测，在一个单一的
组件。该TS112的小包装使用更少的空间
比传统的分立元件解决方案。
认证
UL认证：文件编号待定
CSA认证：文件编号待定
BSI认证：待定
订购信息
应用
电信
电信交换
提示/振铃电路
调制解调器交换（笔记本电脑，笔记本电脑，掌上大小）
叉簧
拨号脉冲
接地启动
林格注射液
仪器仪表
多路复用器
数据采集
电子开关
I / O子系统
米（瓦特小时，水，气）
医疗设备，病人/设备隔离
安全
航天
工业控制
产品编号
TS112N
TS112NTR
描述
8引脚SOIC （ 50 /管）
8引脚SOIC带&卷（ 1000 /卷）
引脚配置
TS112引脚
+ LED - 继电器
- LED - 继电器
集热器 - 光电晶体管
发射器 - 光电晶体管
1
2
3
4
8
7
6
5
负载 - 继电器（ MOSFET输出）
负载 - 继电器（ MOSFET输出）
LED - 光电晶体管 - / +
LED - 光电晶体管+/-
DS-TS112N-R2
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1
TS112N
性能数据*
35
30
设备数量（N ）
TS112
典型的LED正向电压降
（N = 50环境温度= 25 ° C）
I
F
= 5mADC
35
30
设备数量（N ）
25
20
15
10
5
0
1.17
1.19
1.21
1.23
1.25
TS112
典型导通电阻分布
（N = 50环境温度= 25 ° C）
（负载电流= 120mADC ）
35
30
设备数量（N ）
8.75
9.25
9.75
10.25
10.75
25
20
15
10
5
0
TS112
典型的阻断电压分布
（N = 50环境温度= 25 ° C）
25
20
15
10
5
0
LED正向压降（ V）
365
375
385
395
405
415
425
导通电阻（ Ω ）
阻断电压（ V）
TS112
典型的我
F
对于开关操作
（N = 50环境温度= 25 ° C）
（负载电流= 120mADC ）
25
20
15
10
5
0
0.30
0.42
0.54
0.66
0.78
0.90
1.02
LED电流（mA ）
25
20
15
10
5
0
TS112
典型的我
F
用于开关降
（N = 50环境温度= 25 ° C）
（负载电流= 120mADC ）
25
20
15
10
5
0
0.18
0.30
0.42
0.54
0.66
0.78
0.90
TS112
典型导通时间
（N = 50环境温度= 25 ° C）
（负载电流= 120mADC ，我
F
= 2mADC ）
设备数量（N ）
设备数量（N ）
设备数量（N ）
0.88
1.23
1.58
1.93
2.28
2.63
2.98
LED电流（mA ）
开启（毫秒）
25
20
15
10
5
0
TS112
典型关断时间
（N = 50环境温度= 25 ° C）
（负载电流= 120mADC ，我
F
= 2mADC ）
最大的百分比
额定负载（典型值） （ ％ ）
100
75
50
25
0
0.06
0.10
0.14
0.18
0.22
0.26
0.30
TS112
负载电流与环境温度
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
-40
TS112
典型的泄漏与温度的关系
（在引脚15 & 16测得）
设备数量（N ）
漏电（ μA ）
I
F
= 5毫安
-40
0
25
50
85
-20
0
20
40
60
80
100
关断（毫秒）
环境温度（ ℃）
温度（℃）
TS112
典型的阻断电压
与温度的关系
415
阻断电压（V
RMS
)
410
开启（毫秒）
405
400
395
390
385
380
-40
-20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-40
TS112
典型导通与温度的关系
（负载电流= 120mADC ）
0.30
0.25
关断（毫秒）
5mA
0.20
0.15
0.10
0.05
TS112
典型关闭与温度的关系
（负载电流= 120毫安）
10mA
20mA
5mA
0
-20
0
20
40
60
80
100
-40
-20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
温度（℃）
在上面的图中所示的性能数据是典型的器件性能。为保证参数没有文字说明指出，请联系
我们的应用部门。
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TS112N
性能数据*
TS112
典型的LED正向电压降
与温度的关系
LED正向压降（ V）
1.8
1.6
开启（毫秒）
1.4
1.2
1.0
0.8
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
温度（℃）
TS112
典型导通与
LED正向电流
（负载电流= 120mADC ）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
正向电流（mA ）
TS112
典型关闭与LED正向电流
（负载电流= 120mADC ）
0.18
0.16
关断（毫秒）
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
正向电流（mA ）
50mA
30mA
20mA
10mA
5mA
60
导通电阻（ Ω ）
50
40
30
20
10
0
TS112
典型导通电阻与温度的关系
（负载电流= 120mADC ，我
F
= 2mADC ）
TS112
典型的我
F
对于开关操作
与温度的关系
（负载电流= 120mADC ）
1.8
1.6
LED电流（mA ）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
LED电流（mA ）
1.4
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0
-40
TS112
典型的我
F
用于开关降
与温度的关系
（负载电流= 120mADC ）
-40
-20
0
20
40
60
80
100
-20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
温度（℃）
温度（℃）
200
150
负载电流（mA ）
100
50
0
-50
-100
-150
TS112
典型负载电流与负载电压
（环境温度= 25 ° C）
I
F
= 5mADC
TS112
能耗等级曲线
1.2
归CTR （ ％ ）
TS112
典型的归CTR与正向电流
(V
CE
= 0.5V)
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.0
负载电流（A ）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
为10μs 100μs的10毫秒1毫秒100毫秒
时间
1s
10s 100s
-200
-2.0 -1.5
-1.0 -0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
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20
负载电压（V）的
I
F
（MA ）
TS112
典型的归CTR与温度的关系
(V
CE
= 0.5V)
8
归CTR （ ％ ）
7
6
I
C
（MA ）
5
4
3
2
1
0
-40
-20
0
20
40
60
TS112
典型的集电极电流与正向电流
(V
CE
= 0.5V)
12
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0
0
2
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14
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1mA
2mA
5mA
10mA
15mA
20mA
80 100 120
温度（℃）
I
F
（MA ）
*上面的图表显示的性能数据是典型的器件性能。为保证参数没有文字说明指出，请联系
我们的应用部门。
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